殺入存儲賽道？軟銀和英特爾攜手：“低功耗版HBM”將于2029財年前商業(yè)化！

財聯(lián)社2月3日訊（編輯 黃君芝）人工智能（AI）基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)正助力掀起一輪存儲“超級周期”，投資巨頭和科技巨頭正在爭先布局這一賽道。軟銀集團(tuán)周二表示，其子公司Saimemory已與英特爾公司達(dá)成合作，共同開發(fā)一種新型存儲芯片技術(shù)。

據(jù)悉，雙方已于當(dāng)?shù)貢r間2月2日簽署合作協(xié)議，共同將ZAM（Z-Angle Memory）商業(yè)化。ZAM是一種具有高容量、高帶寬和低功耗特性的下一代內(nèi)存技術(shù)。

根據(jù)這項合作協(xié)議，Saimemory將借助英特爾的下一代DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）組裝技術(shù)，并計劃在至少2028年初之前完成原型產(chǎn)品的開發(fā)。更具體地說，Saimemory的目標(biāo)是在2027財年創(chuàng)建原型，并在2029財年實現(xiàn)商業(yè)化。

軟銀在一份聲明中表示，該技術(shù)的開發(fā)旨在用于人工智能數(shù)據(jù)中心。鑒于運(yùn)行生成式人工智能模型需要強(qiáng)大的計算能力，高速內(nèi)存是人工智能數(shù)據(jù)中心的關(guān)鍵組成部分。

“這項名為‘ZAM’的下一代存儲技術(shù)，將為數(shù)據(jù)中心和其他需要大規(guī)模AI模型訓(xùn)練和推理處理的場所帶來高容量、高帶寬的數(shù)據(jù)處理能力、更高的處理性能以及更低的功耗。”軟銀寫道。

當(dāng)下，AI大模型訓(xùn)練算力需求正呈指數(shù)級增長，數(shù)據(jù)中心能耗問題已然成為行業(yè)痛點(diǎn)。傳統(tǒng)HBM等高帶寬內(nèi)存雖可提升數(shù)據(jù)傳輸效率，但功耗問題始終難以攻克。例如，有數(shù)據(jù)顯示，在谷歌的AI數(shù)據(jù)中心里，HBM內(nèi)存單元的功耗占比高達(dá)35%，散熱成本更是逐年攀升。

而軟銀與英特爾此次聯(lián)手研發(fā)的新型AI內(nèi)存芯片也正是瞄準(zhǔn)這一行業(yè)瓶頸，此次合作也預(yù)示著AI硬件領(lǐng)域即將迎來一場能效層面的重大變革。

另據(jù)了解，Saimemory是軟銀于2024年12月成立的子公司，旨在推動下一代存儲技術(shù)的研究與開發(fā)，并將其應(yīng)用于實際應(yīng)用。在去年有意與英特爾聯(lián)手后，該公司在2025年年中進(jìn)行了更名。它們最初以“Saimemory”為名，旨在打造出性能可與當(dāng)前主流的HBM相媲美、但功耗卻能降低一半以上的創(chuàng)新產(chǎn)品。

據(jù)早些時候的報道，軟銀作為此次合作的關(guān)鍵投資者，已決定初期投入30億日元，成為最大的出資方。整個項目的預(yù)計總成本高達(dá)100億日元（約合7000萬美元）。但值得注意的是，一旦Saimemory的產(chǎn)品成功推向市場，軟銀將享有優(yōu)先供貨權(quán)。

另一方面，從英特爾的角度來看也具有重要意義。這一消息宣布之際，正值英特爾努力加強(qiáng)其芯片產(chǎn)品線，并試圖在為人工智能領(lǐng)域提供產(chǎn)品方面趕上其競爭對手。

與此同時，這也標(biāo)志著英特爾在存儲器領(lǐng)域的一次重大回歸。英特爾在2022年決定退出Optane存儲業(yè)務(wù)，并將其NAND閃存業(yè)務(wù)出售給SK海力士，盡管當(dāng)時仍保留了Optane相關(guān)的3D XPoint技術(shù)和專利。

分析人士指出，雖然Saimemory專注于DRAM技術(shù)，與Optane的非易失性存儲技術(shù)路徑不同，但英特爾在先進(jìn)封裝和芯片堆疊等領(lǐng)域的技術(shù)積累，將為Saimemory的研發(fā)提供有力支持。