山東
IT之家 2 月 16 日消息，據北京大學官方賬號昨日分享，該校在非易失性存儲器領域取得突破性進展，電子學院邱晨光-彭練矛團隊首次提出“納米柵超低功耗鐵電晶體管”，真正實現了超低功耗下的數據高效存儲，相關成果日前發表于《科學 · 進展》。
據介紹，鐵電晶體管利用鐵電材料的極化翻轉實現數據存儲，是后摩爾芯片技術中極具潛力的半導體存儲器，受到學術界和業界廣泛關注，是破解“存儲墻”和實現人工智能底層架構革新的關鍵新技術。
團隊通過設計鐵電存儲的器件結構，引入納米柵極電場匯聚增強效應，研制出可在 0.6V 超低電壓下工作的鐵電晶體管，能耗降低至 0.45 fJ/μm。團隊還將物理柵長縮減到 1 納米極限，為國際上迄今尺寸最小、功耗最低的鐵電晶體管，為構建高性能亞 1 納米節點芯片和高算力 AI 芯片架構提供了更具潛力的新物理機制存儲器件。
北京大學表示，納米柵極電場增強效應對優化鐵電晶體管的設計具有普適性指導意義，可擴展至廣泛鐵電材料體系。未來通過原子層沉積等標準 CMOS 工藝，有望研發出業界兼容的超低功耗鐵電存儲芯片。
目前，基于這項新機理已率先申請兼容業界 NAND 結構和嵌入式 SOC 架構的關聯專利集合，形成具有完全自主知識產權的“納米柵超低功耗鐵電晶體管”結構和工藝技術體系 (中國專利：202511671105.4 / 202511672017.6 / 202511674034.3)，將助力我國在新型存儲領域打破國外技術壁壘。
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