全球第三代半導體新品demo快訊

前言

作為第三代半導體的核心代表之一，在電源領域展現出巨大的優勢與價值。相較傳統硅器件，氮化鎵在效率、功率密度、高頻特性及高溫可靠性等方面具備顯著優勢，已成為AI數據中心、通信電源、新能源汽車及工業電源等高能耗領域實現高效化、綠色化升級的關鍵支撐。

在全球功率半導體加速向第三代材料演進的背景下，產業鏈上下游在技術、產品與應用層面持續發力，新方案、新架構、新應用不斷涌現。為幫助讀者快速把握行業最新動態，充電頭網梳理了近期多家廠商發布的第三代半導體demo方案與參考設計，涵蓋數據中心、電機驅動、PFC、電源適配器等多個核心應用場景，供行業參考與交流。

下文品牌排序不分先后，按品牌英文首字母順序排列。

CloudSemi云鎵半導體

云鎵半導體發布 3kW 無橋圖騰柱 GaN PFC 評估板

云鎵半導體推出的無橋圖騰柱PFC電路相比傳統boost PFC電路在效率和性能上有顯著提升。它采用了Q1/Q2作為高頻橋臂，Q3/Q4及D1/D2作為低頻橋臂，且D1/D2可以用低導通電阻的MOSFET替代以降低損耗。無橋圖騰柱PFC的優勢包括：更高的轉化效率、雙向輸出能力（適合儲能、OBC等應用）、以及通過交替工作模式提升功率管壽命。此外，GaN HEMT在硬開關模式下能有效避免Si MOSFET的Qrr損耗，因此GaN基PFC電路可以采用CCM模式，從而降低電感電流峰值，進一步提升效率。

云鎵半導體發布 2kW雙向開關GaN BDS前置升壓APFC評估板

云鎵半導體的雙向開關前置升壓APFC方案，通過基于GaN BDS的創新設計，顯著提升了功率因數校正電路的效率與性能。相比傳統的Boost型APFC，雙向開關前置升壓APFC拓撲不僅去除了整流橋的應用，減少了一個整流二極管的損耗，而且在功率器件上采用GaN BDS替代Si SJ-MOS器件，進一步降低了元器件數量和成本，提升了系統的整體效率。GaN BDS不僅具有較高的性能，還可以通過集成單片雙向開關，減少了電路面積，降低了系統成本，成為市場上的競爭優勢。

此外，該方案采用了先進的FAN6616高性能PFC控制芯片，具有較小的體積和高效能輸出。經過測試，該方案在230V/50Hz輸入條件下，成功實現了高達400V/2kW的輸出功率，并且功率因數接近0.995，諧波失真低至3%，輸出電壓紋波控制在6%以內，展現了其卓越的電能質量和可靠性。此外，設備在滿載情況下的最高溫度也不到75℃，確保了在高負載環境下的穩定運行。這些優點使得云鎵的這一APFC方案在高性能電源設計領域具有明顯的技術優勢和市場潛力。

EPC宜普

EPC推出四電平結構方案評估板EPC91107KIT

EPC面向下一代高性能服務器電源開發EPC91107KIT氮化鎵評估板，其采用多級圖騰柱PFC電路，降低開關損耗、器件應力，減少輸入電流失真，并使得電感體積從130μH降至13.8μH，減少了90%。該設計實現了高效能、低失真，并能用更小、更輕、更便宜的器件提供相同或更好的性能。

EPC91107KIT的設計完美適應OCPORV3標準，尺寸僅為92.5mm×38.5mm，內部集成了主電容、EMI濾波、浪涌保護等功能，使用氮化鎵功率板EPC2304，采用智能控制策略，響應更快，且具備自動平衡的飛電容。系統的效率超過98%，總諧波失真低于5%，功率因數接近1，表現超越了行業標準。借助氮化鎵的優勢，EPC四電平方案正在推動高性能服務器電源架構的革命。

EPC推出基于氮化鎵的ISOP LLC轉換器方案

EPC91110KIT評估板采用額定電壓150V的eGaN FET，實現400V到50V的高效隔離式DC-DC轉換，最大輸出功率達到5.5 kW，滿足新一代數據中心和AI工廠的電源需求。其獨特的ISOP LLC架構將寬電壓轉換分解為多個模塊并聯供電，優化了磁件設計并降低了電壓應力。板卡尺寸僅為80×70×27mm，模塊化設計支持未來高功率系統的擴展。

EPC91110KIT的實際測試表現優異，輸入電壓400V，輸出50V，峰值效率達98.2%，并在滿載時維持98%的效率。其高功率密度（>36 W/cm3）和1MHz的開關頻率使其成為AI電源設計的理想選擇。模塊化架構支持11 kW和高壓直流配電應用，且可擴展，符合OCP Open Rack V3標準，完美契合未來AI、高性能計算及云基礎設施的需求。

