上海
1月17日，由中核集團中國原子能科學研究院自主研制的我國首臺串列型高能氫離子注入機（POWER-750H）成功出束，其核心指標已達到國際先進水平。
這一里程碑式的成就，標志著我國已全面掌握該裝備從底層原理到整機集成的全鏈路正向設計能力。
離子注入機、光刻機、刻蝕機和薄膜沉積設備稱為芯片制造的“四大核心裝備”，是半導體晶圓制造中不可或缺的“剛需”設備，它的作用是通過高能離子轟擊，改變半導體材料的電學性能，從而形成晶體管等基礎元件。
直白一點來說，高能氫離子注入機像一臺超級精準的“離子炮”，將氫離子加速到極高能量（通常達百萬電子伏特量級），然后精確“注射”進硅片內部深處。這一過程能改變材料深層的電學性能，從而制造出能承受高電壓、大電流的半導體結構。
長期以來，高能氫離子注入機技術壁壘極高，我國完全依賴國外進口，成為制約功率半導體等戰(zhàn)略性產業(yè)升級的關鍵瓶頸之一。
此次突破，徹底打破了國外企業(yè)在該領域長期的技術封鎖和壟斷，實現(xiàn)了從“依賴進口”到“自主可控”的根本性轉變。
該裝備的成功研制，對保障我國產業(yè)鏈安全具有深遠戰(zhàn)略意義，直接攻克了功率半導體制造鏈中的關鍵環(huán)節(jié)，將有力提升我國在新能源汽車、智能電網(wǎng)、光伏逆變器等領域的核心競爭力和自主保障能力。
特別聲明：以上內容(如有圖片或視頻亦包括在內)為自媒體平臺“網(wǎng)易號”用戶上傳并發(fā)布，本平臺僅提供信息存儲服務。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
