對標HBM！軟銀聯(lián)手英特爾開發(fā)"ZAM"：要讓AI內(nèi)存更便宜、更省電

軟銀與英特爾聯(lián)手押注下一代AI內(nèi)存技術(shù)，試圖在高帶寬內(nèi)存（HBM）主導(dǎo)的市場格局中開辟新路徑。雙方合作開發(fā)的"Z-Angle Memory"（ZAM）項目聚焦降低功耗和成本，直指當前AI面臨的能耗瓶頸和供應(yīng)鏈緊張難題。

軟銀旗下子公司Saimemory周二宣布與英特爾簽署合作協(xié)議，共同推進這項面向人工智能和高性能計算的新一代內(nèi)存技術(shù)商業(yè)化。該技術(shù)旨在改進傳統(tǒng)動態(tài)隨機存取內(nèi)存（DRAM）架構(gòu)，以滿足AI應(yīng)用日益增長的性能需求。

根據(jù)軟銀發(fā)布的新聞稿，ZAM項目的原型產(chǎn)品預(yù)計在截至2028年3月31日的財年內(nèi)完成，商業(yè)化目標鎖定2029財年。

英特爾政府技術(shù)部門首席技術(shù)官、英特爾院士Joshua Fryman博士在聲明中表示，標準內(nèi)存架構(gòu)無法滿足AI需求，英特爾開發(fā)的新架構(gòu)和組裝方法在提升DRAM性能的同時降低了功耗和成本。

消息公布后，軟銀股價在東京交易中上漲5.13%。

英特爾股票上漲5%。

技術(shù)源自美國政府項目

Saimemory成立于2024年12月，將利用英特爾在內(nèi)存技術(shù)方面的專業(yè)知識，特別是英特爾作為美國能源部先進內(nèi)存技術(shù)項目參與方所開發(fā)的技術(shù)成果。

該能源部項目專注于開發(fā)先進內(nèi)存的核心技術(shù)，英特爾在其中負責(zé)改進計算機和服務(wù)器所用的新一代DRAM性能和能效。

根據(jù)日經(jīng)亞洲去年的報道，日本跨國IT設(shè)備和服務(wù)公司富士通也參與了這一項目。

AI需求引發(fā)供應(yīng)鏈緊張

此次合作的產(chǎn)業(yè)背景是AI相關(guān)應(yīng)用對內(nèi)存的需求激增，需求增速遠超供應(yīng)能力，在整個內(nèi)存供應(yīng)鏈引發(fā)短缺。

當前AI芯片大量采用HBM等高性能內(nèi)存解決方案，但這類產(chǎn)品生產(chǎn)難度高、成本昂貴，且供應(yīng)高度集中。

ZAM項目試圖通過改進傳統(tǒng)DRAM架構(gòu)來提供替代路徑，在保證性能的同時降低制造復(fù)雜度和成本，這可能為AI硬件供應(yīng)鏈提供更多選擇。

能效成為核心考量

ZAM項目對能效的強調(diào)反映了業(yè)界對AI計算巨大能耗的日益關(guān)注。Joshua Fryman表示，英特爾開發(fā)的新內(nèi)存架構(gòu)和組裝方法可在未來十年內(nèi)實現(xiàn)更廣泛的應(yīng)用，這一技術(shù)定位于在提升性能的同時大幅降低功耗。

隨著AI模型規(guī)模不斷擴大，訓(xùn)練和推理過程對內(nèi)存帶寬和容量的要求持續(xù)攀升，相應(yīng)的能源消耗也成為制約AI發(fā)展的瓶頸之一。

更節(jié)能的內(nèi)存技術(shù)若能成功商業(yè)化，將直接影響數(shù)據(jù)中心運營成本和AI應(yīng)用的經(jīng)濟可行性。