美光、SK海力士和三星加強訂單審查防蓄意囤積，AI驅(qū)動存儲漲價效應(yīng)擴散

截至13:27，上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)下跌4.36%。成分股方面，中巨芯領(lǐng)跌8.62%，芯源微下跌7.89%，神工股份下跌7.19%，華峰測控下跌6.02%，耐科裝備下跌6.00%。科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）下跌4.16%，最新報價1.73元。

截至13:30，中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)下跌4.13%。成分股方面，矽電股份領(lǐng)跌9.65%，中巨芯下跌8.81%，珂瑪科技下跌8.34%，芯源微下跌8.21%，神工股份下跌7.45%。半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）下跌3.78%，最新報價1.86元。

流動性方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF盤中換手8.15%，成交6.67億元。半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏盤中換手4.72%，成交1.37億元。

規(guī)模方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF最新規(guī)模達84.58億元，創(chuàng)成立以來新高，居同類第一。半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏最新規(guī)模達29.80億元。

資金凈流入方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF近3天獲得連續(xù)資金凈流入，最高單日獲得3.43億元凈流入，合計“吸金”5.50億元，日均凈流入達1.83億元。半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏最新資金凈流入1550.84萬元。拉長時間看，近5個交易日內(nèi)有4日資金凈流入，合計“吸金”6588.99萬元，日均凈流入達1317.80萬元。

消息面上，美光、SK海力士和三星電子三大內(nèi)存芯片制造商已加強對客戶訂單的審查，防止蓄意囤積庫存。這三家公司要求客戶披露最終客戶和訂單量，以確保需求真實可靠，并防止超額預(yù)訂或過度囤貨，以免進一步擾亂市場。

信達證券指出，AI大模型訓(xùn)練和推理需求的快速增長是此輪存儲行業(yè)復(fù)蘇的核心動力，高性能存儲產(chǎn)品需求呈現(xiàn)爆發(fā)式增長，其中HBM作為AI服務(wù)器的核心配套器件，成為頭部廠商的業(yè)績增長支柱。與此同時，服務(wù)器DRAM、企業(yè)級SSD需求同步提升，這些高性能產(chǎn)品出貨量的增加也進一步擠占了其他存儲產(chǎn)品的產(chǎn)能，造成消費類產(chǎn)品出現(xiàn)供給收縮，存儲漲價效應(yīng)從AI擴散到其他領(lǐng)域。根據(jù)TrendForce，1Q26通用DRAM合約價格或?qū)h(huán)比上漲約55%至60%，NAND閃存價格預(yù)計將上漲33%至38%，其中消費級大容量QLC產(chǎn)品漲幅不低于40%。我們判斷在供給持續(xù)收縮趨勢下，存儲價格漲勢仍將持續(xù)。

相關(guān)ETF：公開信息顯示， 科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）及其聯(lián)接基金（A類：024417；C類：024418）跟蹤上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)，囊括科創(chuàng)板中 半導(dǎo)體設(shè)備（60%）和半導(dǎo)體材料（25%）細分領(lǐng)域的硬科技公司。 半導(dǎo)體設(shè)備和材料行業(yè)是重要的國產(chǎn)替代領(lǐng)域，具備國產(chǎn)化率較低、國產(chǎn)替代天花板較高屬性，受益于人工智能革命下的半導(dǎo)體需求，擴張、科技重組并購浪潮、光刻機技術(shù)進展。

半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）及其聯(lián)接基金（A類：020356；C類：020357），指數(shù)中半導(dǎo)體設(shè)備（63%）、半導(dǎo)體材料（24%）占比靠前，充分聚焦半導(dǎo)體上游。