半導(dǎo)體早參 | 報道稱三星電子將一季度NAND價格上調(diào)100%，刻蝕設(shè)備巨頭中微公司全年凈利同比預(yù)增28.74%-34.93%

2026年1月23日，截至收盤，滬指漲0.33%，報收4136.16點；深成指漲0.79%，報收14439.66點；創(chuàng)業(yè)板指漲0.63%，報收3349.50點。科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）漲1.51%，半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）漲1.95%。

隔夜外盤：截至收盤，道瓊斯工業(yè)平均指數(shù)跌0.58%；納斯達(dá)克綜合指數(shù)漲0.28%；標(biāo)準(zhǔn)普爾500種股票指數(shù)漲0.03%。費城半導(dǎo)體指數(shù)跌1.21%，恩智浦半導(dǎo)體跌1.81%，美光科技漲漲0.52%，ARM跌2.63%，應(yīng)用材料漲1.13%，微芯科技跌1.01%。

行業(yè)資訊：

1.據(jù)韓國媒體報道，三星電子在今年第一季度將NAND閃存的供應(yīng)價格上調(diào)了100%以上，這一漲幅遠(yuǎn)超市場此前預(yù)期，凸顯了當(dāng)前半導(dǎo)體市場嚴(yán)重的供需失衡現(xiàn)狀。據(jù)上述媒體行業(yè)知情人士透露，三星電子已于去年年底完成了與主要客戶的供應(yīng)合同談判，并從1月起正式實施新的價格體系。這是繼DRAM內(nèi)存價格被曝上調(diào)近70%之后，存儲市場的又一重磅調(diào)價信號。報道稱，三星電子目前已著手與客戶就第二季度的NAND價格進(jìn)行新一輪談判，市場普遍預(yù)計價格上漲的勢頭將在第二季度延續(xù)。

2.中微公司（688012.SH）公告稱，公司預(yù)計2025年度實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤為20.80億元至21.80億元，與上年同期相比同比增長約28.74%至34.93%。公司主營產(chǎn)品等離子體刻蝕設(shè)備作為半導(dǎo)體前道核心設(shè)備之一，市場空間廣闊，技術(shù)壁壘較高。公司的等離子體刻蝕設(shè)備在國內(nèi)外持續(xù)獲得更多客戶的認(rèn)可，針對先進(jìn)邏輯和存儲器件制造中關(guān)鍵刻蝕工藝的高端產(chǎn)品新增付運量顯著提升，先進(jìn)邏輯器件中段關(guān)鍵刻蝕工藝和先進(jìn)存儲器件超高深寬比刻蝕工藝實現(xiàn)量產(chǎn)。

3.盛美上海（688082.SH）發(fā)布2025年度業(yè)績預(yù)告，預(yù)計營業(yè)收入為66.80億元-68.80億元，比上年同期增長18.91%-22.47%。報告期內(nèi)，全球半導(dǎo)體市場需求強勁，公司憑借技術(shù)差異化優(yōu)勢，持續(xù)推進(jìn)銷售交付與調(diào)試驗收，產(chǎn)品平臺化進(jìn)展順利，客戶全球化拓展成效顯著，新客戶開發(fā)取得突破，市場認(rèn)可度不斷提升，推動營業(yè)收入穩(wěn)步增長。綜合近年來的業(yè)務(wù)發(fā)展趨勢，以及目前的訂單等多方面情況，公司預(yù)計2026年全年的營業(yè)收入將在人民幣82.00億元至88.00億元之間。

銀河證券指出，AI算力需求不減、存儲芯片周期上行以及先進(jìn)封裝技術(shù)滲透，共同推動半導(dǎo)體設(shè)備需求提振，2026年半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模持續(xù)增長預(yù)期強烈。臺積電預(yù)計2026年資本開支為520-560億美元，相較于2025年409億美元的資本開支大幅增長，半導(dǎo)體設(shè)備的市場機遇進(jìn)一步凸顯。

相關(guān)ETF：公開信息顯示， 科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）及其聯(lián)接基金（A類：024417；C類：024418）跟蹤上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)，囊括科創(chuàng)板中 半導(dǎo)體設(shè)備（60%）和半導(dǎo)體材料（25%）細(xì)分領(lǐng)域的硬科技公司。 半導(dǎo)體設(shè)備和材料行業(yè)是重要的國產(chǎn)替代領(lǐng)域，具備國產(chǎn)化率較低、國產(chǎn)替代天花板較高屬性，受益于人工智能革命下的半導(dǎo)體需求，擴張、科技重組并購浪潮、光刻機技術(shù)進(jìn)展。

半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）及其聯(lián)接基金（A類：020356；C類：020357），指數(shù)中半導(dǎo)體設(shè)備（63%）、半導(dǎo)體材料（24%）占比靠前，充分聚焦半導(dǎo)體上游。