九年磨一劍：長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)如何沖破壟斷，成為國(guó)產(chǎn)DRAM領(lǐng)軍者？

【摘要】11月23日，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在IC China 2025上發(fā)布最新DDR5系列產(chǎn)品，最高速率達(dá)8000Mbps、單顆容量最高24Gb，躋身國(guó)際頂級(jí)性能梯隊(duì)。

同步亮相的LPDDR5X產(chǎn)品與之形成“雙芯共振”布局，最高速率突破10667Mbps，16Gb容量節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)跨越。

這標(biāo)志著中國(guó)存儲(chǔ)芯片技術(shù)以“領(lǐng)先者”姿態(tài)站上全球舞臺(tái)。

這一里程碑背后，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)用不到十年的時(shí)間從零起步，突破專利封鎖、補(bǔ)齊技術(shù)體系，并實(shí)現(xiàn)對(duì)國(guó)際巨頭的正面追擊，其背后的發(fā)展路徑與成功要素值得深入剖析。

以下為正文：

在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中，DRAM被視為最難突破的領(lǐng)域之一。

該賽道被韓國(guó)三星、SK海力士和美光三大巨頭壟斷，專利、工藝和資本壁壘層層疊加，中國(guó)企業(yè)始終難以進(jìn)入核心區(qū)。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)卻在不到十年的時(shí)間里，從一紙立項(xiàng)走到量產(chǎn)、再到?jīng)_刺IPO，成為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)突圍的代表。

它的崛起，是國(guó)家戰(zhàn)略需求、地方產(chǎn)業(yè)政策和企業(yè)技術(shù)攻堅(jiān)共同托舉的結(jié)果。

01

量產(chǎn)破局：打響國(guó)產(chǎn)DRAM第一槍

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的起點(diǎn)或源于一次收購失敗。

2015年，兆易創(chuàng)新收購爾必達(dá)計(jì)劃失敗。這次折戟，讓國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)界真正意識(shí)到DRAM行業(yè)的牢固壁壘。全球市場(chǎng)長(zhǎng)期由三星、SK 海力士和美光“三巨頭”壟斷，核心專利高度集中，國(guó)內(nèi)企業(yè)仍處于技術(shù)受限的被動(dòng)局面。

此時(shí)，合肥市政府拋出橄欖枝，提出“政府出資、企業(yè)出人出力”的合作模式。雙方很快達(dá)成一致：共同投資建設(shè)DRAM項(xiàng)目。

2016年，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正式成立，承擔(dān)起國(guó)產(chǎn)DRAM攻關(guān)的重任。

2018年，一期廠房建設(shè)完成，設(shè)備搬入并開始驗(yàn)證投片。

2019年9月，與國(guó)際主流DRAM產(chǎn)品同步的10納米級(jí)第一代8Gb DDR4首度亮相，一期設(shè)計(jì)產(chǎn)能每月12萬片晶圓。

同年12月，長(zhǎng)鑫成功實(shí)現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn)，并于次年（2020年）正式推向市場(chǎng)。這是中國(guó)大陸首次擁有自主可控的DRAM量產(chǎn)能力，國(guó)產(chǎn)技術(shù)攻堅(jiān)戰(zhàn)正式打響。但當(dāng)時(shí)的工藝仍落后國(guó)際兩代，追趕只是剛剛開始。

02

地方托舉：資本、生態(tài)與人才

DRAM是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中最典型的“百億起步”賽道。投入大、周期長(zhǎng)，沒有強(qiáng)大的資本托底，很難熬到見效的那一天。

長(zhǎng)鑫的快速起勢(shì)，離不開合肥在資本層面的鼎力支持。

2016年，合肥市政府瞄準(zhǔn)國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略，聯(lián)合兆易創(chuàng)新共同啟動(dòng)總投資1500億元的DRAM項(xiàng)目。其中，合肥市政府牽頭投入130億元，帶動(dòng)安徽國(guó)資體系及社會(huì)資本共同形成360億元的首期資金池，為項(xiàng)目夯實(shí)了關(guān)鍵一步。

