到2026年，數據中心將消耗70%的內存芯片

存儲芯片進入史上最瘋狂時期。

近半年來，全球科技媒體對內存、固態硬盤（NAND Flash）等存儲產品短缺的報道密集涌現，其態勢之猛烈、影響之深遠，遠超常規行業周期波動，有媒體甚至用“切爾諾貝利4號反應堆爆炸式的連鎖災難”來形容這場供應鏈危機。這場短缺并非偶然，核心驅動力是人工智能（AI）產業的爆炸式增長——從大模型訓練、推理到全球數據中心基建的瘋狂擴張，正以前所未有的力度吞噬著存儲產能。市場研究機構TrendForce的最新報告顯示，2026年全球生產的內存中，高達70%將被數據中心消耗，徹底重塑了全球存儲市場的供需格局。

此外，據Tom's Hardware報道，OpenAI的“星門”項目日前與三星和SK海力士簽署了每月高達90萬片DRAM晶圓的供應協議。僅這一數字，就接近全球DRAM產量的40%。云服務提供商也在以同樣激進的方式鎖定供應。報道指出，高密度NAND產品實際上已被提前數月預訂一空。美光的高帶寬內存產品在2026年前的產能幾乎已全部售罄。合同期限從過去的一季度延長至數年，巨頭們正在源頭進行直接采購。

此前，這場存儲危機的討論多局限于科技行業內部，尚未進入全球公眾與跨行業決策層的核心視野。但這一局面正在快速改變，這場由AI引發的內存短缺已突破科技領域邊界，正向汽車、消費電子、家電等與普通大眾生活緊密相關的多個行業蔓延，形成跨領域的連鎖沖擊效應。

如今幾乎所有東西都需要內存，這已是顯而易見的事實。但即使是電視、藍牙音箱、機頂盒等常見的家用電器，甚至是冰箱等“智能”家電，價格也可能變得極其昂貴。這些產品的利潤空間本來就非常微薄，而像內存這樣關鍵組件的價格一旦成倍增長，就意味著制造商愿意或不愿意承擔的成本，最終只能將這部分成本轉嫁給消費者——前提是他們有足夠的內存來生產這些設備。

盡管各行各業的零部件價格一直在波動，但這種波動通常是暫時的，足以維持價格穩定，但這次情況并非如此。黃仁勛認為，內存的價格可能會占到大多數電子產品價格的10%，甚至在智能手機等產品中占到30%。

IDC已更新其2026年預測，預計智能手機銷量將下降5%，個人電腦銷量將下降9%——這些預測可能在短短幾個月內就會進一步變化。該公司還將當前形勢稱為供應商產能向人工智能數據中心的“永久性重新分配”。TrendForce的Avril Wu對此表示贊同，她“追蹤內存行業近20年，這次的情況確實不同……這真的是有史以來最瘋狂的時期。”

存儲三巨頭，擴產加速

三星電子近日已與韓國土地住宅公社（LH）簽署土地購買協議，正式啟動龍仁國家產業園項目。三星將投資360萬億韓元，在約728萬平方米的園區內建設六座晶圓廠，計劃2026年下半年開工，2031年完工。龍仁項目最初被冠以系統半導體集群的名號，但隨著2026年AI市場的演進，該園區的戰略定位發生了實質性的偏移。諸多行業人士表示，龍仁集群將成為三星電子實現垂直AI集成（Vertical AI Integration）的核心基地。

傳統的半導體制造模式將存儲器（Memory）和邏輯芯片（Logic）的生產在地理和工藝上嚴格分離。然而在AI時代，這種分離帶來了不可忽視的數據傳輸延遲和能耗瓶頸。此前在HBM3E時代，底部的基礎裸片仍然主要由存儲廠商使用成熟工藝制造。但進入HBM4時代以及未來，為了處理龐大的I/O吞吐和集成更多的控制邏輯，基礎裸片必須采用先進的邏輯工藝（如5nm或4nm）制造。

與此同時，三星此前因半導體周期下行而暫停的P5工廠建設也已全面重啟，三星已啟動為P5訂購包括氣體、化學供應系統在內的關鍵基礎設施設備招標，目標是在2028年實現全面運營。通常情況下，設備訂單會在框架搭建完成后才下達，但此次為了加快批量生產進度，三星據稱將采取“快速通道”策略，即框架搭建、設備訂購和安裝工作同步進行。

SK海力士則選擇與臺積電結成深度聯盟。鑒于HBM4的基礎裸片需要采用先進邏輯工藝（如12nmFFC及N5/N3工藝）以集成更多控制邏輯，SK海力士并未像三星那樣試圖自己解決所有問題，而是選擇將其存儲技術與臺積電的CoWoS封裝工藝及邏輯制程進行深度耦合。SK海力士的產能擴張策略具有極強的針對性，幾乎完全服務于HBM等高附加值產品。為了應對NVIDIA對HBM4的迫切需求，SK海力士將M15X的量產時間表從原計劃的2026年6月提前至2026年2月。這座工廠被明確定義為HBM4等DRAM產品的生產基地，將專注于生產制造HBM4所需的1b納米（第五代10納米級）及未來的1c納米DRAM顆粒。初始產能規劃為每月1萬片晶圓，但計劃在2026年底前迅速擴展至多倍規模。

美光在2026財年展現出更具侵略性的擴張姿態，在業績說明會上，美光計劃將2026財年的資本支出增加至約200億美元，高于此前估計的180億美元。這一增量資金將集中用于兩點：擴充HBM封裝產能，以及加速1-gamma（1γ）工藝節點的全面鋪開。

位于博伊西總部的ID2晶圓廠項目被確立為最高優先級。美光將原計劃投入紐約的部分資源重新調配至此，目標是將ID2打造為全球唯一的“研發+量產”一體化超級中心。截至2026年1月，ID2主體建設已進入沖刺階段，預計將于2026年內啟動設備安裝，并鎖定在2027年實現有意義的DRAM產出。

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