導讀:英特爾崛起了:全球首發1.8nm芯片,外媒:領先臺積電、三星
在當今科技飛速發展的時代,芯片技術作為科技領域的核心驅動力,一直是全球各大科技企業競相角逐的關鍵戰場。芯片制程的每一次突破,都意味著計算能力的大幅提升、能耗的顯著降低以及科技產品性能的質的飛躍。今年,芯片制造領域迎來了一個備受矚目的里程碑時刻——三家全球知名的芯片制造廠商,臺積電、三星以及英特爾,紛紛宣布將實現2nm芯片的量產。這一消息瞬間在科技界引起了軒然大波,各方目光聚焦于此,都在密切關注著這場激烈競爭的走向。
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英特爾,作為芯片行業的老牌巨頭,一直以來都在芯片技術研發上投入巨大。此次,英特爾的2nm制程被命名為Intel 18A,從命名上就可以看出其獨特之處,相當于1.8nm的制程,相較于臺積電和三星采用的N2(即2nm)制程,在數字上似乎更具優勢。這一命名背后,是英特爾對自身技術實力的自信展現。消息一經公布,全球科技界、產業界以及眾多科技愛好者們皆翹首以盼,大家都懷揣著強烈的好奇心,期待知曉在這場激烈的競爭中,哪家企業能夠率先發布相關產品,成為2nm芯片時代的引領者。
然而,競爭的道路總是充滿了變數。此前一段時間,英特爾宣稱Intel 18A不接受外部訂單。這一決策在業界引發了廣泛的猜測和討論,許多人認為英特爾或許是在技術研發上遇到了難題,或者是戰略調整,有意退出這場白熱化的競爭。就在大家都逐漸降低對英特爾的期待時,英特爾卻出人意料地發起了一次突襲。日前,英特爾正式發布了首款基于Intel 18A制程的AIPC平臺。這一消息如同重磅炸彈,瞬間打破了行業的平靜。這意味著Intel 18A將最早問世,領先于臺積電和三星,在這場2nm芯片的首發競爭中拔得頭籌。
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從技術層面深入剖析,臺積電和三星的2nm芯片采用了GAAFET晶體管技術。GAAFET技術是近年來芯片領域的一項重要突破,它通過環繞柵極結構,有效改善了晶體管的性能,提高了芯片的集成度和運行效率。然而,英特爾的18A則運用了RibbonFET全新晶體管架構與PowerVia背面供電技術。RibbonFET架構使得晶體管的結構更為復雜、立體,這種獨特的設計能夠更好地控制電流,減少漏電現象,從而進一步提升芯片的性能和能效。PowerVia背面供電技術則解決了傳統供電方式在芯片性能提升上的瓶頸,通過從芯片背面供電,降低了供電線路的電阻,提高了供電效率,為芯片的高性能運行提供了堅實的保障。從理論上來說,Intel 18A相較于臺積電和三星所采用的GAAFET技術更為先進。
英特爾在發布會上還公布了一系列關于Intel 18A的性能數據。據英特爾所述,與Intel 3相比,Intel 18A每瓦性能提升了15%。這意味著在相同的能耗下,Intel 18A能夠提供更強大的計算能力,對于追求高性能和低能耗的現代科技產品來說,這無疑是一個巨大的優勢。同時,芯片密度提高了30%,更高的芯片密度意味著可以在更小的芯片面積上集成更多的晶體管,從而實現更強大的功能和更高的性能。基于Intel 18A打造的Panther Lake CPU,更是展現出了卓越的性能表現。其CPU性能較上一代提升了50%,GPU性能同樣提升了50%,這使得Panther Lake CPU在處理復雜的計算任務和圖形渲染時更加得心應手。此外,AI算力高達180TOPS,提升幅度頗為顯著,這對于人工智能應用的發展具有重要意義,能夠為人工智能算法的運行提供更強大的支持。
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英特爾還透露了后續的生產計劃。英特爾表示,后續采用18A工藝的Panther Lake CPU將在美國亞利桑那州的晶圓廠投入大規模量產。亞利桑那州的晶圓廠擁有先進的生產設備和完善的生產工藝,具備大規模生產高質量芯片的能力。這一計劃的實施,無疑表明英特爾對Intel 18A的技術成熟度和市場前景充滿信心。從時間維度來看,這無疑表明至少在發布時間上,Intel 18A已領先于臺積電和三星,在2nm芯片的競爭中占據了先機。
不過,對于臺積電和三星而言,也并非完全沒有可放寬心之處。英特爾此前明確表示,Intel 18A僅供應內部使用,不接受外部訂單。就算是領先臺積電、三星,也不會影響他們的訂單,對此你怎么看呢?
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