上海
國芯網[原:中國半導體論壇] 振興國產半導體產業！
不拘中國、放眼世界！關注世界半導體論壇↓↓↓
12月26日消息，據韓媒報道，三星將在 2026 年 2 月開始大規模量產 HBM4 芯片，其競爭對手 SK 海力士也會在大致相同的時間開始量產，成為全球內存半導體行業首例。
業內人士透露，SK 海力士將從明年 2 月起，在韓國京畿道利川 M16 工廠、清州 M15X 工廠全面啟動生產。而三星也將于同一時間在平澤園區啟動 HBM4 量產工作。
據報道，HBM4 不只是一次單純的性能升級，而是轉向客制化產品的重要分水嶺。其中 SK 海力士選擇與臺積電合作，在 HBM4 的基底 Die 上采用 12nm 制程工藝，讓帶寬相比上代型號提升 2 倍，能效比提升 40% 以上。
而三星則憑借 Turnkey方案、領先制程技術正面迎戰，這家廠商選擇果斷導入 10nm 先進制程，在內部技術評估中實現 11.7Gbps 的行業領先性能，因此有足夠的自信將量產時間提前至 2 月。
同時，三星生產出的 HBM4 芯片大部分都將供應給英偉達的下一代 AI 加速器系統“Vera Rubin”，計劃 2026 年下旬發布，部分 HBM4 芯片還將供應給谷歌，用于生產第七代 TPU（張量處理單元）。
此前曾有傳聞稱，三星和 SK 海力士未來一年的 HBM 產能已全部售罄，各大 AI 巨頭正爭相采購盡可能多的芯片，亞馬遜、谷歌、微軟、OpenAI 等企業可能遭遇瓶頸。
半導體論壇百萬微信群
第一步：掃描下方二維碼，關注國芯網微信公眾號。
文章內容整理自網絡，如有侵權請聯系溝通
特別聲明：以上內容(如有圖片或視頻亦包括在內)為自媒體平臺“網易號”用戶上傳并發布，本平臺僅提供信息存儲服務。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
