CINNO Research產業資訊,近日,芬蘭圖爾庫大學的一個研究團隊,在《先進光學材料》期刊上發表了一項重要的研究成果。研究團隊創新性地運用平面鋁微腔光譜工程技術,以單一藍色熱激活延遲熒光(TADF)發光體DMAC-DPS為核心,成功研發出無需氧化銦錫(ITO)電極的單組分白光有機發光二極管(WOLED)。測試結果顯示,這款OLED器件不僅實現了3790K至5050K的色溫調節(覆蓋暖白光到冷白光范圍),頂發射結構下外量子效率(EQE)超5%,亮度突破1000 cd/m2,為白光OLED的低成本、大規模產業化提供了全新解決方案。
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傳統白光OLED困境重重,技術瓶頸待突破
白光有機發光二極管(WOLED)憑借寬色域、適配柔性基板、低功耗等優勢,在下一代照明與顯示領域潛力巨大。然而,其商業化進程卻受限于三大關鍵技術瓶頸,難以與傳統白光 LED 抗衡。
首先是電極材料與制備成本難題。傳統WOLED依賴透明電極實現光輸出,氧化銦錫(ITO)是主流選擇。但ITO存在明顯缺陷:銦元素稀缺且價格波動大,增加制造成本;其制備需高真空濺射工藝,能耗高且難以兼容柔性基板。雖有研究人員嘗試用石墨烯、金屬納米線等替代,但要么導電性不足,要么需額外修飾步驟,規模化應用難度大。
其次,發光層設計復雜且顏色穩定性差。當前實現白光發射的主流方案,需將紅、綠、藍三種發光體通過多層堆疊或單層共混集成到器件中。這種多組分設計不僅要求精確控制各發光體濃度以平衡光譜,還會因不同發光體老化速率差異,導致器件使用中出現色溫偏移、色坐標漂移。比如藍光材料壽命較短,長期使用易 “偏黃”,嚴重影響顯示與照明質量。
最后,光子利用效率與結構兼容性存在矛盾。為提升性能,研究人員常引入光子晶體、分布式布拉格反射鏡(DBR)等光子結構優化光輸出,但這些結構要么制備工藝復雜(如DBR需多輪鍍膜),要么僅兼容多組分發光層,還易導致器件效率驟降。此前該團隊曾用DBR實現單組分WOLED,外量子效率卻不足0.1%,遠無法滿足實際應用需求。
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創新設計破局,重構WOLED技術邏輯
為解決傳統WOLED的固有缺陷,研究團隊提出 “單發光體 + 鋁微腔” 的極簡設計思路,通過精準調控微腔模式與表面等離激元極化子(SPP)模式,將單一藍色發光體的發射光譜拓寬至白光范圍,核心創新點有三:
其一,精選單組分發光層材料 DMAC-DPS。該材料具有其三大明顯優勢:具備高效TADF特性,內量子效率(IQE)接近100%,三線態激子可通過反向系間竄越(RISC)轉化為單線態輻射發光,為高效白光輸出奠定基礎;光致發光(PL)光譜覆蓋420-650 nm,主峰位于488nm,550-650 nm區間有天然弱發射尾,經微腔調控可增強綠光、紅光成分,無需額外引入其他發光體;此前研究證實,基于DMAC-DPS的藍光OLED外量子效率接近20%,性能穩定,為單組分白光轉化提供可靠 “基底”。
其二,創新鋁微腔結構替代ITO。研究團隊摒棄傳統透明電極設計,采用全鋁電極構建平面微腔,器件結構(從下至上)為:基板/Al(70 nm,底電極/反射鏡)/MoO?(5nm,空穴注入層)/mCP(40nm,空穴傳輸層)/DMAC-DPS(可變厚度,發光層)/DPEPO(50 nm,電子傳輸層)/LiF(1 nm,電子注入層)/Al(15 nm,頂電極/漏光反射鏡)。70 nm厚的Al底電極反射率超90%,既作陽極傳輸空穴,又與頂鏡形成微腔,無需額外制備反射層;15 nm 厚的超薄Al頂電極,既作陰極傳輸電子,又充當“半透明反射鏡”,允許部分光透出的同時與底鏡形成光學微腔。這種設計擺脫ITO依賴,且Al材料成本低、制備工藝成熟,大幅降低產業化門檻。改變DMAC-DPS厚度,可實現微腔模式精準調控,當該厚度從55 nm增至85nm,微腔共振波長向紅光偏移,發射色溫從3790K(暖白光)調至 5050K(冷白光),無需改變材料組成,僅調整單一膜層厚度,工藝簡化。
其三,SPP與微腔協同提升性能。超薄Al頂電極與相鄰介電層(DPEPO)界面激發的表面等離激元極化子(SPP)模式,可增強發光層輻射速率,減少能量向倏逝波通道的損耗。光學模擬顯示,SPP在450 nm附近形成增強峰,微腔模式在600-650nm形成增強肩峰,二者疊加使DMAC-DPS整體輻射速率提升1.16-1.8倍;微腔模式像 “濾波器”,抑制過強藍光成分(488 nm主峰),增強綠光(520 nm)、紅光(600 nm)成分,將藍光光譜拓寬為連續白光光譜。如厚度=55nm時,器件發射暖白光,半高寬(FWHM)達90 nm,CIE坐標為 (0.42, 0.49);厚度=75 nm時,發射冷白光,FWHM擴大至190 nm,CIE坐標為 (0.38, 0.46),完全覆蓋可見光范圍。
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性能與應用前景
該單組分WOLED雖設計極簡,卻展現出優異綜合性能。優化后的暖白光器件(厚度=55 nm)外量子效率達4.7%,功率效率為6 lm/W(100 cd/m2亮度下),遠超此前單組分方案;最大亮度達1580 cd/m2,滿足室內照明、顯示器背光等場景需求;色溫在3790-5050K間連續可調,無需更換發光材料。不過,器件效率隨厚度增加而下降(冷白光器件EQE約1%),因發光層增厚導致電荷輸運不平衡,優化空穴/電子傳輸層厚度可解決,未來效率提升空間大。
穩定性方面,傳統多組分WOLED常因電壓變化出現色溫漂移,而該單組分器件驅動電壓從6V增至10V時,暖白光器件發射光譜幾乎無變化,CIE坐標偏移小于0.01;在±40°主流觀測角度范圍內,發射光譜偏移小于1%,色溫變化小于300K,暖白光器件在0°與40°時,CIE 坐標變化僅為Δx≈2.38%、Δy≈2.04%,滿足顯示器件角度色偏要求。壽命測試中,暖白光器件在200 cd/m2初始亮度下半衰期(LT50)為3分鐘,短于傳統藍光OLED(9分鐘),但主要受DMAC-DPS材料穩定性限制,更換更穩定的TADF發光體后壽命可大幅提升。
應用前景上,該器件在照明領域可降低制造成本,適合大規模生產室內照明面板、智能燈具,色溫可調特性適配不同場景;在顯示領域,頂發射結構與高角度穩定性適合顯示器背光,還可拓展至折疊屏、可穿戴設備等柔性顯示場景;在特種領域,可用于AR/VR設備微型顯示器、手術室冷光照明等。
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