三星掀起存儲(chǔ)漲價(jià)風(fēng)暴！NAND漲幅超100%

2026年開年，全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)迎來“史詩(shī)級(jí)漲價(jià)潮”。韓國(guó)巨頭三星電子正式敲定核心定價(jià)，給消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、智能汽車等全產(chǎn)業(yè)鏈帶來重磅沖擊。

漲價(jià)核心數(shù)據(jù)：翻倍+近七成漲幅雙暴擊

此次提價(jià)自2026年1月起正式落地，三星已提前與亞馬遜AWS、阿里云、蘋果等核心客戶完成合約談判，漲價(jià)幅度遠(yuǎn)超市場(chǎng)預(yù)期：

- NAND閃存：全系列供貨價(jià)直接翻倍（漲幅100%+），打破行業(yè)此前33%-38%的漲幅預(yù)判；

- DRAM內(nèi)存：服務(wù)器用產(chǎn)品漲60%-70%，高帶寬內(nèi)存（HBM）漲50%-55%，消費(fèi)級(jí)DDR5漲約60%；

- 后續(xù)趨勢(shì)：三星已啟動(dòng)Q2價(jià)格談判，堅(jiān)持“季度定價(jià)”模式、拒絕長(zhǎng)期合約，市場(chǎng)普遍預(yù)判漲勢(shì)將貫穿2026年，延續(xù)至2027年。

漲價(jià)根源：供需失衡+寡頭壟斷

此次漲價(jià)并非偶然，核心源于三重結(jié)構(gòu)性因素的疊加：

1. 需求端爆發(fā)：AI浪潮推動(dòng)AI服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心對(duì)存儲(chǔ)需求激增（AI服務(wù)器DRAM用量是傳統(tǒng)機(jī)型的8-10倍）；

2. 供給端收縮：三星等頭部廠商主動(dòng)減產(chǎn)，同時(shí)將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM等高毛利產(chǎn)品，擠壓通用存儲(chǔ)供給，當(dāng)前行業(yè)庫(kù)存僅3-4周（遠(yuǎn)低于安全水平）；

3. 寡頭定價(jià)權(quán)：三星、SK海力士、美光壟斷全球90%以上DRAM產(chǎn)能，三星NAND市占率超30%，議價(jià)能力極強(qiáng)。

行業(yè)連鎖反應(yīng)：下游承壓，國(guó)產(chǎn)突圍

漲價(jià)潮已快速傳導(dǎo)至全產(chǎn)業(yè)鏈，影響直接落地：

- 同行跟漲：SK海力士、閃迪等廠商同步上調(diào)價(jià)格，行業(yè)漲價(jià)形成共振；

- 終端承壓：PC、手機(jī)廠商制造成本上升10%-30%，部分企業(yè)計(jì)劃通過“終端提價(jià)”或“減配不降價(jià)”應(yīng)對(duì)；

- 市場(chǎng)預(yù)判：2026年全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將達(dá)5516億美元，2027年有望增至8427億美元（同比增長(zhǎng)53%）；

- 國(guó)產(chǎn)機(jī)遇：長(zhǎng)鑫科技DDR5產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，佰維存儲(chǔ)2025年歸母凈利潤(rùn)預(yù)增427.2%-520.2%，國(guó)產(chǎn)廠商加速搶占市場(chǎng)份額。

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商能否抓住機(jī)遇實(shí)現(xiàn)彎道超車？歡迎在評(píng)論區(qū)留言討論～