2026年第一季度存儲(chǔ)器價(jià)格全面上漲！多品類增幅創(chuàng)歷史新高

快科技2月3日消息，TrendForce集邦咨詢發(fā)布最新存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)研報(bào)顯示，受AI與數(shù)據(jù)中心需求持續(xù)激增推動(dòng)，全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)供需失衡加劇，2026年第一季度（Q1）DRAM、NAND Flash各類產(chǎn)品價(jià)格全面大幅上漲，多個(gè)細(xì)分品類季增幅度創(chuàng)下歷史新高，且不排除后續(xù)進(jìn)一步上修的可能。

研報(bào)指出，此次價(jià)格上漲的核心驅(qū)動(dòng)力來自需求端的爆發(fā)式增長(zhǎng)。

隨著AI推理應(yīng)用場(chǎng)景持續(xù)擴(kuò)大，北美、中國(guó)各大云端服務(wù)業(yè)者（CSP）、服務(wù)器廠商（Server OEM）對(duì)高性能存儲(chǔ)器的備貨需求強(qiáng)烈，而PC整機(jī)2025年第四季度出貨量超預(yù)期，進(jìn)一步加劇了PC DRAM的缺貨態(tài)勢(shì)，頭部PC OEM廠商庫存水平持續(xù)下滑。

供給端方面，存儲(chǔ)器原廠更看好DRAM市場(chǎng)的獲利前景，將部分產(chǎn)線轉(zhuǎn)向DRAM生產(chǎn)，導(dǎo)致NAND Flash新增產(chǎn)能被壓縮，僅能通過制程升級(jí)勉強(qiáng)提升單位產(chǎn)出，短期產(chǎn)能瓶頸難以緩解，原廠議價(jià)能力顯著增強(qiáng)，市場(chǎng)呈現(xiàn)明顯的賣方市場(chǎng)特征。

具體價(jià)格漲幅方面，DRAM類產(chǎn)品成為上漲主力。

整體Conventional DRAM合約價(jià)季增幅度從1月初預(yù)估的55%-60%上調(diào)至90%-95%；

PC DRAM（DDR4&DDR5混合）價(jià)格預(yù)計(jì)季增105%-110%，漲幅超一倍，創(chuàng)下歷史新高；

Server DRAM價(jià)格季增88%-93%，Mobile DRAM中LPDDR4X、LPDDR5X合約價(jià)季增均達(dá)88%-93%，均為歷年最高水平；

高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）混合合約價(jià)也實(shí)現(xiàn)80%-85%的季度增長(zhǎng)。

NAND Flash類產(chǎn)品同樣漲幅顯著，整體合約價(jià)季增幅度從33%-38%上調(diào)至55%-60%。

值得注意的是，手機(jī)廠商的存儲(chǔ)器采購(gòu)談判進(jìn)度存在差異。

美系手機(jī)客戶2026年Q1的Mobile DRAM合約價(jià)已于2025年底完成議定，而中系手機(jī)客戶受2025年第四季度合約價(jià)剛敲定及農(nóng)歷春節(jié)長(zhǎng)假影響，相關(guān)談判預(yù)計(jì)最快需至2月底才會(huì)取得實(shí)質(zhì)進(jìn)展。

此次存儲(chǔ)器價(jià)格的大幅上漲，將對(duì)終端電子設(shè)備生產(chǎn)成本、供應(yīng)鏈備貨策略產(chǎn)生顯著影響。