ASML四十年研發光刻機，中國企業更勝一籌

荷蘭科技記者馬克·海金克追蹤ASML多年，他在近年訪談中直言，光刻機開發屬于漫長耐力項目，這家荷蘭公司從1984年起步，投入整整四十年才把設備推向支撐全球先進產線的水平。

他同時注意到，中國企業展現出另一種推進力度，即使是華為這樣過去未直接管理晶圓廠的團隊，也直接切入設備研發層面，這種跨界投入在半導體歷史上沒有先例。

回想ASML成立之初，它從飛利浦實驗室分離出來，與ASM國際和荷蘭政府合資組建。那時設備性能跟不上美日對手，只能靠較低價格在母公司內部消化使用。

1990年代PAS 5500系列推出后，晶圓臺對準系統漸漸顯露價值。多點激光干涉測量把層疊誤差控制在個位納米，讓多層金屬互連精準對位。這項技術在芯片線路越來越密集時發揮關鍵作用，直接推動臺積電借助浸潤式工藝拉開與日本廠商的距離。

中國企業面對外部管制，選擇以綜合實力強的主體為核心，串聯光學、激光、材料等頂尖環節。華為同時覆蓋通信網絡、芯片設計和終端業務，它把設計端的具體參數需求快速傳遞到設備開發，避免了傳統供應鏈中的信息斷層。

這種閉環方式不同于ASML與臺積電的客戶供應商協作，也區別于尼康佳能那種光學巨頭加存儲廠的組合。

進入2025年，全球人工智能計算需求持續擴大，先進節點產能成為焦點。美國與荷蘭等國繼續強化出口限制，ASML無法向中國交付極紫外設備和高階深紫外系統。中國企業提前積累了大量成熟深紫外設備作為緩沖，同時加速本土設備迭代。

ASML在2025年實現凈銷售額327億歐元，較前一年增長15.6%，中國市場占比從2024年的41%回落至33%。

公司預計2026年這一比例會進一步降至20%左右，主要因為管制影響深紫外出貨，而人工智能相關訂單在其他地區拉動整體增長。海金克指出，這種限制反而激發中國企業把更多資源集中到自主路徑上。

深圳實驗室在2025年初完成極紫外光刻機原型組裝，參與團隊包括部分曾參與ASML項目的工程師。設備成功產生13.5納米光源，目前處于持續參數調試階段。

華為在東莞工廠平行推進激光誘導放電等離子體光源測試，這一方案減少了預脈沖環節，提高了能量轉換效率，計劃在2025年第三季度進入電路試制環節。

中芯國際沒有極紫外設備，卻把深紫外結合自對準多重圖案化技術推進到N+3節點。2025年底這一增強型制程進入量產，華為麒麟9030處理器和Ascend系列人工智能芯片已經采用。單片成本與良率同臺積電同代產品仍有差距，但足以支持5G射頻和人工智能推理芯片的大規模應用。

中芯國際在上海、北京、深圳的產線同步擴建，目標在兩年內把7納米及以下產能提升到每月十萬片晶圓級別。中國整體規劃將先進節點月產能從當前水平逐步推高至2030年的五十萬片左右。這些步驟讓出口管制下的產能壓力得到實質緩解。

華為Ascend人工智能芯片2025年出貨量實現翻番，2026年計劃繼續擴大到百萬級以上，直接服務國內云服務和終端設備。產業鏈配套如光刻膠、刻蝕機、化學機械拋光設備等環節，國產化比例穩步上升，降低了對外依賴程度。

全球半導體設備競爭因此出現兩條清晰軌道。一條繼續圍繞ASML成熟生態展開，另一條以中國本土系統為核心快速積累經驗。ASML的優勢在于遍布全球的五千多家供應商網絡和長期工藝數據庫，中國企業的特點則是資源高度集中和設計制造的垂直打通。

海金克的觀察把兩者路徑放在一起對比。ASML通過四十年現場迭代，把對準精度從簡單芯片時代的不起眼提升到亞納米級別。

中國團隊在外部壓力下縮短了從概念驗證到原型測試的周期，直接把通信與設計端的實際需求轉化為設備優化方向。這種密集投入讓行業看到，半導體設備開發不僅考驗技術積累，更考驗產業鏈協同的速度與深度。

到3月，深圳原型機仍在測試階段，尚未流片成功芯片，但光源點亮標志著整機集成取得階段性突破。

行業普遍認為，2028年實現工作芯片的目標有挑戰性，2030年左右進入穩定量產更符合技術規律。無論時間線如何，這條自主路徑已經為供應鏈韌性注入實際內容。

海金克強調，ASML的成功建立在全球合作基礎上，而中國企業的做法開辟了另一種可能。

兩者并行發展，正在重塑半導體產業的整體格局。未來誰能在原子尺度上走得更穩，取決于持續的技術打磨和資源匹配。