漲幅超150%！三星HBM4對(duì)英偉達(dá)供應(yīng)價(jià)格看齊SK海力士！

11月27日消息，據(jù)韓國(guó)媒體dealsite報(bào)道，繼SK海力士完成了與英偉達(dá)的HBM4供應(yīng)價(jià)格談判之后，三星電子與英偉達(dá)的HBM4供應(yīng)價(jià)格談判也進(jìn)入了最后階段。雖然三星電子此前供應(yīng)的12層堆疊的HBM3E的單價(jià)相對(duì)較低，但是對(duì)于12層堆疊的HBM4的供應(yīng)價(jià)格，三星電子的目標(biāo)是與SK海力士持平，即維持在500美元中段左右，相比之前的HBM3E供應(yīng)價(jià)格提升了超過150%。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，英偉達(dá)在與SK海力士敲定明年的HBM4供貨合同僅一周后，便邀請(qǐng)三星電子參與明年HBM4供應(yīng)的價(jià)格談判。目前談判已進(jìn)入最后階段，預(yù)計(jì)年內(nèi)將做出最終決定。

一位熟悉該公司情況的官員表示：“我們目前內(nèi)部判斷，三星電子的HBM4 的主要性能，包括速度，優(yōu)于 SK 海力士的產(chǎn)品。”他還表示：“我們之前向英偉達(dá)提供的12層堆疊的HBM3E價(jià)格相對(duì)較低，但我們正在與英偉達(dá)談判，目標(biāo)是以英偉達(dá)與 SK海力士簽訂HBM4供應(yīng)合同的價(jià)格相當(dāng)。”

此前的報(bào)道顯示，SK海力士和英偉達(dá)最近達(dá)成的明年HBM4供貨價(jià)格約為500美元中段。考慮到SK海力士12層堆疊的HBM3E的定價(jià)在300美元中段，這意味著價(jià)格上漲超過50%。雖然SK海力士在臺(tái)積電生產(chǎn)的HBM4芯片總成本比上一代產(chǎn)品增加了30%，但該公司獲得了相應(yīng)的溢價(jià)，從而顯著抵消了成本負(fù)擔(dān)。

目前，三星電子的HBM3E芯片價(jià)格比SK海力士的同類產(chǎn)品低約30%。一位消息人士解釋說：“三星電子此前已為英偉達(dá)預(yù)留了HBM3E芯片，但由于認(rèn)證延遲，導(dǎo)致產(chǎn)品無(wú)法及時(shí)出貨，迫使該公司緊急將產(chǎn)品供應(yīng)給其他大型科技公司。這部分產(chǎn)品不得不以更低的價(jià)格出售，從而拉低了平均單價(jià)。” 據(jù)報(bào)道，三星電子的HBM3E芯片供應(yīng)價(jià)格在200美元左右。

顯示，三星電子要求對(duì)英偉達(dá)供應(yīng)HBM4的價(jià)格與SK海力士一致，這也意味著三星希望供應(yīng)價(jià)格也能夠提高到超過500美元，相比之前的HBM3E的200美元供應(yīng)價(jià)格提升了超過150%。

需要指出的是，三星電子正在避免導(dǎo)致其在 DRAM 領(lǐng)域失去主導(dǎo)地位的錯(cuò)誤，正在利用更先進(jìn)的1c DRAM 的 HBM4的大規(guī)模生產(chǎn)，來確保對(duì)SK海力士的基于1b DRAM的HBM4的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。而這或許也是三星電子要求對(duì)英偉達(dá)供應(yīng)HBM4的價(jià)格與SK海力士相當(dāng)?shù)牡讱狻Ａ硪环矫妫壳懊髂晔袌?chǎng)對(duì)于HBM4的需求已經(jīng)超過了市場(chǎng)供應(yīng)，畢竟目前只有SK海力士和三星電子具有HBM4量產(chǎn)供應(yīng)能力，所以三星電子自然是不愿意降低單價(jià)。

一位半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)部人士表示：“英偉達(dá)對(duì)HBM4的需求如此之高，以至于三星電子希望以高價(jià)確保供應(yīng)。目前，三星電子沒有理由降低單價(jià)。” 他補(bǔ)充道：“即使他們降價(jià)，價(jià)格差異也不會(huì)很大。” 這表明三星電子在談判桌上占據(jù)相對(duì)優(yōu)勢(shì)。

另外，為了滿足市場(chǎng)對(duì)于HBM4的需求，提升對(duì)于SK海力士的競(jìng)爭(zhēng)力，三星電子計(jì)劃在明年年底前將其HBM4的1C DRAM產(chǎn)能從目前的每月2萬(wàn)片晶圓提高到每月15萬(wàn)片晶圓。

一位三星電子公司官員解釋說：“我們計(jì)劃明年將 1c DRAM 產(chǎn)能每月增加約 8 萬(wàn)片晶圓”，并且“如果算上現(xiàn)有成熟工藝線改造為 1c DRAM的產(chǎn)能，我們明年每月將能夠分配約 15 萬(wàn)個(gè)1c DRAM晶圓用于 HBM4。”

HBM 樣品分為 WD（工作芯片）→ ES（工程樣品）→ CS（客戶樣品）三類。三星電子已于去年 9 月向英偉達(dá)交付了 ES 樣品，認(rèn)證結(jié)果將于本月公布。一旦獲得批準(zhǔn)，必須立即提交量產(chǎn)樣品。整個(gè)流程完成后，最終認(rèn)證結(jié)果將于明年初公布。

業(yè)內(nèi)人士最初預(yù)計(jì)，即便三星電子明年初通過最終認(rèn)證并立即開始量產(chǎn)，產(chǎn)品出貨也要等到明年下半年。然而，隨著近期市場(chǎng)對(duì)英偉達(dá)HBM4的需求激增，一些人預(yù)測(cè)三星電子最早可能在明年第二季度就開始供應(yīng)芯片。這將打破SK海力士在上半年壟斷英偉達(dá)HBM4供應(yīng)的格局，并將兩家公司之間的供應(yīng)差距從半年一次縮小到季度一次。

然而，要實(shí)現(xiàn)這一愿景，提早實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)必不可少。目前，三星電子1c DRAM的HBM4標(biāo)準(zhǔn)良率僅為50%。另一位半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)部人士解釋說：“最大的挑戰(zhàn)是良率，而非質(zhì)量。”他還表示：“雖然有人擔(dān)心發(fā)熱問題，但目前已得到顯著改善。包括英偉達(dá)在內(nèi)的主要客戶也更注重速度而非發(fā)熱，因此不存在重大問題。”三星電子的HBM4核心芯片采用1c DRAM，邏輯芯片則采用4nm工藝制造。雖然這種先進(jìn)工藝相比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手在速度和能效方面具有優(yōu)勢(shì)，但也可能導(dǎo)致發(fā)熱。

編輯：芯智訊-浪客劍