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存儲芯片進(jìn)入史上最瘋狂時期
近半年,內(nèi)存、NAND Flash等存儲產(chǎn)品短缺態(tài)勢劇烈,遠(yuǎn)超常規(guī)行業(yè)周期波動,核心驅(qū)動力是AI產(chǎn)業(yè)爆發(fā)式增長,數(shù)據(jù)中心對存儲產(chǎn)能的消耗激增。
TrendForce報告顯示,2026年全球70%內(nèi)存將被數(shù)據(jù)中心消耗,供需格局重塑。
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巨頭紛紛鎖定供應(yīng)資源,OpenAI“星門”項(xiàng)目與三星、SK海力士簽每月90萬片DRAM晶圓供應(yīng)協(xié)議,占全球產(chǎn)量近40%;高密度NAND、美光高帶寬內(nèi)存2026年前產(chǎn)能幾近售罄,巨頭長期鎖定源頭采購。
這場危機(jī)已突破科技領(lǐng)域,向汽車、消費(fèi)電子、家電等行業(yè)蔓延,推高終端產(chǎn)品成本并轉(zhuǎn)嫁消費(fèi)者。黃仁勛稱內(nèi)存價格或占多數(shù)電子產(chǎn)品價格10%,智能手機(jī)中可達(dá)30%。IDC預(yù)測2026年智能手機(jī)、PC銷量分別下降5%、9%,稱產(chǎn)能向AI數(shù)據(jù)中心“永久性重新分配”。
存儲三巨頭加速擴(kuò)產(chǎn):三星投資360萬億韓元建設(shè)龍仁產(chǎn)業(yè)園,聚焦AI垂直集成,重啟P5工廠并以“快速通道”推進(jìn),目標(biāo)2028年運(yùn)營;SK海力士與臺積電深度合作,提前M15X工廠量產(chǎn)時間至2026年2月,專攻HBM4等高附加值產(chǎn)品;美光2026財(cái)年資本支出增至200億美元,優(yōu)先推進(jìn)博伊西ID2晶圓廠,打造“研發(fā)+量產(chǎn)”中心,預(yù)計(jì)2027年實(shí)現(xiàn)DRAM產(chǎn)出。
—— 芯榜 ——
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