32GB內(nèi)存售價僅有市場三分之一！曝國產(chǎn)DRAM巨頭低價搶市

快科技2月4日消息，在全球內(nèi)存價格持續(xù)飆升的當下，中國DRAM巨頭長鑫存儲的一則低價策略消息，讓本就躁動的存儲器市場陷入多空激烈交戰(zhàn)。

據(jù)報道，長鑫存儲針對32GB DDR4-3200 ECC內(nèi)存模組推出138美元的"破盤價"，該價格僅為當前國際市場300~400美元行情的三分之一左右，瞬間引發(fā)全球市場震動。

這一低價舉措直接點燃市場恐慌情緒，投資者擔憂存儲器產(chǎn)業(yè)將再度陷入紅海競爭，此前3日早盤一度回暖的內(nèi)存板塊隨即承壓下挫。

其中，DRAM雙雄華邦電、南亞科首當其沖，當日分別暴跌9.05%和5.61%。此外，群聯(lián)、品安、晶豪科、至上、威剛、宇瞻及華東等個股跌幅均逾半根停板，板塊恐慌氛圍濃厚。

此次市場波動的背后，是全球存儲器市場的結(jié)構(gòu)性變化。隨著AI運算需求爆發(fā)式增長，全球存儲器市場已進入新一波超級循環(huán)，2025年底相關(guān)產(chǎn)品售價便已大幅上漲，甚至打亂了多款電子產(chǎn)品2026年的生產(chǎn)布局。

在此背景下，長鑫存儲、長江存儲等中國存儲大廠正加速布局，搶抓市場機遇。

擴產(chǎn)動作尤為迅猛的長鑫存儲，已決定加速擴建上海廠區(qū)。據(jù)規(guī)劃，該廠區(qū)規(guī)模將達到合肥總部的2至3倍，主要聚焦服務(wù)器、個人電腦及車用電子所需的DRAM產(chǎn)品生產(chǎn)。

按照時間表，上海廠區(qū)設(shè)備裝機預(yù)計于2026年下半年啟動，2027年正式進入投產(chǎn)階段，投產(chǎn)后將顯著提升長鑫存儲在全球DRAM市場的供給能力。

中國NAND Flash大廠長江存儲也在同步發(fā)力。其位于武漢的三期項目原定2027年達成的量產(chǎn)目標，有望提前至2026年下半年啟動。更為值得關(guān)注的是，長江存儲計劃調(diào)整發(fā)展策略，將新廠約50%的產(chǎn)能轉(zhuǎn)向DRAM產(chǎn)品生產(chǎn)，正式開啟NAND與DRAM雙領(lǐng)域并行發(fā)展的新模式，進一步完善中國存儲產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品矩陣。

對于中國存儲廠商的崛起及市場格局變化，Yole Group亞洲區(qū)主管Gary Huang分析指出，當前全球內(nèi)存供給持續(xù)吃緊，這一市場環(huán)境為新興業(yè)者創(chuàng)造了有利的發(fā)展契機。

加之中國的政策支持，正推動更多客戶主動尋找替代性供應(yīng)來源，這不僅為長鑫存儲、長江存儲等中國廠商帶來了新的成長動能，也將深刻影響全球存儲器市場的競爭格局。