華碩聯席CEO表示內存缺貨將持續兩年，高“設備”含量的科創半導體ETF（588170）近5個交易日內有4日資金凈流入

截至2026年3月12日14點28分，科創半導體ETF（588170）下跌1.56%，半導體設備ETF華夏（562590）下跌1.91%。熱門個股方面，金宏氣體領漲10.96%，新益昌上漲2.25%，天岳先進上漲2.20%，拓荊科技領跌5.42%，富創精密下跌4.64%，華興源創下跌3.57%。

流動性方面，科創半導體ETF盤中換手6.11%，成交5.18億元；半導體設備ETF華夏盤中換手4.36%，成交1.17億元。規模方面，科創半導體ETF近1月規模增長3.81億元，實現顯著增長，新增規模領先同類；半導體設備ETF華夏近1月規模增長2576.13萬元，實現顯著增長。

資金流入方面，科創半導體ETF最新資金凈流入6033.73萬元。拉長時間看，近5個交易日內有4日資金凈流入，合計”吸金”1.86億元，日均凈流入達3716.42萬元；半導體設備ETF華夏近7天獲得連續資金凈流入，最高單日獲得1.27億元凈流入，合計“吸金”2.90億元，日均凈流入達4140.44萬元。

消息面上，華碩聯席CEO在近期線上法人說明會中指出，由于上游DRAM廠商擴產周期較長，新增產能預計最快要到2027年底才能上市，這意味著內存供應緊張的局面可能持續兩年。為了確保產品出貨穩定，華碩正與多家內存供應商商討簽署3至5年的長期采購協議，力求在較長時間內鎖定價格，控制成本波動。目前內存價格已較2024年第四季度翻倍，待現有低價庫存消化完畢后，華碩將不得不提高相關終端產品的售價。

西南證券認為，需求爆發&供給剛性，價格持續上漲，存儲迎來超級周期。1）AI大模型技術超預期迭代升級，全球Token消耗量爆發式增長，由此帶來海量的數據存儲、處理和檢索需求，存儲行業迎來超級景氣周期。2）海外三大原廠將有限產能向高利潤HBM和DDR5產品傾斜，對消費級和低端存儲芯片產能造成嚴重擠壓，供需缺口擴大。3）存儲原廠在上輪周期產能和資本開支過度后，本輪周期擴產動作均較為謹慎；且高端HBM存儲芯片存在潔凈室建設周期長，良率爬坡困難等問題，短期供給持續偏緊。在需求爆發&供給剛性的背景下，據CFM閃存市場預計，2026年存儲價格整體仍將延續上漲。

相關ETF：科創半導體ETF（588170）及其聯接基金（A類：024417；C類：024418）：跟蹤指數是科創板唯一的半導體設備主題指數，其中先進封裝含量在全市場中最高（約50%），聚焦于科技創新前沿的硬核設備公司。

半導體設備ETF華夏（562590）及其聯接基金（A類：020356；C類：020357），跟蹤中證半導體材料設備主題指數，其中半導體設備的含量在全市場指數中最高（約63%），直接受益于全球芯片漲價潮對“賣鏟人”（設備商）的確定性需求。