2026存儲(chǔ)風(fēng)口有哪些？

2026年，全球存儲(chǔ)行業(yè)正迎來(lái)前所未有的變革與機(jī)遇。巨頭戰(zhàn)略調(diào)整引發(fā)市場(chǎng)供需重構(gòu)，AI技術(shù)迭代催生新型存儲(chǔ)需求，商業(yè)航天爆發(fā)開(kāi)辟太空存儲(chǔ)賽道，三大風(fēng)口交織共振，推動(dòng)存儲(chǔ)行業(yè)進(jìn)入全新發(fā)展周期。從消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)到AI數(shù)據(jù)中心，從地球表面到外太空軌道，存儲(chǔ)技術(shù)的應(yīng)用邊界不斷拓展，成為數(shù)字經(jīng)濟(jì)與尖端科技發(fā)展的核心支撐。

01

國(guó)產(chǎn)DRAM出海：巨頭撤離下的全球突圍

目前存儲(chǔ)芯片廠商都在集中精力生產(chǎn)第三代高帶寬內(nèi)存（HBM3E），這種用于GPU和AI加速器的超高速內(nèi)存適用于AI推理和訓(xùn)練，導(dǎo)致服務(wù)器DRAM產(chǎn)能承壓，谷歌、微軟等公司也在開(kāi)拓基于推理的AI服務(wù)業(yè)務(wù)，一定程度上也催生了服務(wù)器DRAM需求。

在此背景下，全球存儲(chǔ)市場(chǎng)正經(jīng)歷深刻的格局重塑。美光甚至關(guān)停了擁有29年歷史的消費(fèi)級(jí)品牌英睿達(dá)。這一趨勢(shì)是存儲(chǔ)巨頭向高附加值領(lǐng)域轉(zhuǎn)型的必然選擇，卻意外為中國(guó)存儲(chǔ)企業(yè)打開(kāi)了全球市場(chǎng)的突破口。

同時(shí)，由AI驅(qū)動(dòng)的供需失衡直接引發(fā)了內(nèi)存的價(jià)格波動(dòng)，三星與SK海力士計(jì)劃在2026年第一季度將服務(wù)器DRAM價(jià)格較2025年第四季度提升60%-70%，PC與智能手機(jī)DRAM也將同步漲價(jià)，傳統(tǒng)DRAM合約價(jià)格環(huán)比漲幅預(yù)計(jì)達(dá)55%至60%。

這也影響了戴爾等OEM廠商及眾多第三方內(nèi)存/SSD品牌的核心組件的供應(yīng)。一旦供應(yīng)中斷，全球消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)將面臨嚴(yán)重"斷糧"危機(jī)，而三星將成為全球最大的存儲(chǔ)和NAND供應(yīng)商，市場(chǎng)集中度進(jìn)一步提升。

價(jià)格上漲與供應(yīng)短缺的雙重壓力下，全球整機(jī)廠商開(kāi)始主動(dòng)拓寬供應(yīng)鏈?；萜找褑?dòng)中國(guó)內(nèi)存供應(yīng)商的資格審查，盡管短期內(nèi)不會(huì)大規(guī)模轉(zhuǎn)向中小廠商供貨，但完成"資格認(rèn)證"標(biāo)志著中國(guó)存儲(chǔ)企業(yè)正式進(jìn)入國(guó)際主流供應(yīng)鏈的候選名單。內(nèi)存芯片的大宗商品屬性為這一轉(zhuǎn)型提供了天然優(yōu)勢(shì)——品牌和型號(hào)間可替代性較強(qiáng)，終端消費(fèi)者更關(guān)注性能穩(wěn)定性與價(jià)格合理性，而非顆粒供應(yīng)商身份。這意味著中國(guó)存儲(chǔ)企業(yè)可在三星、美光等巨頭之外，憑借高性價(jià)比產(chǎn)品獲得"補(bǔ)貨"市場(chǎng)份額，逐步鞏固全球市場(chǎng)地位。業(yè)內(nèi)預(yù)測(cè)，市場(chǎng)供需失衡局面至少持續(xù)至2028年。

