(記者 陳錦鋒)上海市重大工程項目——數字光源芯片先進封測基地在中國(上海)自由貿易試驗區臨港新片區日前正式動工。這個由晶合光電與上海大學微電子學院聯合攻關的項目,聚焦突破國際領先的Micro-LED光顯一體車用光源芯片研發制造瓶頸。通過攻克CMOS數模驅動、異質集成、高精度鍵合等核心技術,該項目將構建從芯片到模組的一體化量產能力,成為國產芯片產業邁向自主創新新周期的標志性事件。在政策、資本與市場的三重驅動下,中國芯片產業正以“強芯”戰略為引領,在突破技術封鎖、完善產業鏈生態、培育創新動能等方面實現系統性突破,開啟國產芯自主創新的新紀元。
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(圖片來源:攝圖網)
中國芯初具規模,產業鏈生態初步成型
經過多年政策扶持與產業培育,國產芯片已形成覆蓋設計、制造、封裝測試及材料設備的完整產業鏈生態。在核心領域,華為麒麟9020芯片實現7納米以下工藝突破,昇騰系列AI芯片算力性能達到國際先進水平;長鑫存儲、長江存儲在DRAM和NAND Flash領域實現規模化量產,打破海外巨頭壟斷;中芯國際市值突破萬億元大關,彰顯中國晶圓制造硬實力。
區域協同效應方面,長三角、珠三角等產業集聚區形成特色鮮明的創新集群。上海張江、深圳南山、北京亦莊等地匯聚了從設計公司到制造工廠的全鏈條資源,培育出寒武紀、兆易創新、韋爾股份等一批行業龍頭。資本市場上,國產GPU企業掀起上市熱潮,景嘉微、芯原股份等企業通過融資擴大研發規模,形成“研發-量產-迭代”的良性循環。據相關數據顯示,2025年中國芯片設計公司達到3901家;產業銷售額預計將達到8357.3億元人民幣,同比增幅高達29.4%。
國產芯片仍面臨多重瓶頸制約
盡管成績斐然,但國產芯片發展仍面臨“卡脖子”技術、外部環境與內部結構性矛盾三大挑戰。在核心技術層面,7納米及以下先進制程仍受制于光刻機、蝕刻機等關鍵設備進口限制,EDA工具、高端光刻膠等上游環節國產化率不足20%。美國持續升級的出口管制措施,進一步壓縮高端芯片研發空間,部分企業被迫調整技術路線。
產業內部結構性矛盾同樣突出。部分領域存在同質化競爭現象,如功率半導體、MCU芯片產能出現結構性過剩;中小企業面臨融資難、研發投入不足等問題,2025年芯片設計企業平均研發投入強度僅為15%,低于國際頭部企業25%的水平。知識產權布局薄弱制約全球市場拓展,國產芯片企業在海外專利訴訟中敗訴率高達60%。全產業鏈協同創新能力有待提升,設計-制造-封裝環節銜接效率較低,制約先進封裝、存算一體等前沿技術規模化應用。
政策與市場雙輪驅動,產業邁入自主創新新階段
邁入2026年,國產芯片產業迎來自主創新新階段。技術突破方面,5納米及以下先進工藝、3D DRAM堆疊技術有望實現自主路線突破,先進封裝與存算一體技術進入規模化應用階段。中芯國際已實現5納米FinFET工藝風險量產,長江存儲的Xtacking 3.0技術將NAND閃存堆疊層數提升至232層,達到國際領先水平。
產業生態優化方面,頭部企業通過并購整合提升集中度,構建自主可控的產業鏈體系。例如,聞泰科技收購安世半導體后,形成從芯片設計到功率模塊封測的垂直整合能力。政策層面將持續強化關鍵核心技術攻關支持,通過“揭榜掛帥”機制引導資本向高確定性賽道集聚。企業加速“出海”拓展海外市場,中芯國際在德國建立12英寸晶圓廠,長江存儲與西部數據成立合資公司開拓歐美市場,進口替代在高端芯片、設備材料等領域達成階段性成果。
站在新的歷史節點,國產芯片產業正以“強芯”戰略為指引,在突破技術封鎖中鍛造硬核實力,在完善產業鏈生態中夯實發展根基,在培育創新動能中開辟新賽道。隨著數字光源芯片先進封測基地等重大項目落地,中國芯將開啟以自主創新為特征、以高質量發展為目標的新周期,為半導體產業格局重塑注入強勁動能。
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