山東
IT之家 1 月 16 日消息，據 TrendForce 今天報道，在 AI 熱潮的當下，各大存儲廠商目前對 NAND 閃存產能擴張方面表現謹慎，并逐步淘汰 MLC 等舊產品。其中 SK 海力士就在去年 12 月公布了 5-Bit NAND 技術，讀取速度比傳統 PLC 閃存快 20 倍。
據報道，海力士的 5-Bit NAND 技術采用了 Multi-Site Cell（MSC）NAND 方案，可將每個 3D NAND 單元一分為二，在提升單元數據容量的同時將所需的電壓減少三分之二。
結合 Blocks & Files 今天報道，SK 海力士還在 5-Bit NAND 中應用了 4D 2.0 技術，解決了傳統存儲單元在超過 4 bit（IT之家注：QLC）后必定會遭遇的“電壓狀態壁壘”，可在不犧牲速度或耐久性的前提下實現每單元 5Bit 存儲。
目前，QLC 3D NAND 閃存已經實現量產，但存在讀取可靠性低、壽命較短等缺陷，因此 SK 海力士選擇將一個 NAND 存儲單元拆分為兩個相互獨立的“Site”，每個 Site 所使用的電壓更低，從而讓兩個 Site 實現更高的存儲密度。
同時，SK 海力士的這項技術還能將單顆 NAND Die 及 SSD 的存儲容量提升 25%。
特別聲明：以上內容(如有圖片或視頻亦包括在內)為自媒體平臺“網易號”用戶上傳并發布，本平臺僅提供信息存儲服務。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
