需求是供應三倍，三星擬將部分NAND產線轉產DRAM

面對全球人工智能（AI）基礎設施投資快速擴張所帶動的DRAM 需求激增，韓國三星電子正采取重大策略轉變，計劃將位于平澤和華城園區的部分NAND Flash閃存生產線，轉換為DRAM 生產設施，以應對市場的強勁需求。此外，三星還規劃將平澤四廠（P4）設立為專門的DRAM 生產線，并應用最新的1c制程，以期最大化公司獲利。

根據Business Korea 的報導，這項大規模的產線調整，是為了滿足當前科技大廠們對AI基礎設施競相投資所產生的巨大需求。特別是在協助中央處理器（CPUs）和圖形處理器（GPUs）快速運算方面扮演關鍵角色的DRAM。

報導引用市場消息人士透露，當前的市場趨勢顯示，對DRAM 的需求量已達到三大內存制造商，包括三星電子、SK海力士和美光科技供應能力的整整三倍。市場的迫切性甚至導致部分公司提出愿意以高價采購三星電子的高容量服務器DRAM，包括96GB 和128GB 的DDR5 產品，報價漲幅高達70%。然而，即便出價高昂，由于供不應求，這些公司仍無法確保足夠的貨源。

主要科技大廠預期DRAM 短缺將會持續下去，已經開始進行針對2027年供應量的談判。一位韓國市場人士指出，三星電子對于NAND Flash閃存市場正采取較為保守量產態度。但相較之下，通用型DRAM 的需求正顯著增加，且預計價格將持續上漲，因此該公司正著手進行提高產量的相關工作。

為了滿足這股排山倒海而來的DRAM 需求，三星電子計劃將其部分NAND 閃存生產設施轉換為DRAM 生產線。目前，三星電子在其平澤一廠（P1）、平澤三廠（P3）以及華城園區生產DRAM 和NAND Flash閃存。其中，平澤P1 和華城園區目前是以混合線的方式運營，同時生產DRAM 和NAND Flash閃存。

而三星電子的擴張計劃，則預計將在P1和華城園區實施，具體方式是縮減NAND Falsh閃存的生產設施，并擴大DRAM 的生產設施。另外除了調整現有產線外，新的專用DRAM 生產設施也在建設中。包括P4 目前正在進行工程收尾階段，預計將完工成為專門的DRAM 生產設施。它將應用10奈米等級的第六代（1c）DRAM生產技術，并計劃于2026年開始營運。這使得P4 成為一個應用最新制程、致力于最大化利潤的DRAM 專用產線。

另外，三星電子同時正在審核一項計劃，考慮在平澤二廠（P2）生產DRAM。P2 最初的規劃是作為晶圓代工的生產設施，但如今為滿足市場對DRAM，因此計劃轉換為DRAM 生產線。因此，整體來說，一旦設施投資最早在2026年上半年完成，平澤P1 和華城園區的現有混合線中DRAM 的生產比例將會大幅提高。同時，P4 等新設施將容納全新的DRAM 生產線，這將顯著提升整體DRAM 生產能力。至于，NAND Flash閃存產量減少的部分，三星則預計將通過增加中國西安工廠的產量來填補缺口。

報導強調，市場人士指出，雖然NAND Flash閃存的供應商眾多，但DRAM 基本上就是三大內存公司壟斷。增加高獲利DRAM 的產量，形成了一個利潤將會共同增長的結構。因此，三星電子的這一系列行動，不僅是對市場強烈信號的響應，更是戰略性地將資源投入到目前最具高附加值和壟斷性的內存領域，以確保在AI 時代的領先地位和高額獲利。

編輯：芯智訊-林子