說(shuō)實(shí)話，沒有EUV光刻機(jī)，中芯國(guó)際，就幾乎追不上臺(tái)積電

作為中國(guó)大陸最強(qiáng)的芯片代工企業(yè)，大家都希望中芯國(guó)際能夠追上，甚至超過(guò)臺(tái)積電，成為全球芯片代工一哥，那么中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)就真正崛起，再也不擔(dān)憂禁令，不用害怕被卡脖子了。

而很多人也認(rèn)為，雖然現(xiàn)在中芯國(guó)際落后臺(tái)積電還太遠(yuǎn)，但只要努力突破，堅(jiān)定的發(fā)展，那么追上臺(tái)積電是必然的。

當(dāng)然，有這個(gè)想法，有這個(gè)信心當(dāng)然是好的，但我覺得，有一個(gè)前提，那就是EUV光刻機(jī)必須要有，不管是自研，還是找別人買都行，如果沒有EUV光刻機(jī)，中芯國(guó)際是很難追得上臺(tái)積電的。

目前芯片大規(guī)模制造，均是基于光刻方案，所以光刻機(jī)是必不可少的。

雖然有NIL方案，還有什么BEL方案，又有DSA方案，但這些都暫時(shí)無(wú)法實(shí)現(xiàn)大規(guī)模芯片制造，只有光刻才行。

光刻方案下，光刻機(jī)與芯片工藝是對(duì)應(yīng)的。

目前制造7nm以下的芯片，也就是像5nm、3nm、2nm的芯片，都必須使用到EUV，還沒有使用浸潤(rùn)式DUV光刻機(jī)，制造出5nm芯片的先例。

理論上浸潤(rùn)式DUV光刻機(jī)，能制造5nm芯片，但是這只是理論，實(shí)際上會(huì)受到良率、效率、成本等問題的影響，用浸潤(rùn)式DUV光刻機(jī)，就沒法低成本的制造商用型的大規(guī)模芯片。

所以，情況就很明顯了，如果沒有EUV，中芯國(guó)際也很難大規(guī)模的量產(chǎn)5nm及以下的芯片。

而臺(tái)積電2025年四季度的收入中，3nm工藝占到28%；5nm占比為35%；7nm的占比為14%，也就是說(shuō)5nm及以下工藝占比達(dá)到了63%，這63%的收入，都與EUV有關(guān)。

假如我們沒有EUV，就靠著浸潤(rùn)式DUV，能夠在技術(shù)上達(dá)到臺(tái)積電的水平，然后在收入上也追上來(lái)？想想也不可能吧。

所以啊，我們盼望中芯國(guó)際追上臺(tái)積電是沒問題的，覺得中芯國(guó)際會(huì)追上甚至超過(guò)臺(tái)積電也是沒有問題的，但要實(shí)現(xiàn)這個(gè)目標(biāo)的前提，還是國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)要突破。

坦白講，只要國(guó)產(chǎn)EUV突破不了，我們自己沒有EUV，就幾乎不太可能追得上，你覺得叫？