短期內難以逾越！美銀內部專家會：中國半導體產業發展進度調研！

根據美銀證券近期一場內部專家會議的信息，在地緣政治壓力持續存在的背景下，中國半導體產業的本土化替代正在以前所未有的速度推進。然而，報告也明確指出，在尖端制造、半導體設備等核心環節，中國依然面臨巨大的“卡脖子”壓力，產能緊張和技術差距仍是短期內難以逾越的障礙。

本次會議的分享專家、Delta Capital創始合伙人Greg Ye擁有超過20年的科技投資經驗，并曾擔任北美華人半導體協會主席。他系統性地闡述了中國半導體各細分領域的最新動態與未來展望。

上市之家通過查詢發現，Greg Ye中文名叫葉衛剛，現達泰資本創始合伙人，是私募股權投資領域的資深從業者，擁有哈佛大學工商管理碩士學位（MBA）、密蘇里州立大學會計碩士學位及上海交通大學電子工程學士學位，同時具備美國注冊會計師和注冊管理會計師資格，曾擔任永宣創投合伙人、Cadence Design Systems Inc. 業務發展高級總監、普華永道會計師事務所高級審計經理等職務。

葉衛剛曾主導了多家企業的早期或早期成長階段投資，包括 中際創旭Innolight（300308）、大全新能源（NYSE:DQ）、川儀股份（SHSE:603100）、賽晶科技Sun King Electronics（HKSE:580）、遠望谷（002161）、航宇微（300053）、星徽股份（300464）等。

AI芯片：本土替代強勁，性能差距縮小

Greg Ye指出，在地緣政治逆風下，中國本土AI芯片獲得了市場的強勁采用。以華為/海思、寒武紀以及壁仞、燧原、沐曦、摩爾線程這“四小龍”為代表的企業，在高性能AI加速器領域進展迅速。

“中美政策摩擦迫使中國的AI芯片用戶，如互聯網巨頭，轉向本土供應商，這直接推動了本土廠商的收入增長和盈利能力改善。” Ye表示，即便未來美國限制解除，本土企業仍將保有顯著增長潛力。原因包括：芯片用戶將維持多供應商策略以規避供應鏈風險；同時，本土芯片性能與國際領先產品的差距正在縮小，部分產品在特定場景下已可匹敵甚至超越英偉達的H20產品。他預測，中長期來看，中國AI芯片市場可能整合為3至5家主要供應商。

此外，Ye還看好數據中心配套芯片（如連接芯片、下一代高帶寬存儲器）以及高性能邊緣AI芯片領域的機遇。他認為，邊緣AI芯片更依賴設計和架構創新，使用現有的7納米工藝已能實現良好性能，為中國初創企業提供了舞臺。

制造與設備：尖端產能緊張，光刻差距明顯

在備受關注的芯片制造環節，Ye透露，中國晶圓廠已開始7納米節點的大規模量產，但產能處于滿載狀態，主要優先供應華為等一線客戶，整體供應遠低于實際需求。對于更先進的5納米節點，部分領先晶圓廠已開始小批量生產，但尚未實現大規模量產。

他預計，尖端芯片制造產能短缺的局面可能持續至少2至3年，關鍵瓶頸在于半導體設備，尤其是光刻機。Ye坦言，中國最大的光刻設備供應商上海微電子（SMEE）所制造的光刻設備，在技術能力上大約落后全球龍頭阿斯麥（ASML）7至8年，相當于ASML十多年前的水平。他了解到國內可能在推進極紫外（EUV）光刻原型機的研發，但即便實現突破并開始量產，也仍需數年時間。

EDA與IP：本土化加速，市場份額有望提升

在芯片設計的上游工具領域，Ye介紹，本土EDA（電子設計自動化）工具目前約占20%的市場份額。領先的本土EDA供應商在整體上仍落后于新思科技（Synopsys）和楷登電子（Cadence）約5年，但部分快速成長的初創企業已將差距縮小至2至3年。他預計，隨著本土晶圓廠向更先進制程推進，未來五年內，本土EDA供應商的市場份額有望提升至接近50%。

在IP（知識產權核）領域，格局更為分散。CPU IP仍由ARM主導，占據80%-90%的市場份額。但Ye認為，本土廠商有望在五年內占據開源RISC-V架構IP的30%市場份額。在接口IP等價值相對較低的領域，本土份額已超過30%，未來3至5年可能超過50%。

投資與退出：港股與A股仍是主渠道，借殼上市增多

談及地緣政治對投資退出的影響，Ye表示，在可預見的未來，香港IPO仍將是中國半導體行業風險投資/私募股權投資的主要退出渠道，尤其是在近期港股市場表現相對較好的背景下。他透露，其所在的Delta Capital在過去15年投資的約200個項目中，已有三分之一成功退出。

同時，Ye也觀察到A股IPO市場正在回暖，并向更多企業開放。他特別指出，借殼上市（反向收購）在A股市場逐漸增多，因中國證監會現已允許跨行業并購。“例如，傳統加油站運營商可獲批控股一家領先半導體IP開發商。” Ye認為，這為VC支持的科技企業提供了另一可行的退出路徑。至于美國上市，他判斷短期內中國深科技企業因此前擔憂不太可能重啟。

差距與機遇：設計追趕快，設備制造是短板

在評估中美技術差距時，Ye總體認為，中國在大多數深科技領域與美國的差距正在縮小，并未看到任何領域差距在擴大。中國在無需大量資本設備的領域，如高端芯片設計、EDA/IP、先進封裝等方面取得了顯著進展。

差距最大的領域主要集中在半導體設備（尤其是光刻）以及7納米及以下的先進制程工藝。在芯片設計方面，Ye指出，中國設計商仍落后英偉達2至3年，但這與兩三年前的情況相似，主要瓶頸并非設計能力本身，而是受限于本土薄弱的半導體制造能力。

未來展望：多供應商策略成主流，本土生態持續完善

對于未來若美國解除限制，中國買家是否會回歸英偉達等國際供應商的問題，Ye給出了辯證的看法。他表示，中國公司無疑會歡迎這一變化，但基于過往經驗和供應鏈安全考量，不會100%依賴美國芯片。多供應商策略將成為主流，部分客戶可能會采購少量英偉達高端芯片用于訓練，同時大規模采用性價比更具優勢的本土芯片進行推理任務。

最后，Ye強調，從早期投資者的視角看，中國半導體全價值鏈都存在大量機會。他特別關注AI相關芯片設計以及上游的瓶頸環節。隨著芯片設計活動的激增和復雜度的提升，中國本土的EDA/IP產業以及半導體材料領域，都呈現出強勁的增長前景。他估計，中國EDA市場年增速至少為20%，本土接口IP廠商年增速約30%，而資金充足的RISC-V公司收入未來五年甚至可能每年翻番。

以上基于美銀證券內部會議紀要及專家觀點整理，僅供參考，不構成投資建議。

免責聲明：本號原創文章享有著作權，未經授權禁止轉載。內容僅供學習分享，不構成投資建議，信息和數據均來源于網絡及公開信息，如有侵權，請聯系處理。