中國(guó)內(nèi)存出海，是必然，也是未來(lái)常態(tài)。

02

AI推理推動(dòng)NAND需求暴漲

DRAM不夠，NAND來(lái)湊。在DRAM供應(yīng)緊張的背景下，NAND存儲(chǔ)憑借技術(shù)適配性成為AI時(shí)代的核心受益領(lǐng)域，尤其是AI推理場(chǎng)景的爆發(fā)式增長(zhǎng)，正在重構(gòu)NAND市場(chǎng)的需求格局。AI大模型的長(zhǎng)上下文處理、海量參數(shù)存儲(chǔ)等需求，推動(dòng)NAND從傳統(tǒng)存儲(chǔ)場(chǎng)景向AI核心基礎(chǔ)設(shè)施升級(jí)。

英偉達(dá)的技術(shù)創(chuàng)新成為需求增長(zhǎng)的關(guān)鍵引擎。其推出的BlueField-4 DPU可為單GPU額外提供16TB NAND上下文空間，有效解決AI運(yùn)行中的記憶丟失與HBM顯存容量不足問(wèn)題。在新一代Rubin NVL72架構(gòu)AI服務(wù)器中，4顆BlueField-4芯片統(tǒng)一管理內(nèi)存，每塊GPU配備16TB NAND專門存儲(chǔ)AI"記憶"。僅按10萬(wàn)機(jī)柜測(cè)算，這一架構(gòu)就將新增115.2EB的NAND需求，占2025年全球供給的12%，將極大拉動(dòng)NAND市場(chǎng)需求。

DeepSeek開(kāi)源的Engram技術(shù)則進(jìn)一步拓寬了NAND的應(yīng)用邊界。這種"條件記憶"機(jī)制將大模型的"死記硬背"部分從神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)計(jì)算中剝離，交由TB級(jí)靜態(tài)記憶表承擔(dān)，形成"MoE計(jì)算+Engram靜態(tài)記憶"的全新架構(gòu)。靜態(tài)記憶表極有可能采用分層存儲(chǔ)方案（DRAM+SSD冷熱分層）。DeepSeek Engram把AI大模型的存儲(chǔ)戰(zhàn)場(chǎng)，將存儲(chǔ)戰(zhàn)場(chǎng)從昂貴的HBM顯存轉(zhuǎn)移至性價(jià)比更高的DDR5+NVMe體系，開(kāi)源大幅降低AI模型部署成本的同時(shí)，進(jìn)一步拉動(dòng)NAND存儲(chǔ)需求。

03

太空存儲(chǔ)：商業(yè)航天催生的特種存儲(chǔ)藍(lán)海

商業(yè)航天的井噴式發(fā)展，正在地球之外開(kāi)辟出存儲(chǔ)行業(yè)的全新賽道。全球衛(wèi)星部署進(jìn)入爆發(fā)期：美國(guó)衛(wèi)星工業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)顯示，2010-2020年在軌衛(wèi)星數(shù)量從958顆增至3371顆，預(yù)計(jì)2030年在軌衛(wèi)星將突破10萬(wàn)顆；中國(guó)于2025年底向ITU集中申報(bào)20.3萬(wàn)顆衛(wèi)星的頻率與軌道資源，涵蓋14個(gè)衛(wèi)星星座，創(chuàng)下我國(guó)規(guī)模最大的國(guó)際頻軌申報(bào)紀(jì)錄。其中，無(wú)線電頻譜開(kāi)發(fā)利用和技術(shù)創(chuàng)新研究院申報(bào)的CTC-1與CTC-2兩個(gè)星座，各申請(qǐng)96714顆衛(wèi)星，合計(jì)193428顆，占本次申報(bào)總量的95%以上。其他申報(bào)主體包括中國(guó)星網(wǎng)、中國(guó)移動(dòng)、垣信衛(wèi)星等。

東吳證券指出，展望2026年，商業(yè)航天行業(yè)將迎來(lái)多重催化，特別是多枚可回收/大載量的商業(yè)火箭密集首飛，火箭運(yùn)力將有望迎來(lái)顯著提升，從而打通此前衛(wèi)星通信發(fā)展的堵點(diǎn)。我國(guó)低軌衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)從2025年下半年已進(jìn)入批量發(fā)射建設(shè)階段，2026年有望迎來(lái)更大批量發(fā)射，產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)一步加速。

與此同時(shí)，美國(guó)聯(lián)邦通信委員會(huì)批準(zhǔn)馬斯克旗下美國(guó)太空探索技術(shù)公司（SpaceX）的下一代衛(wèi)星星座計(jì)劃，授權(quán)SpaceX在現(xiàn)有已部署8000顆衛(wèi)星的基礎(chǔ)上，增加部署運(yùn)營(yíng)7500顆第二代星鏈衛(wèi)星，全球獲批在軌運(yùn)行的二代衛(wèi)星總數(shù)超1.5萬(wàn)顆

