先進封裝，全速擴產

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韓國 SK 海力士日前宣布，將投資 19 萬億韓元（約合 129 億美元）在韓國清州市建設一座先進芯片封裝工廠，項目計劃于今年 4 月動工、明年底完工。這一決定，是 AI 浪潮下存儲產業結構性變化的直接體現。

以 HBM 為代表的高端存儲，本質上是一種高度依賴 3D 堆疊與先進封裝工藝的產品。無論是 TSV、微凸點，還是與 GPU、加速器的近距離互連，封裝環節已從“成本中心”轉變為決定性能、良率與交付節奏的關鍵變量。這也正是 SK 海力士此次選擇直接投資建設先進封裝廠、而非僅擴充前道制程的核心原因。

在半導體產業版圖中，封裝曾長期被視為技術含量較低的后端環節，但隨著 AI 芯片、HBM、Chiplet 等技術路線的加速成熟，這一認知正在被徹底打破。尤其是在先進制程放緩、單位制程紅利遞減的背景下，封裝正經歷一場前所未有的價值重估。

根據機構數據，全球先進芯片封裝市場規模預計將從 2025 年的 503.8 億美元增長至 2032 年的 798.5 億美元，復合年增長率達 6.8%。這一趨勢背后，是 AI 大模型訓練、高性能計算、自動駕駛以及云與邊緣計算對高帶寬、低功耗、高集成度封裝方案的持續拉動。

站在 2026 年初這個時間節點，不只是存儲廠商，越來越多頭部封裝與測試企業也已啟動新一輪先進封裝產能布局?？梢灶A見，在未來幾年內，“拼先進封裝產能、拼落地速度”將逐漸成為行業常態，并深刻影響 AI 芯片與高端存儲的競爭格局。

臺積電：加速擴張

在先進封裝這條賽道上，臺積電無疑是No.1。

作為全球半導體制造的絕對龍頭，臺積電不僅在晶圓代工領域占據超過60%的市場份額，更憑借深厚的技術積淀、強大的產能掌控力以及與客戶的深度綁定，在先進封裝領域建立起難以逾越的競爭壁壘，尤其是CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate），從2023年AI浪潮爆發以來，始終是封裝產業的焦點。

目前臺積電的目前已在代表2.5D封裝的CoWoS上形成三大技術分支：CoWoS-S采用硅中介層（Silicon Interposer）技術，適用于中小型芯片封裝；CoWoS-R則采用再分布層（RDL, Redistribution Layer）技術，提供更大的設計靈活性；CoWoS-L是臺積電針對超大型AI芯片開發的產品。

而在3D封裝領域，臺積電推出了SoIC（System on Integrated Chips，系統整合單芯片）

這一技術基于CoWoS與多晶圓堆疊（WoW, Wafer-on-Wafer）技術開發，相較2.5D封裝方案，SoIC的凸塊密度更高，可達每平方毫米數千個互連點，傳輸速度更快，功耗更低。

除了以上兩種封裝外，臺積電還悄悄布局了CoPoS（Chip-on-Polymer-on-Substrate），其本質上是將CoWoS面板化，整合了CoWoS和扇出型面板級封裝（FOPLP, Fan-Out Panel Level Packaging）的優勢。首條試點產線定于2026年在VisEra廠區啟動，目標2026年中試產，2028年底全面達產。

值得關注的是，有爆料稱臺積電還計劃將SoIC與CoWoS進行技術融合，打造適配2納米需求的混合封裝方案。這種“2.5D+3D”的組合拳，既能利用CoWoS的大面積封裝優勢，又能發揮SoIC的高密度互連能力，既能進一步提升芯片性能，又能優化成本結構、提升生產效率，具備廣闊的市場應用前景。

在技術不斷改進升級的同時，臺積電還在全力推進先進封裝產能擴充。

根據供應鏈消息和多家機構預測，臺積電產能規劃呈現出極為激進的增長曲線：2023 年底月產能約 1.5-2 萬片 12 英寸晶圓當量，市場供不應求；2024 年底提升至 4.5-5 萬片，增長 150% 以上；2025 年底目標 7-9 萬片，法人預估可達 9 萬片；到 2026 年底規劃達到 11.5-13 萬片，部分機構預測甚至高達 12.7 萬片。

