天津
（全球TMT2026年4月24日訊）近日，第十一屆電子設(shè)計創(chuàng)新大會（EDICON 2026）在北京召開。三安光電旗下子公司三安集成受邀出席，并發(fā)表了題為《三安射頻技術(shù)在下一代應(yīng)用中的布局》的技術(shù)報告，深入分享了其在砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）及濾波器領(lǐng)域的最新工藝進(jìn)展。
三安集成在報告中詳細(xì)展示了最新一代砷化鎵工藝HP56的性能表現(xiàn)。對比三安的前代工藝，HP56在3.5GHz頻段下保持良好線性度的同時，實現(xiàn)了更高的功率增益和更優(yōu)越的最大功率附加效率，相比前代HP12工藝，增益提升了2.6dB，效率提升了2.6%，能夠有效支持甚高頻及更大帶寬調(diào)制信號放大并顯著降低PA功耗。報告同時客觀指出，隨著功率密度的提升，芯片會面臨更明顯的熱失控風(fēng)險。對此，三安集成提出了具體的工藝優(yōu)化建議，通過調(diào)整結(jié)構(gòu)和金屬間距，可以有效降低結(jié)溫，緩解熱耦合效應(yīng)。
三安集成也同步展示了在氮化鎵工藝與濾波器產(chǎn)品上的技術(shù)布局：氮化鎵（GaN）技術(shù)新一代工藝重點針對功率密度與電流崩塌效應(yīng)進(jìn)行了優(yōu)化；公司的1109 NTN SAW濾波器系列已覆蓋n256頻段及BDS接收頻段。
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