至2020年A輪融資，“以投帶引”的國(guó)資模式效果凸顯。合肥產(chǎn)投等核心平臺(tái)持續(xù)持股，向市場(chǎng)釋放出堅(jiān)定的長(zhǎng)期支持信號(hào)，大基金二期、小米集團(tuán)等知名機(jī)構(gòu)隨即積極入局。

2024年，合肥產(chǎn)投通過合肥產(chǎn)投壹號(hào)股權(quán)投資合伙企業(yè)參與108億融資，加上關(guān)聯(lián)主體長(zhǎng)鑫集成的出資，形成國(guó)資對(duì)本輪融資的直接托底。

產(chǎn)業(yè)生態(tài)上，合肥以長(zhǎng)鑫為核心，打造本地化半導(dǎo)體集群。上游引入廣鋼氣體、上海新陽、至純科技等企業(yè)，推動(dòng)國(guó)產(chǎn)設(shè)備和材料的驗(yàn)證與替代；下游聯(lián)合兆易創(chuàng)新、聯(lián)寶科技等企業(yè)，拉動(dòng)終端需求。

人才層面，安徽省教育廳鼓勵(lì)中科大、合工大等高校與長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)等集成電路頭部企業(yè)深度融合。據(jù)悉，合肥工業(yè)大學(xué)與長(zhǎng)鑫共建的“研究生聯(lián)合培養(yǎng)基地”入選首批省級(jí)基地，合作方向涵蓋集成電路設(shè)計(jì)、工藝等關(guān)鍵領(lǐng)域，提供持續(xù)的人才供給。

“強(qiáng)資本、強(qiáng)生態(tài)、強(qiáng)人才”多維共振，讓長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在合肥順利扎根，并加速駛?cè)敫哔|(zhì)量發(fā)展的快車道。

03

全線提速：技術(shù)追趕、產(chǎn)能狂飆

自此，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)進(jìn)入高速爬坡階段，在技術(shù)、產(chǎn)能與市場(chǎng)三條主線上全面提速。

技術(shù)方面，專利+人才雙突破。

早在發(fā)展初期，長(zhǎng)鑫就與歐洲D(zhuǎn)RAM技術(shù)先驅(qū)奇夢(mèng)達(dá)合作，拿下1000多萬份技術(shù)文件及2.8TB核心數(shù)據(jù)，搭建起研發(fā)基礎(chǔ)框架。

后續(xù)又收購英飛凌、美國(guó)藍(lán)鉑世部分DRAM專利和實(shí)施許可，持續(xù)筑牢專利護(hù)城河。

此外，長(zhǎng)鑫請(qǐng)來奇夢(mèng)達(dá)兩位“老兵”：任職24年的前技術(shù)副總裁庫斯特（Karl Heinz Kuester），以及曾主導(dǎo)奇夢(mèng)達(dá)西安研發(fā)中心的濮必得（Peter Poechmueller），組成顧問團(tuán)為技術(shù)迭代保駕護(hù)航。

在此基礎(chǔ)上，長(zhǎng)鑫深挖DUV設(shè)備潛力，通過制程優(yōu)化、材料迭代不斷縮小差距：從19nm到17nm，再到2024年量產(chǎn)16nm DDR5；2025年更在IC China發(fā)布新一代產(chǎn)品，DDR5最高速率達(dá)8000Mbps，LPDDR5X達(dá)10667Mbps，正式躋身全球 DRAM一線陣營(yíng)。

產(chǎn)能方面，自2016年合肥DRAM基地一期項(xiàng)目啟動(dòng)后，2020-2021年，北京DRAM一期、二期項(xiàng)目先后啟動(dòng)，逐步擴(kuò)大廠房建設(shè)。

2022年1月，北京一期試產(chǎn)線通線；同年6月，合肥二期廠房封頂。

2024年底，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)月產(chǎn)能23萬片晶圓，2025年底升至28萬片，2026年劍指30萬片，逐步縮小與三星、SK海力士的差距。