伴隨衛(wèi)星數(shù)量指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，商業(yè)航天井噴式發(fā)展，直接拉動(dòng)了對(duì)宇航級(jí)特種存儲(chǔ)芯片的需求。此類芯片需通過(guò)嚴(yán)苛的宇航認(rèn)證體系，方可保障在太空極端環(huán)境下的長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。

海量衛(wèi)星組網(wǎng)升空，早已突破“信號(hào)中轉(zhuǎn)站” 的傳統(tǒng)定位，進(jìn)化為集數(shù)據(jù)采集、運(yùn)算處理于一體的智能平臺(tái)。地球觀測(cè)衛(wèi)星每日產(chǎn)生大量遙感數(shù)據(jù)，通信衛(wèi)星需承載與日俱增的高通量通信流量，新一代衛(wèi)星更被賦予在軌AI處理能力。那么，太空數(shù)據(jù)該如何安全存儲(chǔ)？

太空堪稱存儲(chǔ)設(shè)備的“終極試煉場(chǎng)”。高能粒子輻射、-55℃至 125℃的寬溫劇變、微重力環(huán)境下的散熱難題，以及航天器發(fā)射與對(duì)接過(guò)程中的劇烈振動(dòng)沖擊，共同構(gòu)成了對(duì)存儲(chǔ)芯片的致命考驗(yàn)。普通消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)芯片在此環(huán)境中，極易出現(xiàn)數(shù)據(jù)錯(cuò)亂、元件失效甚至徹底報(bào)廢的問(wèn)題，唯有通過(guò)宇航級(jí)認(rèn)證的特種存儲(chǔ)芯片，才能肩負(fù)起太空數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的重任。

空間站的存儲(chǔ)設(shè)備面臨的挑戰(zhàn)更為嚴(yán)峻，不僅要耐受上述極端環(huán)境，更需滿足長(zhǎng)期在軌運(yùn)行的高可靠性要求。高能粒子可穿透設(shè)備封裝，直接損傷芯片晶體管結(jié)構(gòu)，引發(fā)數(shù)據(jù)丟失或邏輯錯(cuò)誤；極端溫差會(huì)導(dǎo)致材料熱脹冷縮、電子元件壽命銳減；微重力環(huán)境削弱散熱效率，頻繁振動(dòng)則對(duì)設(shè)備機(jī)械結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性提出嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)。多重考驗(yàn)疊加，讓普通存儲(chǔ)產(chǎn)品在空間站環(huán)境中毫無(wú)立足之地。

為攻克上述技術(shù)難關(guān)，芯片制造商需突破三大核心技術(shù)壁壘：

第一、抗輻射加固技術(shù)。通過(guò)特種材料封裝、冗余電路設(shè)計(jì)、SOI（絕緣體上硅）抗輻射工藝等多重手段，將輻射引發(fā)的錯(cuò)誤率降至航天級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。例如采用 “三模冗余” 架構(gòu)，讓三組獨(dú)立電路同步運(yùn)行，即便單組電路受損，系統(tǒng)亦可通過(guò)冗余校驗(yàn)恢復(fù)正確數(shù)據(jù)。

第二、寬溫適應(yīng)性優(yōu)化。選用耐高低溫的特種封裝材料，在芯片內(nèi)部集成溫度傳感器與動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)電路，實(shí)現(xiàn)極端溫度下的自適應(yīng)穩(wěn)定運(yùn)行。部分高端產(chǎn)品更搭載微型熱管主動(dòng)散熱系統(tǒng)，精準(zhǔn)調(diào)控芯片工作溫度。

第三、機(jī)械結(jié)構(gòu)強(qiáng)化。采用金屬加固外殼與減震支架，搭配防松脫鎖緊結(jié)構(gòu)，抵御發(fā)射與對(duì)接階段的劇烈振動(dòng)；優(yōu)化內(nèi)部元件布局，將主控芯片等核心部件置于低振動(dòng)區(qū)域，并通過(guò)灌封膠固定，杜絕微重力環(huán)境下的元件移位。

