山東
IT之家 2 月 11 日消息，科技媒體 Wccftech 昨日（2 月 10 日）發(fā)布博文，報道稱在 Intel Connection Japan 2026 活動中，英特爾首次公開了“Z-Angle Memory”（ZAM）內存原型。
該項目由英特爾與軟銀子公司 Saimemory 共同推進，該公司成立于 2024 年 12 月，于 2025 年 6 月全面投入運營，主要從事存儲器及相關產品的研發(fā)、制造和銷售。
英特爾政府技術首席技術官 Joshua Fryman 與英特爾日本首席執(zhí)行官大野誠（Makoto Onho）共同出席了發(fā)布活動。
IT之家援引博文介紹，ZAM 技術的核心在于其獨特的“Z-Angle”架構。與傳統(tǒng) HBM 內存垂直鉆孔（TSV）的連接方式不同，ZAM 采用了錯位互連拓撲結構（staggered interconnect topology），在芯片堆疊內部實現(xiàn)對角線走線。英特爾指出，這種架構設計能從物理層面有效解決現(xiàn)有內存解決方案面臨的散熱瓶頸，并大幅優(yōu)化計算性能。
圖源：Wccftech
根據(jù)現(xiàn)場公布的營銷資料，ZAM 在性能指標上展現(xiàn)出對標甚至超越 HBM 的潛力。初步討論數(shù)據(jù)顯示，得益于 Z-Angle 互連技術，新內存的功耗相比現(xiàn)有方案降低了 40% 至 50%。更引人注目的是，其單芯片存儲容量最高可達 512GB，這一數(shù)據(jù)遠超當前主流內存產品的規(guī)格。
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