這意味著從2023年到2026年，僅用三年時間，臺積電CoWoS產能就將增長6-8倍，年復合增長率超過60%。臺積電還透露了細節：過去建一座CoWoS廠需要3-5年，現在已壓縮到1.5-2年，甚至三個季度內就要完成。

而在產能布局方面，目前臺積電在中國臺灣有多座先進封測廠，我們著重看一下近年來興建的幾座：

竹南AP6廠是臺積電的先進封裝旗艦基地。2023年6月正式啟用的這座工廠，是臺積電首座實現3D Fabric整合前段至后段制程以及測試的全自動化工廠。目前竹南AP6廠已成為臺灣最大的CoWoS封裝基地，承載著英偉達、AMD等核心客戶的關鍵訂單。

嘉義AP7廠主要負責下一代封裝技術。最初規劃建設2座CoWoS先進封裝廠，現已擴大至8座廠房的宏大規模。其中P1為蘋果專屬的WMCM（晶圓級多芯片模組）產線，P2、P3以SoIC為主，而CoPoS（Chip-on-Polymer-on-Substrate）暫定在P4或P5。整個廠區預計2028年開始量產，屆時將成為臺積電先進封裝產能的又一重鎮。

南科AP8廠則由舊廠改造而來。2023年8月，臺積電斥資171.4億新臺幣（約合37億人民幣）購買群創光電位于南科的4廠舊廠房，經過大規模改造后，于2025年下半年投產。供應鏈人士透露，該廠房未來的封裝產能將是竹南先進封裝廠的9倍，不僅承載CoWoS產線，未來扇出型封裝（InFO）以及3D IC等產線都可能進駐。

除了臺灣本土外，臺積電近期還在在美國進行了布局，其規劃在在亞利桑那州建設兩座專注于SoIC和CoPoS技術的先進封裝晶圓廠AP1和AP2，AP1聚焦3D堆疊技術（SoIC），AP2側重CoPoS技術，計劃2026年下半年開工，2028年底完工，雖然具體金額未公開，但業內估計兩座廠的總投資將超過50億美元。

在產能和技術瘋狂擴張的同時，臺積電也在進行組織架構的重大調整。在組織架構層面，臺積電計劃任命首位先進封裝“總廠廠長”，實現旗下所有先進封裝廠區的統籌管理，這一舉措彰顯了其整合資源、聚焦核心業務的戰略意圖。現任臺積電SoIC事業處處長陳正賢，憑借深厚的行業資歷與卓越的管理業績，成為該職位的核心候選人。陳正賢曾歷任后端技術與服務副處長、竹南廠廠長等關鍵職務，在其主導下，SoIC事業處實現了技術突破與產能爬坡的雙重進展。

如果出任該職位，陳正賢將全面整合臺積電內部先進封裝資源，優化生產流程與資源配置，提升整體運營效率。其監管范圍將覆蓋InFO、CoWoS、WMCM、SoIC及CoPoS等全系列先進封裝產線，推動多技術路線的協同發展，助力臺積電實現先進封裝業務的規?；?、高質量增長。

對于臺積電而言，它的領先不僅是技術優勢，更是技術、產能和客戶生態的結構性霸權，多種技術的布局，配合快速擴產，以及組織架構的深度整合，臺積電成功將先進封裝從后端工序升級為前端戰略業務，其主導地位短期內幾乎不可撼動。

日月光：借勢而起

在先進封裝快速發展的同時，日月光作為全球最大的專業封測代工廠，同樣受益頗多，2025 年先進封裝相關業務在其封裝、測試及材料（ATM）業務占比超過六成，先進封裝不再只是高端增量，而是成為了這家代工廠的發展主力。

在 CoWoS 體系上，日月光深度承接臺積電產能外溢，重點切入 CoWoS 后段（oS）封裝與測試環節，客戶涵蓋英偉達、AMD、博通及 AWS 等 AI 與服務器芯片大廠。與此同時，日月光還通過 FOCoS（Fan-Out Chip on Substrate）構建自主 2.5D 封裝平臺。該技術可顯著縮短電氣路徑、提升帶寬密度，被定位為 CoWoS 的成本與產能替代方案，預計 2026 年下半年進入量產，主要面向 AI 與數據中心芯片客戶。