依托國(guó)內(nèi)土地、能源、人力成本優(yōu)勢(shì)，長(zhǎng)鑫擴(kuò)產(chǎn)成本比韓國(guó)廠商低約40%，產(chǎn)品價(jià)格也低10%-15%，在消費(fèi)電子、物聯(lián)網(wǎng)等價(jià)格敏感領(lǐng)域站穩(wěn)腳跟，抵御外商產(chǎn)能壟斷的沖擊。

市場(chǎng)端，技術(shù)與產(chǎn)能的突破，疊加今年存儲(chǔ)行情回暖，讓長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)快速打開局面。

當(dāng)前，北美AI服務(wù)器需求暴增，存儲(chǔ)芯片供需缺口拉大，DRAM市場(chǎng)進(jìn)入上行周期。集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2025年三季度傳統(tǒng) DRAM 價(jià)格環(huán)比漲10%-15%，含 HBM 則漲15%-20%，四季度預(yù)計(jì)再漲8%-13%（含 HBM 13%-18%）。

摩根士丹利指出，DDR5 現(xiàn)貨價(jià)格在過去兩個(gè)月內(nèi)飆升超 260%，熱度可見一斑。

這波行情為長(zhǎng)鑫帶來雙重機(jī)遇：一方面，其16nm DDR5、高速率 DDR5/LPDDR5X 產(chǎn)品，契合服務(wù)器、高端手機(jī)的性能需求，具有廣闊市場(chǎng)需求；另一方面，價(jià)格上漲周期中，長(zhǎng)鑫的技術(shù)優(yōu)勢(shì)能進(jìn)一步放大盈利空間。

目前，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的產(chǎn)品已通過多家主流存儲(chǔ)模組商和方案設(shè)計(jì)公司，間接導(dǎo)入至小米、OPPO、vivo、傳音等主流手機(jī)品牌的供應(yīng)鏈中，物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域合作落地，服務(wù)器領(lǐng)域也即將突破。Counterpoint預(yù)測(cè)，2025年底長(zhǎng)鑫DDR5市占率或升至7%，LPDDR5X 接近 10%，全球話語權(quán)持續(xù)提升。

但是，DRAM的周期性風(fēng)險(xiǎn)仍需警惕。存儲(chǔ)產(chǎn)品像大宗商品一樣，對(duì)供需敏感、價(jià)格波動(dòng)大；且擴(kuò)產(chǎn)周期長(zhǎng)達(dá) 2-3 年，產(chǎn)能與需求易錯(cuò)配。

一旦未來 AI 服務(wù)器需求放緩、行業(yè)產(chǎn)能過剩，長(zhǎng)鑫可能面臨庫存積壓、價(jià)格下跌、現(xiàn)金流承壓的多重壓力。

如何在周期波動(dòng)中平衡擴(kuò)張與風(fēng)控，仍是其長(zhǎng)期發(fā)展的核心課題。

04

尾聲

2025年7月，長(zhǎng)鑫啟動(dòng)A股IPO輔導(dǎo)，僅用三個(gè)月完成驗(yàn)收，上市進(jìn)程明顯加速。市場(chǎng)普遍預(yù)期其估值約1400億元，募資規(guī)模接近300億元，主要用于推進(jìn)15nm工藝與3D DRAM研發(fā)。

上市對(duì)長(zhǎng)鑫而言，是從“追趕”邁向“加速”的關(guān)鍵跳板。它將帶來更充裕的資本、更完善的治理機(jī)制，也將推動(dòng)公司在HBM、先進(jìn)封裝、國(guó)產(chǎn)設(shè)備適配等領(lǐng)域展開新一輪投入。

總體來看，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已經(jīng)走在國(guó)產(chǎn)DRAM突圍的最前線。從破局起步到產(chǎn)業(yè)生態(tài)托舉，再到技術(shù)與產(chǎn)能的加速成長(zhǎng)，它已經(jīng)證明國(guó)產(chǎn)DRAM“能做、能量產(chǎn)、能追近”。下一步，則是向‘并跑’乃至‘領(lǐng)跑’的目標(biāo)發(fā)起沖擊。

而隨著上市臨近，一個(gè)更市場(chǎng)化、規(guī)模化、體系化的長(zhǎng)鑫，也正在路上。