3nm刻蝕機＋100%國產替代！中微公司半年營收破50億，臨港跑出“光速”半導體

在全球科技競爭日益激烈的今天，半導體產業已成為國家戰略的核心焦點。

中國正加速推動芯片自給自足，而上海臨港作為“中國集成電路產業發展的奇跡”，正引領這場國產化浪潮。

2019年之前，這里只有3家芯片企業，產值僅1億元；五六年后的今天，臨港已聚集超過300家集成電路企業，產值飆升至500億元，形成覆蓋裝備工藝、晶圓制造、材料封測的完整產業集群。

在這片熱土上，中微公司作為刻蝕設備龍頭，正以連續14年營收增速超35%的業績神話，詮釋著中國半導體設備的崛起之路。

從荒蕪到產業集群的蛻變。

上海臨港的轉型故事，是中國半導體產業發展的縮影。

2019年，中國政府將集成電路列為國家戰略重點，臨港憑借其區位優勢和政策支持，迅速成為國內外半導體巨頭落戶的首選。

中芯國際投資88.7億美元建設產能基地，預計2027年達產；長電科技、中微公司等頭部企業紛紛入駐，形成協同效應。這種集聚不僅降低了供應鏈成本，更促進了技術交流和人才流動。

臨港的成功并非偶然。它體現了中國在半導體領域的長期布局：通過稅收優惠、人才引進和基礎設施投入，打造具有全球競爭力的產業生態。

截至2025年，這里已成為中國最先進的芯片制造基地，支撐著國內14nm及以下先進制程16.7萬片/月的產能，以及成熟制程152.1萬片/月的龐大體系。中微公司作為臨港的標桿企業，其總部大樓矗立于此，象征著中國在高端制造領域的雄心。

高增長背后的業務邏輯。

中微公司的財務表現，堪稱半導體設備行業的典范。

2024年，公司營收同比增速達44.7%，而2025年上半年依舊保持43.9%的高增長，凸顯其增長的可持續性。凈利潤方面，2025上半年實現7.06億元，同比增長26.62%，在高基數下仍顯強勁。

刻蝕設備是中微公司的核心業務，2024年貢獻收入72.8億元。其中，ICP刻蝕設備收入25.3億元，CCP刻蝕設備收入46.5億元。ICP技術用于硅和金屬刻蝕，門檻較高，是中微公司的起家之本；CCP則專注于電介質材料，與北方華創形成差異化競爭。

值得一提的是，中微公司是少數攻克ICP技術的國內企業，這為其在7nm以下先進制程的突破奠定基礎。

新業務拓展成為增長第二曲線。2025年上半年，LPCVD和ALD導體化學沉積設備銷售額同比暴增608.2%，反映公司在新領域市場開拓順利。

截至2024年底，公司已開發六種金屬薄膜沉積產品，鎢金屬沉積設備實現1.56億元收入，手握4.76億元薄膜沉積訂單。此外，MOCVD設備全球市占率接近30%，在光學和功率器件領域站穩腳跟。

1.投資收益增厚利潤。

通過少數股東參股，中微公司投資拓荊科技、志橙半導體等企業，2025年上半年投資收益達1.68億元，較去年同期虧損的0.08億元增加約1.76億元。這種戰略投資不僅分散風險，更強化產業鏈協同。

2.訂單與合同負債預示未來增長。

截至2025年上半年，公司合同負債高達30.67億元，作為訂單先行指標，顯示下游需求旺盛。這主要受益于國內晶圓廠加速建設，以及3D NAND技術推廣對刻蝕設備的更高需求。

3.國產化浪潮與晶圓廠策略。

中微公司的高增長，離不開宏觀行業的助推。中國半導體設備國產化率整體仍低，即使自主化程度較高的刻蝕和薄膜沉積環節，國產化率尚未超過50%。這為國內企業留下廣闊空間。