值得注意的，還有日月光對 FOPLP（扇出型面板級封裝） 的持續押注。其已在該技術上深耕超過十年，面板尺寸從早期的 300×300mm 推進至 600×600mm，并于高雄廠區投資約 2 億美元建設量產線，計劃 2025 年完成試產、2026 年進入客戶認證與商業化階段。

而在產能擴張上，日月光的擴產也并非集中于單一廠區，而是以高雄為中心，形成多廠協同、梯次展開的布局格局。

其中最具標志性的項目是 K28 新廠。該廠于 2024 年 10 月動土，規劃于 2026 年完工，技術定位直指 CoWoS 等先進封裝，核心目標是承接 GPU 與 AI 芯片持續放量帶來的高速需求。

而與 K28 對應的是 K18 廠房的補位角色。日月光于 2024 年自宏璟建設購入高雄楠梓 K18 廠房，并在下半年追加超過新臺幣 50 億元的再投資，用于導入晶圓凸塊（Bumping）與覆晶封裝（Flip Chip）等制程。在此基礎上，日月光進一步啟動 K18B 新廠 工程，追加約新臺幣 40 億元投資，持續加碼高雄產能。

此外，日月光還通過收購穩懋位于南部科學園區高雄園區的廠房，收購重整塑美貝科技廠區，借助產業聚集與政策資源，進一步擴充半導體先進封裝產能。

在高雄之外，日月光還在加速建設矽品中科廠與虎尾廠的新 CoW（Chip on Wafer），虎尾廠預計 2025 年進入量產階段。這些產線主要對應 CoWoS 前段制程，與日月光既有的后段封裝產線形成協同，提升整體交付能力與靈活度。

除了中國臺灣本土外，日月光也在海外加速布局。其中最成熟、也最關鍵的是馬來西亞檳城。自 1991 年起，日月光便在當地深耕封測業務，覆蓋消費電子、通信、工業與車用半導體等多個領域。2025 年 2 月，日月光第四、第五廠正式啟用，總投資約 3 億美元，主要服務車用半導體與生成式 AI 芯片需求。與此同時，日月光還通過租賃約 20 英畝土地，追加投資擴充檳城的先進封裝產能，進一步鞏固海外封測產能。

在上述布局推動下，日月光對 CoWoS 相關產能給出了清晰的放量節奏：到 2024 年底，月產能約為 3.2–3.5 萬片 12 英寸晶圓當量；至 2025 年底，規劃提升至 7.2–7.5 萬片，年產能實現翻倍增長。疊加 FOCoS 與 FOPLP 產線的逐步投產，2026 年日月光在先進封裝領域的總體供給能力，將出現一次結構性的躍升。

在先進封裝的浪潮中，日月光已從單純的產能承接者，進化為具備自主技術話語權的關鍵參與者。一方面深度綁定臺積電，通過承接 CoWoS 外溢需求穩固 AI 巨頭供應鏈地位；另一方面，通過押注 FOCoS 與 FOPLP 等差異化技術，在未來，日月光可能會與臺積電形成既互補又競爭的“雙寡頭”格局，共同主導全球先進封裝的未來走向。

安靠：持續提速

在先進封測賽道中，美國的安靠（Amkor）憑借穩固的市場地位與精準的戰略布局，成為僅次于日月光的全球第二大封測企業，其圍繞先進封裝的擴張步伐同樣在持續提速。

首先在技術路線上，安靠并未局限于單一方案，而是針對性布局多元技術以覆蓋不同場景需求，其中與英特爾的EMIB技術合作成為重要突破。2025年4月，雙方簽署EMIB技術合作協議，安靠韓國仁川松島K5工廠被選定為合作落地基地，搭建尖端EMIB封裝工藝產線，這也是英特爾首次將自有AI封裝工藝對外外包。EMIB技術舍棄大面積昂貴中介層，通過內嵌硅橋實現芯片互連，相較臺積電CoWoS具備良率更高、成本更優的優勢，適配谷歌、Meta等云端企業自研ASIC芯片需求。

此次合作不僅是產能互補，更聚焦技術協同升級。安靠將依托松島工廠先進設備與成熟封裝基礎設施，承接英特爾自有芯片及外部訂單封裝業務，為英特爾下一代EMIB-T技術量產鋪路。EMIB-T融合硅通孔（TSV）技術，可提升芯片速度與性能，支持HBM4/4e等新技術，是英特爾布局AI半導體領域的核心戰略之一。雙方合作既擴大了EMIB技術的商業化應用，也強化了安靠在2.5D封裝賽道的多元技術支撐能力。