Infineon英飛凌

英飛凌推出適用于10kW以下三相B6逆變器的評估板設計——EVAL_10kW_B6_SiC400V

英飛凌推出的EVAL_10kW_B6_SiC400V是一款針對電機驅動的高效 B6 逆變器評估套件，支持高達 10 kW 的 ACIM 和 PMSM 電機。它采用了400V CooISiC MOSFET G2，能夠進行功率級別的微調，適用于研究人員和設計人員在實際環境中進行評估和定制設計。該套件包括電源板、電容器板和柵極驅動器板，方便用戶在不同設置下進行靈活調整。

此逆變器采用三相全橋配置，配備風冷散熱器，以確保高效率運行和出色的散熱性能。它支持平滑的開關波形，提升了整體能效表現，且兼容 XMC4400 驅動卡。該產品在光伏、儲能、電機驅動、物聯網（IoT）、伺服電機驅動與控制等領域具有廣泛應用，提供了一種基于 SiC 技術的虛擬設計方案，幫助用戶在這些行業中實現更高效的電力轉換。

Innoscience英諾賽科

英諾賽科發布低壓GaN200A電機系統方案

英諾賽科推出的INNDMD72V200A1低壓GaN電機驅動方案，結合了4顆并聯的InnoGaNINN100EBD018EADGaN器件和INS2040QC驅動芯片，具備高集成度和高可靠性，適用于大功率伺服系統。該方案支持FOC無感算法，具有良好的電機測試功能，能有效驗證GaN技術在低壓大電流應用中的優勢。通過優化電路和布局，INNDMD72V200A1能夠顯著提升系統的功率密度，適應嚴苛的體積與效率要求。

該方案的核心參數包括72V母線、200A最大輸出電流，適配多種應用場景，如機器人關節驅動、無人機推進系統及工業自動化設備等。測試結果顯示，在不同母線電壓與散熱條件下，系統均能保持強大的帶載能力，最大相電流可達203.7Arms。INNDMD72V200A1方案展示了GaN技術在電機驅動中的卓越性能，并為開發者提供了從器件選型到控制算法的完整解決方案。

英諾賽科攜手Allegro推出全氮化鎵AI數據中心電源方案

英諾賽科與Allegro攜手推出一款具有開創意義的4.2kWAI數據中心全氮化鎵電源參考設計——INNDAD4K2A1。該方案全面結合英諾賽科旗下650V/150V氮化鎵功率器件與AllegroAHV85110隔離式自供電柵極驅動器。該方案以97%峰值效率、130W/in3高功率密度、全氮化鎵架構向行業展示了氮化鎵在數據中心與通信服務器中的實裝能力，標志著全氮化鎵服務器時代的全面開啟。

英諾賽科這套4.2kW全氮化鎵方案可直接面向CRPS/OCP架構AI數據中心服務器、通信服務器、高功率LED驅動、電源照明系統等諸多場景應用。整體看來，氮化鎵已從適配器、小功率電源等消費級應用，全面跨入千萬級AI數據中心電源領域。

1、 功率密度提升30%，英諾賽科攜手Allegro推出全氮化鎵AI數據中心電源方案

Si-Power硅動力

硅動力推出高性能PSR GaN解決方案SP3086EAB

無錫硅動力推出一款基于700V GaN功率器件的SP3086EAB芯片是一款的合封氮化鎵芯片，特別適用于設計離線式手機、數碼相機充電器及小功率電源適配器等快速充電器和電源供應器方案。其產品特點包括精準的恒壓、恒流精度、原邊反饋控制、內建自適應峰值電流控制和廣泛的保護功能。此外，SP3086EAB還集成高壓啟動模塊，減少了外部組件的需求，待機功耗低于75mW，具備優異的EMI性能和高效率（最高可達90.3%）。適用于85~264V輸入電壓范圍。

此芯片具備高性能和高可靠性，能夠滿足現代小功率電源設計對低成本、高效率和緊湊尺寸的需求。它的高頻設計可降低變壓器體積和成本，且提供更高的功率密度，極大地提升了電源適配器的整體性能。

充電頭網總結

從本次匯總的多款demo方案可以看到，無論是高功率服務器電源、雙向PFC、四電平架構，還是低壓大電流電機驅動，GaN與SiC正不斷突破應用邊界，加速對應領域產品規模化落地。

未來，隨著AI人工智能、新能源與智能工業系統需求持續增長，第三代半導體的應用深度與廣度仍將持續擴展。充電頭網也將持續關注行業前沿動態，為讀者帶來更及時、更具價值的技術與產業觀察。

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