北京
國家知識產權局信息顯示，拓荊創益（沈陽）半導體設備有限公司申請一項名為“一種工藝腔頂蓋及薄膜沉積設備”的專利，公開號CN121065674A，申請日期為2025年9月。
專利摘要顯示，本發明提供了一種工藝腔頂蓋及一種薄膜沉積設備。所述工藝腔頂蓋包括：頂蓋本體，包括縱向穿透其上表面及下表面的多個進氣口，其中，所述頂蓋本體的下表面設有向上凹陷的混氣腔，所述多個進氣口連接多種不同的氣源；轉盤，封閉所述混氣腔的下表面，并設有至少一個縱向穿透所述轉盤的上表面及下表面的出氣口；以及驅動機構，用于帶動所述轉盤旋轉，以調節所述出氣口到各所述進氣口的距離。
天眼查資料顯示，拓荊創益（沈陽）半導體設備有限公司，成立于2023年，位于沈陽市，是一家以從事研究和試驗發展為主的企業。企業注冊資本50000萬人民幣。通過天眼查大數據分析，拓荊創益（沈陽）半導體設備有限公司參與招投標項目18次，財產線索方面有商標信息1條，專利信息392條，此外企業還擁有行政許可15個。
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本文源自：市場資訊
作者：情報員
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