河南
快科技2月4日消息，在AI基礎設施建設熱潮帶動DRAM需求激增，全球內存供應鏈瓶頸持續凸顯的背景下，Intel正計劃重返闊別40年的DRAM內存市場。
據悉，Intel將與軟銀旗下子公司Saimemory達成深度合作，聯合開發名為ZAM（Z-angle memory，Z角內存）的下一代內存新技術，其單芯片最高容量可達512GB，功耗較當前主流的HBM內存降低40%至50%，有望重塑AI時代全球內存市場的競爭格局。
當前，全球AI大模型訓練、超大規模數據中心運算等場景，推動算力需求呈指數級攀升，高速內存已成為AI硬件體系的核心支撐。
ZAM內存技術的核心競爭力源于其創新性的架構設計。不同于傳統內存的垂直布線模式，該技術采用交錯互連拓撲結構，以對角線"Z字形"布線優化芯片堆疊布局，搭配銅-銅混合鍵合技術實現層間高效融合，最終形成類似單片芯片的一體化硅塊結構。
同時，ZAM技術采用無電容設計，通過Intel成熟的EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）技術實現與AI芯片的高速高效連接，既簡化了制造工藝流程，又能有效提升存儲密度、降低芯片熱阻。
相較于當前AI領域主流的HBM內存，ZAM技術的優勢十分突出。其單芯片最高容量可達512GB，大幅超越當前主流HBM產品。功耗降低40%-50%，可精準解決AI數據中心能耗高企的行業痛點。而Z形互連設計更能簡化制造流程，為后續規模化量產奠定堅實基礎。
值得一提的是，這并非Intel首次涉足DRAM領域。早年間，Intel曾是DRAM市場的重要參與者，但受日本廠商激烈競爭沖擊，市場份額持續下滑，最終于1985年退出該賽道。
如今，AI產業的爆發為內存技術帶來了全新發展機遇，Intel憑借自身在先進封裝、芯片堆疊領域的深厚技術積累，計劃憑借ZAM技術重獲內存市場話語權。
不過，其最終能否成功突圍，關鍵仍在于能否說服NVIDIA等行業領軍企業采用該技術，打破現有市場格局。
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