存儲荒“鎖死”全球供應鏈！英特爾CEO預警短缺將持續至2028年

近段時間來，一場席卷全球的存儲芯片短缺危機正愈演愈烈，其持續時間之長、影響范圍之廣，遠超市場預期。

進入2月，英特爾首席執行官陳立武在思科 AI 峰會上拋出重磅預警：全球存儲芯片短缺局面至少將持續至 2028 年，這一時間線較此前行業預測再度拉長，給依賴存儲芯片的科技產業蒙上一層厚重陰影。

這并非危言聳聽。當前，人工智能產業的爆發式增長正掀起一場史無前例的 “算力軍備競賽”，數據中心的擴張速度呈指數級攀升，直接引爆了存儲芯片的需求。

陳立武直言，英偉達即將推出的新一代人工智能加速器 Vera Rubin 平臺，將成為壓垮存儲供應鏈的又一根 “稻草”，因為該平臺 “會消耗海量存儲芯片”，進一步加劇供需失衡。

事實上，這場短缺危機早已呈現出 “結構性失控” 的特征。全球 EDA 和半導體 IP 龍頭新思科技首席執行官 Sassine Ghazi 也發出警示，他指出存儲芯片緊缺態勢將貫穿 2026-2027 年，核心原因在于三星、SK 海力士、美光科技等頭部廠商的產能，正被 AI 基礎設施需求 “瘋狂吞噬”。

為滿足高帶寬存儲器（HBM）這類 AI 大模型必需組件的生產，三大存儲巨頭不得不將大量產能從傳統 DRAM 和 NAND Flash 轉向 HBM，而 HBM 每比特容量消耗的晶圓產能，是傳統 DRAM 的 3 倍之多。

供需缺口的持續擴大，直接催生了存儲芯片價格的 “超級暴漲周期”。集邦咨詢（TrendForce）在最新報告中，全面上修 2026 年第一季度存儲芯片價格漲幅：整體 Conventional DRAM 合約價季漲幅從 55-60% 飆升至 90-95%，NAND Flash 合約價季漲幅也從 33-38% 上調至 55-60%，且不排除進一步上調的可能。

細分市場更甚，該機構預計 PC DRAM 價格季漲幅將突破 100%，Server DRAM、Mobile DRAM 價格漲幅也逼近 90%，均創下歷史新高。

在這樣的背景下，存儲市場的 “賣方霸權” 已然成型。分析師普遍認為，三星與 SK 海力士主導的賣方市場格局將長期延續，下游廠商不僅面臨成本飆升的壓力，更要為爭奪配額展開激烈競逐。

反映在資本市場上，美股存儲板塊已率先沸騰，西部數據追加 40 億美元回購額度后股價大漲 7.4%，閃迪股價上漲 4.55%，雙雙刷新歷史高點——資本用腳投票，印證了存儲芯片的稀缺價值。

面對這場曠日持久的存儲荒，英特爾選擇主動破局。陳立武在峰會上同時宣布，公司將正式進軍由英偉達壟斷的 GPU 市場，這一決策被外界視為英特爾的 “戰略突圍之戰”。

據悉，英特爾已從高通挖來 GPU 專家 Eric Demers 擔任高級副總裁，主導 GPU 設計；該項目由英特爾數據中心部門執行副總裁 Kevork Kechichian 統籌，后者正是去年從 Arm 跳槽而來的行業資深人士。

英特爾的野心不止于此。陳立武強調，GPU 開發與數據中心業務深度綁定，公司將通過自主設計 GPU，強化在人工智能半導體領域的話語權。與此同時，英特爾的晶圓代工業務也在加速推進，其 14A 制程技術（1.4 納米級先進工藝）已吸引多家客戶合作，試圖借先進制造能力重振昔日榮光。

值得注意的是，當前 GPU 市場呈現高度壟斷態勢，英偉達憑借超 80% 的人工智能加速器市場份額，牢牢掌控著行業話語權，且包括英偉達在內的主流 AI 芯片廠商，大多依賴臺積電代工。英特爾此時切入 GPU 賽道，不僅要直面技術壁壘，更要挑戰臺積電的代工霸權，這場突圍戰注定荊棘叢生。

從行業周期來看，過去存儲芯片市場總是在 “短缺 - 過剩” 之間循環，但這一輪由 AI 驅動的需求，被普遍認為具有結構性和持久性。

也許正如 Sassine Ghazi 所言，“現在對存儲芯片廠商來說，是一個黃金時代”，但對全球電子產業供應鏈而言，這場始于 AI 的存儲荒，帶來的挑戰才剛剛開始。