重塑高壓電源的未來，看那些廠商推出千伏耐壓氮化鎵

前言

充電頭網繼續基于GaNFET.com統計數據分析，發現能華、量芯微以及PI已經推出多款千伏應用氮化鎵，進一步延展氮化鎵的高壓段應用。

對于千伏耐壓氮化鎵而言，是把GaN原本在消費級應用的高頻、低損耗、小封裝、高功率密度的優勢，往高壓段延伸，用來和超結MOS、IGBT、SiC競爭。它在高壓下仍具備極低開關損耗、無體二極管反向恢復、高頻工作能力，能顯著提升系統效率、減小磁性與濾波器件體積，讓 3kW～幾十 kW 級電源在相同體積下做到更大功率或在同功率下降得更小、更輕，同時也更利于實現高壓母線直掛、減少級聯級數。

千伏耐壓氮化鎵

充電頭網基于GaNFET.com統計數據篩選出六款千伏耐壓氮化鎵器件，耐壓覆蓋1200~1700V，封裝類型提供TO、DFN以及InSOP-T28G。有關器件的詳細信息我們將在下文為您詳細介紹。

CorEnergy能華

能華CE12H080TOCI

能華CE12H080TOCI一款1200V氮化鎵功率器件，該器件的導阻為80mΩ，柵極電荷為10.7nC，采用TO247封裝，能夠通過高開關速度和低導通損耗提高效率，該器件還具有易于驅動、兼容硅MOS柵極驅動器的特點，并能通過更高的功率密度減少系統體積和重量。

應用方面，CE12H080TOCI 廣泛應用于新能源、工業和汽車領域，該器件還為需要緊湊和高效形態的系統提供支持，同時符合RoHS環保標準。

能華CE12H180TOAI

能華CE12H180TOAI一款1200V氮化鎵功率器件，該器件的導阻為180mΩ，柵極電荷為10.7nC，采用TO220封裝，能夠通過高開關速度和低導通損耗提高效率，該器件還具有易于驅動、兼容硅MOS柵極驅動器的特點，并能通過更高的功率密度減少系統體積和重量。

應用方面，CE12H080TOAI廣泛應用于新能源、工業和汽車領域，該器件還為需要緊湊和高效形態的系統提供支持，同時符合RoHS環保標準。

GaNPower量芯微

GaNPower量芯微GPIHV30DFN

GPIHV30DFN是一顆1200V耐壓的增強型氮化鎵器件，采用DFN8x8封裝，導阻僅65mΩ，具有優異的開關性能，適用于高頻和高效的應用。

該器件適用于開關電源、電動汽車OBC和DC-DC轉換器、服務器和電信電源應用、UPS、逆變器及光伏系統等，非常適合需要高效能和緊湊設計的產品。

GaNPower量芯微GPIHV30SB5L

GPIHV30SB5L是一顆1200V耐壓的增強型氮化鎵器件，采用TO263-5L封裝，導阻僅65mΩ，具有優異的開關性能，適用于高頻和高效的應用。

該器件適用于開關電源、電動汽車OBC和DC-DC轉換器、服務器和電信電源應用、UPS、逆變器及光伏系統等，非常適合需要高效能和緊湊設計的產品。

GaNPower量芯微GPIXU30SB5L

GPIXU30SB5L是一顆1200V耐壓的增強型氮化鎵器件，采用TO263-5L封裝，導阻僅70mΩ，具有優異的開關性能，適用于高頻和高效的應用。

該器件適用于開關電源、電動汽車OBC和DC-DC轉換器、服務器和電信電源應用、UPS、逆變器及光伏系統等，非常適合需要高效能和緊湊設計的產品。

PI帕沃英蒂格盛

PI IMX2353F

IMX2353F屬于InnoMux2-EP系列芯片，耐壓1700V，采用InSOP-T28G封裝，支持先進的零電壓開關拓撲結構，專為高效能應用設計，并支持外部功率因數校正，提高整體系統效率，降低損耗與諧波。此外，集成的EcoSmart技術可在輕載或待機狀態下優化能耗，進一步提升能源效率。該芯片還具備過壓保護功能，有效防止電壓尖峰損壞電路，減少對外部元件的依賴，應用范圍廣泛，尤其適用于高壓保護需求的場景。另外，該器件可在200~1000V直流場景下運行，適配800VDC平臺應用。

InnoMux2-EP系列符合國際安全與環保標準，獲得RoHS認證，確保不含有害物質，符合環保要求。同時，產品已通過CE認證，符合歐洲及全球市場的電磁兼容性和安全標準。芯片適合高功率轉換系統，滿足各種市場需求。

充電頭網總結

千伏耐壓氮化鎵器件逐漸成為高壓應用領域的重要競爭者，尤其在新能源、工業及汽車等領域展現出廣泛應用前景。基于低開關損耗、高效率以及體積小巧的優勢，氮化鎵器件在于MOS、IGBT和SiC等傳統高壓器件的競爭中，逐步實現差異化競爭。未來，隨著更多高壓氮化鎵產品的推出，預計將進一步推動高功率密度系統的小型化和高效化，滿足AI服務器電源、新能源汽車、儲能等對效率有極致需求的場景需求。