在與英特爾的合作之外，安靠也在美國本土產能上持續加碼。2025年8月28日，安靠宣布對亞利桑那州皮奧里亞市先進封測設施項目進行重大調整，選址不變但占地面積從56英畝擴至104英畝，規模近乎翻倍，彰顯對先進封裝需求的加碼布局。

業界認為，此次調整貼合美國半導體供應鏈結構變化，前端晶圓廠投資熱潮下，后端封裝環節長期滯后，安靠該項目成為美國最具雄心的外包封裝項目，標志著本土產業政策從前端制造延伸至后端封測。項目總投資由此前17億美元增至20億美元（約142.5億元人民幣），預計2028年初投產，將創造超2000個就業崗位，雖較原2027年底投產計劃推遲，但產能與定位更清晰，聚焦高性能先進封裝平臺。

新工廠將重點支撐臺積電CoWoS與InFO技術，適配英偉達數據中心GPU及蘋果自研芯片需求。雙方已簽署諒解備忘錄，臺積電將菲尼克斯晶圓廠部分封裝業務轉移至安靠，規避跨洋運輸周轉耗時，首次在美國形成晶圓制造+封裝的本地閉環。蘋果已鎖定為該廠首家且最大客戶，為美國先進封裝能力背書。

在海外布局上，安靠精準卡位歐洲市場，于2023年2月與格芯達成深度戰略合作，共建大規模封裝項目。雙方約定將格芯德國德累斯頓工廠的12英寸晶圓級封裝產線整體轉移至安靠葡萄牙波爾圖工廠，該產線月產能可達2萬片12英寸晶圓當量，項目于2024年啟動設備調試，2025年進入小批量試產階段，預計2026年實現滿產，滿產后可滿足歐洲地區40%的汽車電子晶圓級封裝需求。

此外，安靠延續在亞洲市場的產能深耕優勢，目前在韓國、中國臺灣、馬來西亞等地設有8座核心工廠，合計占全球總產能的65%。值得關注的是其在中國臺灣的桃園工廠，主要聚焦先進封裝，月產能1.8萬片，專門配套臺積電中國臺灣廠區的晶圓代工訂單，受益于臺積電CoWoS產能擴張，該工廠2025年第三季度銷售額同比暴漲75%。

可以看到，安靠的擴張始終緊扣行業趨勢與政策導向，在美國大力推動本土半導體產業鏈建設、歐洲加速汽車電子供應鏈自主化的背景下，其產能布局既契合區域政策需求，又精準捕捉汽車電子、AI算力芯片等核心增長點。

大陸廠商：積極布局

在全球先進封裝產業競爭白熱化的當下，中國大陸廠商同樣不甘示弱，正以更積極的姿態投入技術研發與產能建設，通過持續擴產、布局海外與強化產業鏈協同，逐步在高端封測領域站穩腳跟。

甬矽電子

作為專注于中高端先進封裝的廠商，甬矽電子已構建起了高密度細間距凸點倒裝（FC）、系統級封裝（SiP）、晶圓級封裝（Bumping 及 WLP）等五大核心產品體系。

而在近期，為進一步完善海外戰略布局，推動海外業務發展進程，甬矽電子宣布啟動總投資不超過 21 億元的馬來西亞集成電路封裝測試生產基地項目。

其表示，馬來西亞是全球半導體封測產業的重要聚集地，尤其是檳城州已形成成熟的半導體產業集群，吸引了眾多國際芯片大廠布局，產業協同優勢顯著。甬矽電子選擇在此建廠，正是看中當地完善的產業生態、優越的區位優勢與豐富的人才資源，能夠有效貼近海外客戶，提升響應效率，進一步擴大海外市場份額，提升全球營收占比，鞏固行業地位。

從業務布局來看，該項目主要聚焦系統級封裝（SiP）產品，下游覆蓋AIoT、電源模組等熱門領域，精準契合當前半導體市場的需求熱點。依托在集成電路封裝測試領域的技術積累與研發能力，甬矽電子能夠為海外客戶提供高品質的封裝測試服務，滿足客戶對產品性能與可靠性的嚴苛要求，進一步深化與海外大客戶的戰略合作。

