Intel計劃復(fù)活內(nèi)存業(yè)務(wù)：ZAM單芯片最高512GB 功耗比HBM降低50%

快科技2月4日消息，在AI基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)熱潮帶動DRAM需求激增，全球內(nèi)存供應(yīng)鏈瓶頸持續(xù)凸顯的背景下，Intel正計劃重返闊別40年的DRAM內(nèi)存市場。

據(jù)悉，Intel將與軟銀旗下子公司Saimemory達(dá)成深度合作，聯(lián)合開發(fā)名為ZAM（Z-angle memory，Z角內(nèi)存）的下一代內(nèi)存新技術(shù)，其單芯片最高容量可達(dá)512GB，功耗較當(dāng)前主流的HBM內(nèi)存降低40%至50%，有望重塑AI時代全球內(nèi)存市場的競爭格局。

當(dāng)前，全球AI大模型訓(xùn)練、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心運算等場景，推動算力需求呈指數(shù)級攀升，高速內(nèi)存已成為AI硬件體系的核心支撐。

ZAM內(nèi)存技術(shù)的核心競爭力源于其創(chuàng)新性的架構(gòu)設(shè)計。不同于傳統(tǒng)內(nèi)存的垂直布線模式，該技術(shù)采用交錯互連拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，以對角線"Z字形"布線優(yōu)化芯片堆疊布局，搭配銅-銅混合鍵合技術(shù)實現(xiàn)層間高效融合，最終形成類似單片芯片的一體化硅塊結(jié)構(gòu)。

同時，ZAM技術(shù)采用無電容設(shè)計，通過Intel成熟的EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）技術(shù)實現(xiàn)與AI芯片的高速高效連接，既簡化了制造工藝流程，又能有效提升存儲密度、降低芯片熱阻。

相較于當(dāng)前AI領(lǐng)域主流的HBM內(nèi)存，ZAM技術(shù)的優(yōu)勢十分突出。其單芯片最高容量可達(dá)512GB，大幅超越當(dāng)前主流HBM產(chǎn)品。功耗降低40%-50%，可精準(zhǔn)解決AI數(shù)據(jù)中心能耗高企的行業(yè)痛點。而Z形互連設(shè)計更能簡化制造流程，為后續(xù)規(guī)模化量產(chǎn)奠定堅實基礎(chǔ)。

值得一提的是，這并非Intel首次涉足DRAM領(lǐng)域。早年間，Intel曾是DRAM市場的重要參與者，但受日本廠商激烈競爭沖擊，市場份額持續(xù)下滑，最終于1985年退出該賽道。

如今，AI產(chǎn)業(yè)的爆發(fā)為內(nèi)存技術(shù)帶來了全新發(fā)展機遇，Intel憑借自身在先進封裝、芯片堆疊領(lǐng)域的深厚技術(shù)積累，計劃憑借ZAM技術(shù)重獲內(nèi)存市場話語權(quán)。

不過，其最終能否成功突圍，關(guān)鍵仍在于能否說服NVIDIA等行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)采用該技術(shù)，打破現(xiàn)有市場格局。