1月5日,A股存儲芯片板塊拉升,多成分股漲停。其中,云漢芯城(301563.SZ)、恒爍股份(688416.SH)、普冉股份(688766.SH)、西側測試(301306,SZ)20CM漲停,雷科防務(002413.SZ)、柏誠股份(601133.SZ)、兆易創新(603986.SH)、東方中科(002819.SZ)、立昂微(605358.SH)10CM漲停。
消息面上,近日,三星聯席首席執行官盧泰文表示,內存芯片短缺“前所未有”且“極其嚴重”,并警告這將對智能手機等終端產品的價格產生“不可避免”的影響。
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需求端爆發引供需失衡
作為全球存儲芯片行業的龍頭企業,三星的表態無疑為當前的市場短缺狀況提供了權威佐證。盧泰文在接受采訪時強調,此次內存芯片短缺的影響范圍極為廣泛,不僅覆蓋智能手機領域,還波及電視、家用電器等各類消費電子產品,“沒有哪家公司能免受影響。”。
盡管其未明確給出產品漲價的具體時間表,但也未排除提價可能,僅表示三星正與合作伙伴制定長期策略以盡量降低影響。
這一表態并非空穴來風,此前行業已有諸多信號顯現:2025年四季度以來,DRAM、NAND閃存等核心存儲產品價格持續飆升,其中DDR4 16Gb產品漲幅高達1800%,512Gb NAND閃存漲幅也達到300%,消費級內存條價格更是出現短期內翻倍的極端行情。
深入探究此次內存芯片短缺的根源,不難發現其并非傳統行業周期的簡單重復,而是AI產業爆發驅動下的結構性供需失衡。隨著Google、Meta、微軟、亞馬遜等北美四大云廠持續擴大AI基礎設施投資,2026年總投資金額有望達到6000億美元的歷史新高,AI訓練與推理對存儲芯片的需求呈爆發式增長。數據顯示,一臺AI服務器對DRAM和NAND的需求量分別是普通服務器的8倍和3倍,僅OpenAI等巨頭的大模型項目就消耗著全球近40%的DRAM晶圓產能。
更為關鍵的是,AI所需的高帶寬內存(HBM)等高端產品制造難度更大,生產1GB HBM消耗的晶圓產能相當于4GB標準DRAM,進一步加劇了產能緊張。
價格漲勢或將延續至2028年初
三星預警的終端產品價格上漲壓力,已逐步傳導至產業鏈各環節。
對于智能手機行業而言,內存成本占中端機型BOM成本的15%—20%,高端旗艦機型約為10%—15%,內存價格飆升將直接擠壓廠商利潤空間。IDC預測,2026年全球智能手機市場可能呈現“規模收縮+均價上漲”的格局,中度下行場景下,市場規模同比下降2.9%,平均售價上漲3%—5%;悲觀場景下,市場規模下降5.2%,均價上漲6%—8%,低端機型受沖擊更為顯著。
電腦市場的壓力則更為突出,聯想、戴爾等主流廠商已發出預警,2026年行業將普遍提價15%—20%,同時AI PC推廣也因內存短缺受阻——這類設備最低需16GB內存,而當前內存供應緊張且成本高企,可能導致廠商被迫降低配置或抬高售價。
值得注意的是,此次存儲行業的景氣周期有望持續較長時間。機構普遍預測,行業高景氣度將至少延續至2027年,真正具備實質意義的新增供給最早要到2028年初才會出現。
一方面,需求端的增長動力強勁,除AI服務器外,汽車電子、工業控制等領域需求同步復蘇,L3+自動駕駛對存儲的需求是傳統車型的10倍以上,進一步加劇供需緊張;另一方面,供給端擴張存在剛性約束,全球存儲巨頭的新增產能建設周期較長,且短期均聚焦高端產品,傳統存儲產能難以快速補充。
在此背景下,存儲芯片價格上漲趨勢明確,2026年一季度存儲合約價格預計繼續攀升,漲幅將達到30%—40%,DDR5 RDIMM內存價格漲幅可能超過40%。
上市企業或迎高盈利
基于存儲芯片價格的明確漲勢,愛建證券等機構明確指出,受益于AI服務器高景氣與智能手機存儲參數升級周期,存儲行業將開啟新一輪發展周期,國產存儲產業鏈迎來重要機遇期。
機構調研數據顯示,近三個月已有40只存儲芯片概念股獲得機構關注,江波龍、東芯股份等企業成為調研焦點,反映出市場對存儲板塊投資價值的高度認可。
對上市企業而言,受益于高端產品的量價齊升,盈利確定性極高,尤其是如美光科技、SK海力士等核心龍頭企業。
其中,SK海力士以HBM +高端DRAM雙線產品結構鎖定高溢價,以先進工藝與產能優化降本提效,以客戶綁定與價格策略放大漲價紅利,以NAND與成本管控夯實利潤底座,形成“高價值+低成本+強定價+穩運營”的四維盈利提升體系。
此外,包括兆易創新、江波龍等存儲芯片及模組龍頭,瀾起科技等內存接口芯片企業,以及北方華創、中芯國際等產業鏈設備與制造企業,將充分享受行業周期與國產替代的雙重紅利。
其中,江波龍以高毛利產品結構+自研主控提溢價、TCM/PTM模式+低成本庫存釋放漲價紅利、供應鏈綁定+產能精準分配降本保供、費用與庫存動態管控夯實利潤,形成“產品升級+模式創新+供應鏈優化+運營提效”的四維盈利提升體系。
在產業鏈細分環節,如中微公司、拓荊科技等設備材料企業,長電科技、通富微電等封測企業,將受益于行業擴產與高端產品需求提升。
其中,中微公司是國內領先的半導體高端設備廠商,核心產品為等離子體刻蝕設備與MOCVD設備,技術覆蓋5nm及更先進制程,刻蝕設備市占率持續提升,MOCVD設備在氮化鎵基LED領域全球領先,同時布局LPCVD/ALD等薄膜設備,2024年營收90.65億元、同比增44.73%,正邁向全球半導體設備第一梯隊。
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