一款合格的太空級(jí)存儲(chǔ)設(shè)備，必須歷經(jīng)“全維度極限測(cè)試”的嚴(yán)苛洗禮。輻射測(cè)試：在粒子加速器中模擬太空輻射環(huán)境，持續(xù)輻照數(shù)小時(shí)乃至數(shù)天，驗(yàn)證芯片抗單粒子翻轉(zhuǎn)、單粒子鎖定的能力；溫度循環(huán)測(cè)試：在 - 55℃至 125℃區(qū)間反復(fù)切換，單次循環(huán)時(shí)長(zhǎng)數(shù)小時(shí)，模擬太空晝夜溫差劇變，考驗(yàn)材料與元件的耐受性；振動(dòng)沖擊測(cè)試：通過(guò)振動(dòng)臺(tái)復(fù)現(xiàn)航天器發(fā)射、對(duì)接時(shí)的力學(xué)環(huán)境，驗(yàn)證設(shè)備結(jié)構(gòu)穩(wěn)固性；壽命測(cè)試：開(kāi)展數(shù)月乃至數(shù)年的連續(xù)讀寫測(cè)試，確保設(shè)備在長(zhǎng)期在軌運(yùn)行中性能無(wú)衰減。

唯有通過(guò)所有測(cè)試的產(chǎn)品，才能斬獲進(jìn)入太空的“通行證”。

在眾多候選技術(shù)中，磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）憑借卓越性能脫穎而出，成為太空存儲(chǔ)領(lǐng)域的潛力新星。MRAM 對(duì)太空輻射引發(fā)的單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)具備天然免疫力，擁有近乎永久的使用壽命；同時(shí)兼具對(duì)稱讀寫速度與超低運(yùn)行功耗，相較于同密度動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM），實(shí)現(xiàn)了“速度更快、功耗更低” 的雙重突破，完美適配長(zhǎng)距離太空飛行的能源約束需求。在航天器遠(yuǎn)離太陽(yáng)、太陽(yáng)能供電受限的場(chǎng)景下，MRAM 的低功耗優(yōu)勢(shì)尤為突出，可在降低系統(tǒng)能耗的同時(shí)，承載更多在軌數(shù)據(jù)處理任務(wù)，大幅降低太空任務(wù)的失敗風(fēng)險(xiǎn)。日本發(fā)射的地球觀測(cè)衛(wèi)星 SpriteSat，便已將其磁強(qiáng)計(jì)子系統(tǒng)的存儲(chǔ)器升級(jí)為 MRAM，驗(yàn)證了該技術(shù)的太空應(yīng)用價(jià)值。

此外，存儲(chǔ)芯片巨頭美光科技也于去年推出了首款通過(guò)航天級(jí)驗(yàn)證、具備抗輻射能力的單層儲(chǔ)存單元（SLC）NAND快閃存儲(chǔ)器，成為其航天存儲(chǔ)器產(chǎn)品線的起點(diǎn)，并著手籌組航天工程實(shí)驗(yàn)室，瞄準(zhǔn)太空產(chǎn)品市場(chǎng)。美光這款航天級(jí)NAND快閃存儲(chǔ)器，單顆芯片容量達(dá)256Gb，為目前市面上密度最高的太空用NAND產(chǎn)品，通過(guò)NASA及美國(guó)軍規(guī)所要求的關(guān)鍵驗(yàn)證測(cè)試，包括耐溫老化、總電離劑量（TID）與單粒子效應(yīng)（SEE）等，證實(shí)其可在高輻射與極端環(huán)境中長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)作，符合太空任務(wù)對(duì)元件可靠性的高標(biāo)準(zhǔn)。

2026年的存儲(chǔ)行業(yè)，機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存。國(guó)產(chǎn)DRAM企業(yè)在全球供應(yīng)鏈重構(gòu)中尋求突圍，NAND存儲(chǔ)在AI推理爆發(fā)中實(shí)現(xiàn)價(jià)值躍升，太空存儲(chǔ)則在商業(yè)航天浪潮中開(kāi)辟全新賽道。這三大風(fēng)口不僅重塑著存儲(chǔ)行業(yè)的市場(chǎng)格局，更支撐著數(shù)字經(jīng)濟(jì)、人工智能、航空航天等前沿領(lǐng)域的發(fā)展。隨著技術(shù)創(chuàng)新的持續(xù)推進(jìn)與應(yīng)用場(chǎng)景的不斷拓展，存儲(chǔ)行業(yè)正迎來(lái)新一輪黃金發(fā)展期，而那些能夠精準(zhǔn)把握風(fēng)口、突破核心技術(shù)的企業(yè)，終將在全球市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)主導(dǎo)地位。