晶圓廠出于供應鏈安全考慮，傾向于多元化采購。例如：中芯國際、華虹半導體等廠商在同個設備環節會引入2-3家供應商，為中微公司創造機會。

盡管與北方華創業務有重疊，但雙方競爭主戰場仍聚焦于與海外巨頭的較量。在全球半導體設備市場被應用材料、泛林科研壟斷的背景下，中微公司憑借技術突破，逐步搶奪份額。

3D NAND技術的普及，更是中微公司的專屬機遇。該技術通過堆疊層數提高存儲密度，每多一層需增加2次薄膜沉積和刻蝕過程，且對溝道通孔深寬比要求極高。這降低了對光刻設備的依賴，反而提升刻蝕設備需求。

正是中微公司的優勢領域。隨著長江存儲、長鑫存儲等企業擴大3D NAND產能，中微公司訂單有望持續增長。

研發投入，技術迭代的引擎。

中微公司的研發強度，遠超行業平均水平。

2025年上半年研發費用率接近30%，2024年為25.35%，高于科創板10%-15%的典型水平。高研發投入直接轉化為技術突破和人均產值提升。2024年，公司人均產值超500萬元，人均年化營收超400萬元，接近國際領先水平。

通過開發單雙臺設備、提高深寬比指標，中微公司產品已觸及海外高端水準。7nm以下刻蝕設備打入臺積電、SK海力士供應鏈，而北方華創客戶仍集中于國內廠商。

目前，公司正集中火力攻克3nm刻蝕設備，決心做到頂尖水平。技術優勢帶來溢價能力，公司毛利率長期維持在40%以上，與北方華創難分伯仲。

中微公司與北方華創的“雙雄爭霸”。

北方華創作為國內唯一平臺型半導體設備公司，2024年刻蝕、薄膜沉積、熱處理和濕法設備占總營收72%。其通過收購芯源微切入涂膠顯影，并進入離子注入市場，布局全面。

中微公司雖規模暫處下風，但憑借技術專精和海外突破，正逐漸具備“叫板”實力。公司在刻蝕領域優勢明顯，且通過薄膜沉積和MOCVD設備延伸業務邊界。晶圓制造三大環節，刻蝕、薄膜沉積、光刻，中微公司已布局前兩項，未來或通過合作補足光刻短板。

中微公司創始人尹志堯曾表示：“我們堅信，通過持續創新和專注，中微公司不僅能實現3nm刻蝕設備的突破，更將成為全球半導體設備領域的重要參與者。國產替代不是終點，而是起點。我們的目標是站在世界技術之巔。”這番話折射出中微公司的雄心，不以國內市場為滿足，而是直面國際競爭，用技術贏得尊重。

言西認為中微公司的成功源于三大因素：

技術深耕、產業趨勢把握和戰略前瞻。首先，公司以ICP刻蝕起家，選擇高門檻路徑，避免低端紅海競爭。這種技術專注使其在先進制程中具備不可替代性。

其次，公司精準抓住國產化窗口，借臨港產業集群效應放大優勢。最后，通過投資拓展和業務延伸，構建生態護城河。

中微公司也面臨不容忽視的挑戰。

1.技術依賴風險：半導體設備更新迭代極快，3nm之后能否持續跟上國際步伐是關鍵。

2.競爭加劇：北方華創作為平臺型公司，在資源整合上更具彈性；國際巨頭則通過專利壁壘施壓。

3.供應鏈穩定性：美國出口管制可能影響關鍵零部件采購，需加快國產替代。

對投資者而言，中微公司代表中國半導體設備的最高水平，但其高估值也隱含預期。

短期看，訂單飽滿和國產化推進支撐增長；

長期需關注3nm技術突破和新業務兌現。

建議投資者在樂觀中保持理性，重點關注季度訂單、研發進展及毛利率變化。

整裝待行的國產替代者。中微公司的故事，是中國半導體產業崛起的縮影。從臨港的荒蕪到產業集群，從技術追趕到海外突破，公司用14年高增長證明了中國在高端制造領域的潛力。

未來，隨著3D NAND普及、薄膜沉積業務放量，以及3nm技術攻克，中微公司有望在全球舞臺占據更重要位置。

中微公司它不僅是一家企業，更是一種象征，中國半導體設備，正從跟隨者變為規則制定者。

注：（聲明：文章內容和數據僅供參考，不構成投資建議。投資者據此操作，風險自擔。）

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