北京
（AI云資訊消息）三星HBM4內存模組有望最早于6月搭載于英偉達Vera Rubin AI系列產品，這標志著三星公司內存業務取得重大突破。
HBM4被業界譽為存儲巨頭的革命性產品，這歸功于其在模組設計上的創新突破。據韓媒最新報道，三星HBM4模組現已率先獲得英偉達Vera Rubin AI系列采用資格，預計最早2月即可開始供貨。
三星HBM4工藝之所以脫穎而出有多重原因，其中最關鍵的優勢在于三星提供了業界最高的引腳速度。三星HBM4的額定速度達到11Gbps以上，遠超JEDEC標準，這主要源自英偉達提出的核心規格要求。隨著智能體AI成為下一技術風口，Vera Rubin平臺在內存規格上實現重大升級，其核心驅動力正是搭載了三星HBM4模組，該模組以卓越的運行速度與接口寬度著稱。
三星HBM4的另一亮點在于采用了源自公司內部晶圓廠的4納米制程邏輯基礎芯片，這相對于計劃從臺積電采購邏輯芯片的SK海力士和美光而言，更能確保對英偉達的供貨時效。鑒于英偉達已迅速將Vera Rubin平臺推進至全面量產階段，供應商必須同步跟上節奏，而三星顯然已精準達標。
據披露，Vera Rubin平臺的相關客戶出貨將于8月啟動，而Rubin AI芯片將在2026年GTC大會上完整亮相，屆時三星的HBM4模組也將成為焦點。
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