2026前瞻 | 強“芯”項目再落子　國產芯開啟創新發展新周期

（記者　陳錦鋒）上海市重大工程項目——數字光源芯片先進封測基地在中國（上海）自由貿易試驗區臨港新片區日前正式動工。這個由晶合光電與上海大學微電子學院聯合攻關的項目，聚焦突破國際領先的Micro-LED光顯一體車用光源芯片研發制造瓶頸。通過攻克CMOS數模驅動、異質集成、高精度鍵合等核心技術，該項目將構建從芯片到模組的一體化量產能力，成為國產芯片產業邁向自主創新新周期的標志性事件。在政策、資本與市場的三重驅動下，中國芯片產業正以“強芯”戰略為引領，在突破技術封鎖、完善產業鏈生態、培育創新動能等方面實現系統性突破，開啟國產芯自主創新的新紀元。

（圖片來源：攝圖網）

中國芯初具規模，產業鏈生態初步成型

經過多年政策扶持與產業培育，國產芯片已形成覆蓋設計、制造、封裝測試及材料設備的完整產業鏈生態。在核心領域，華為麒麟9020芯片實現7納米以下工藝突破，昇騰系列AI芯片算力性能達到國際先進水平；長鑫存儲、長江存儲在DRAM和NAND Flash領域實現規模化量產，打破海外巨頭壟斷；中芯國際市值突破萬億元大關，彰顯中國晶圓制造硬實力。

區域協同效應方面，長三角、珠三角等產業集聚區形成特色鮮明的創新集群。上海張江、深圳南山、北京亦莊等地匯聚了從設計公司到制造工廠的全鏈條資源，培育出寒武紀、兆易創新、韋爾股份等一批行業龍頭。資本市場上，國產GPU企業掀起上市熱潮，景嘉微、芯原股份等企業通過融資擴大研發規模，形成“研發-量產-迭代”的良性循環。據相關數據顯示，2025年中國芯片設計公司達到3901家；產業銷售額預計將達到8357.3億元人民幣，同比增幅高達29.4%。

國產芯片仍面臨多重瓶頸制約

盡管成績斐然，但國產芯片發展仍面臨“卡脖子”技術、外部環境與內部結構性矛盾三大挑戰。在核心技術層面，7納米及以下先進制程仍受制于光刻機、蝕刻機等關鍵設備進口限制，EDA工具、高端光刻膠等上游環節國產化率不足20%。美國持續升級的出口管制措施，進一步壓縮高端芯片研發空間，部分企業被迫調整技術路線。

產業內部結構性矛盾同樣突出。部分領域存在同質化競爭現象，如功率半導體、MCU芯片產能出現結構性過剩；中小企業面臨融資難、研發投入不足等問題，2025年芯片設計企業平均研發投入強度僅為15%，低于國際頭部企業25%的水平。知識產權布局薄弱制約全球市場拓展，國產芯片企業在海外專利訴訟中敗訴率高達60%。全產業鏈協同創新能力有待提升，設計-制造-封裝環節銜接效率較低，制約先進封裝、存算一體等前沿技術規模化應用。

政策與市場雙輪驅動，產業邁入自主創新新階段

邁入2026年，國產芯片產業迎來自主創新新階段。技術突破方面，5納米及以下先進工藝、3D DRAM堆疊技術有望實現自主路線突破，先進封裝與存算一體技術進入規模化應用階段。中芯國際已實現5納米FinFET工藝風險量產，長江存儲的Xtacking 3.0技術將NAND閃存堆疊層數提升至232層，達到國際領先水平。

產業生態優化方面，頭部企業通過并購整合提升集中度，構建自主可控的產業鏈體系。例如，聞泰科技收購安世半導體后，形成從芯片設計到功率模塊封測的垂直整合能力。政策層面將持續強化關鍵核心技術攻關支持，通過“揭榜掛帥”機制引導資本向高確定性賽道集聚。企業加速“出海”拓展海外市場，中芯國際在德國建立12英寸晶圓廠，長江存儲與西部數據成立合資公司開拓歐美市場，進口替代在高端芯片、設備材料等領域達成階段性成果。

站在新的歷史節點，國產芯片產業正以“強芯”戰略為指引，在突破技術封鎖中鍛造硬核實力，在完善產業鏈生態中夯實發展根基，在培育創新動能中開辟新賽道。隨著數字光源芯片先進封測基地等重大項目落地，中國芯將開啟以自主創新為特征、以高質量發展為目標的新周期，為半導體產業格局重塑注入強勁動能。