長電科技

長電科技作為全球第三、中國大陸第一的半導體封測企業，在先進封裝領域布局深遠，已構建覆蓋 Chiplet、HBM、2.5D/3D 集成、Fan-Out 的全技術平臺，技術實力穩居全球第一梯隊。

而近期，長電科技在先進封裝的汽車電子賽道突破備受關注。2025年12月，其旗下車規級芯片封測工廠“長電科技汽車電子（上海）有限公司（JSAC）”如期通線，標志著長電科技在車規級封測領域實現關鍵布局，為切入新能源汽車與智能駕駛核心供應鏈奠定基礎。

該工廠坐落于上海臨港新片區，占地 210 畝，一期建設 5 萬平方米潔凈廠房，自 2023 年 8 月開工以來，歷經兩年完成施工與設備調試。工廠配備業內領先的自動化產線，引入 AI 缺陷檢測與全流程追溯系統，嚴格遵循零缺陷標準，全面滿足 AEC-Q100/101/104 車規認證要求，可提供覆蓋封裝與測試的一站式服務。

據了解，目前多家國內外頭部車載芯片客戶已在JSAC推進產品認證與量產導入，覆蓋智能駕駛、電源管理等核心領域，充分驗證了長電科技在車規級封測領域的技術實力與市場認可度。

通富微電

同樣是國內頭部封裝廠，通富微電的先進封裝布局以技術突破與大客戶綁定為核心，早年間便通過收購 AMD 蘇州、檳城工廠形成戰略協同，獨家承接 AMD 超過 80% 的 CPU/GPU 封測訂單，為先進封裝技術迭代提供了穩定的應用場景。

值得關注的是，通富微電在先進封裝領域的擴張動作尤為積極，近期發布公告，擬向特定對象發行 A 股股票募集資金總額不超過 44 億元，精準投向四大核心領域，以破解產能瓶頸、優化產品結構。

其中，汽車等新興應用領域封測產能提升項目擬投入 10.55 億元，總投資約 11 億元，建成后年新增產能 5.04 億塊，將進一步強化公司在車載封測領域的布局，契合全球車規級半導體市場 11.51% 的年增長率需求；存儲芯片封測產能提升項目擬投入 8 億元，年新增產能 84.96 萬片，將承接 AI、新能源汽車驅動下的存儲芯片需求增長，把握存儲市場 12.34% 的年均復合增長機遇；晶圓級封測產能提升項目擬投入 6.95 億元，新增晶圓級封測產能 31.20 萬片及高可靠車載品封測產能 15.73 億塊，適配高端芯片對高性能、小型化的需求；高性能計算及通信領域封測產能提升項目擬投入 6.2 億元，年新增產能 4.8 億塊，聚焦倒裝封裝與 SiP 技術，匹配 AI 算力與通信芯片的封測需求。

憑借與 AMD 等國際大客戶的深度綁定，以及在本土市場的持續拓展，通富微電正加速向高端封測市場沖刺。

從單極到多元

在全球先進封裝格局中，盡管各大廠商都在加速擴產，但臺積電的主導地位短期內仍難以撼動。憑借 CoWoS、SoIC 等領先技術以及持續迭代能力，臺積電在 AI 芯片封裝領域幾乎形成技術壟斷；其從先進制程到封裝的一體化服務模式，進一步強化了客戶粘性，尤其是與英偉達等巨頭深度綁定后，其他廠商在短時間內難以替代。

不過，其他專業封測廠正通過差異化路徑尋求突破。它們在產能配置上更靈活，能夠滿足不同客戶的定制化需求，在部分應用場景中也具備更強的成本競爭力；同時，這些廠商積極布局 FOPLP 等下一代技術，試圖在未來封裝路線中搶占先機。

封裝廠商的集體擴張，本質上是對 AI 時代算力需求的一次行業級押注，在這場馬拉松式的競爭中，只有那些能夠在技術創新、成本控制與客戶服務之間找到最佳平衡點的企業，才能真正笑到最后。

展望 2026-2027 年，當新增產能陸續釋放、供需關系重新平衡、技術路線逐漸清晰，我們將看到這場擴張浪潮的真正贏家。而對于整個半導體產業而言，先進封裝從 “配角” 到 “主角” 的轉變，已經成為不可逆轉的趨勢。

*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯系半導體行業觀察。

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