存儲芯片只是錯殺？DRAM漲價預期再次暴力上調

周一，全球存儲芯片板塊遭遇市場情緒的猛烈沖擊。受海外流動性收緊預期及DRAM現貨價格數月來首次下跌的影響，韓國存儲巨頭股價大跌，A股存儲板塊亦在情緒面壓制下表現疲軟。市場擔憂情緒主要源于對“現貨價格下跌意味著周期見頂”的恐慌。

然而，高盛在2月2日發布的最新研報中，對這一悲觀預期做出了強力反駁。報告指出，盡管現貨市場出現波動，但DRAM的合約價格不僅未跌，反而迎來了更猛烈的上漲預期。高盛大幅上調了2026年一季度DRAM價格漲幅預測，預計環比漲幅將高達90-95%，遠超此前市場及該行自身的預期。

在這一背景下，當前市場的下跌被視為對基本面的誤讀。現貨價格與期貨（合約）價格之間存在巨大價差，目前高價現貨市場呈現“有價無市”的狀態，而真正決定企業盈利的合約市場仍處于強勢上漲通道。高盛重申了對三星（SEC）和SK海力士的“買入”評級，認為利空消息干擾了科技股表現，實則是對存儲芯片的一次“錯殺”。

DRAM合約價預期飆升：一季度或暴漲95%

高盛分析師Giuni Lee團隊在報告中指出，2026年一季度主要應用領域的DRAM定價預測均已大幅上調。特別是傳統DRAM的整體定價，預計將在2025年四季度環比上漲45-50%的基礎上，于2026年一季度進一步實現90-95%的環比增長。這一預測數據顯著高于高盛此前對三星和SK 海力士 77-82%的環比增長預期，同時也高于華爾街的一致預期。

移動端NAND（eMMC/UFS）方面，2026年一季度的合約價格也預計環比上漲55-65%，這與高盛此前對整體NAND定價環比上漲45-70%的預測基本一致。盡管消費電子需求在淡季有所減弱，但企業級SSD（eSSD）和AI相關存儲需求的強勁，導致智能手機和PC客戶獲得的供應配額有限，從而繼續推高了這些細分市場的價格。

PC與服務器DRAM：供應短缺推高溢價

在細分領域，PC DRAM和服務器DRAM的漲價動力尤為強勁。TrendForce（集邦咨詢）已將2026年一季度PC DRAM合約價格預測上調至環比增長105-110%，同時維持二季度環比增長20-25%的預測。這一數據遠高于高盛此前預估的80-90%，暗示市場存在進一步的上行空間。

具體來看，1月份DDR4 8GB模組價格環比上漲83%至85美元，DDR5 8GB模組價格環比上漲90%至75美元。隨著部分價格談判直至1月份才結束，且供應商庫存持續緊張，本季度剩余時間內價格仍有進一步上漲的可能。

服務器端同樣面臨供不應求的局面。盡管供應商已將部分產能從PC和智能手機轉向服務器，但在北美和中國云服務提供商（CSP）強勁需求的支撐下，供應依然受限，供應商的定價權保持強勢。TrendForce將2026年一季度服務器DRAM合約價格預測上調至環比增長88-93%，略高于高盛此前75-80%的預期。值得注意的是，DDR5相比DDR4的溢價正在收窄，1月份DDR5 64GB模組相比同規格DDR4的溢價已降至9%。

移動端DRAM：AI需求擠占產能

移動端DRAM市場并未置身事外。TrendForce將2026年一季度LPDDR5X的價格預測從之前的環比增長45-50%大幅上調至88-93%。

這一激進的漲價預期背后的邏輯在于產能擠壓：服務器客戶對存儲芯片的強勁需求正在擴大其他應用領域的供需缺口。隨著供應商優先滿足利潤更高的服務器和AI相關需求，移動端DRAM的供應變得愈發緊張，從而迫使價格大幅上行。這一最新預測也顯著高于高盛此前對三星和海力士在該領域75-80%的環比漲幅預期。

估值與目標價：重申買入評級

基于強勁的價格上漲預期，高盛重申了對韓國兩大存儲巨頭的看好。對于三星，高盛基于2026年預期的EV/EBITDA估值模型，給予普通股205,000韓元的目標價，主要下行風險包括存儲供需惡化及智能手機利潤率收縮。

對于SK 海力士，高盛給予1,200,000韓元的12個月目標價。分析師指出，鑒于海力士在HBM（高帶寬內存）收入上的顯著增長，其相對于三星應享有30%的“AI溢價”。該目標價基于2.8倍的目標市凈率（P/B）計算得出，參考了上一輪強勁定價上行周期（2009-2010年）的估值峰值。

綜上所述，雖然短期現貨市場的價格波動引發了投資者的恐慌，但從高盛及TrendForce的數據來看，存儲芯片行業的合約價格正處于近年來最猛烈的上漲周期之中。市場對于“周期見頂”的擔憂，或是一次因信息不對稱而導致的錯殺。