晶圓廠(chǎng)瘋建，光刻機(jī)卻賣(mài)不動(dòng)了

文 | 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

2025年，全球晶圓廠(chǎng)的擴(kuò)產(chǎn)節(jié)奏明顯加快，但一個(gè)反常現(xiàn)象出現(xiàn)了：光刻機(jī)的出貨總量卻在下降。

從當(dāng)前全球光刻機(jī)的市場(chǎng)供應(yīng)格局來(lái)看，具備商用光刻機(jī)批量生產(chǎn)能力的廠(chǎng)商仍高度集中，核心玩家僅有荷蘭 ASML、日本佳能、日本尼康三家；國(guó)內(nèi)雖有部分企業(yè)實(shí)現(xiàn)了光刻機(jī)的小批量出貨，但因尚未形成規(guī)模化量產(chǎn)規(guī)模，暫未納入本次主流市場(chǎng)的統(tǒng)計(jì)范疇。

光刻機(jī)三巨頭，出貨幾何？

ASML，出貨約327臺(tái)

回顧過(guò)往，2016年及以前，ASML的EUV光刻機(jī)年出貨量?jī)H1-5臺(tái)，DUV光刻機(jī)年出貨量約150臺(tái)；2017年后，EUV出貨量逐年攀升，2023年達(dá)到峰值53臺(tái)，同期DUV出貨341臺(tái)；2024年，ASML光刻機(jī)總出貨量創(chuàng)下歷史最高，為418臺(tái)。

但2025年這一趨勢(shì)出現(xiàn)轉(zhuǎn)折。根據(jù)ASML發(fā)布的2025財(cái)年業(yè)績(jī)報(bào)告，第四季度新售出光刻系統(tǒng)94臺(tái)、二手系統(tǒng)8臺(tái)；全年新光刻系統(tǒng)300臺(tái)、二手系統(tǒng)27臺(tái)，相比2024年的380臺(tái)新系統(tǒng)、38臺(tái)二手系統(tǒng)，出貨總量明顯下滑。

分機(jī)型來(lái)看，EUV光刻系統(tǒng)表現(xiàn)亮眼，銷(xiāo)售額同比增長(zhǎng)39%至116億歐元，對(duì)應(yīng)確認(rèn)48臺(tái)收入，首臺(tái)EXE:5200B系統(tǒng)完成現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)收并入賬；DUV光刻系統(tǒng)則有所承壓，銷(xiāo)售額同比下降6%至120億歐元，確認(rèn)279臺(tái)收入，首款面向3D集成市場(chǎng)的XT:260系統(tǒng)已交付并確認(rèn)收入。兩者合計(jì)，2025年ASML已確認(rèn)收入的光刻機(jī)約327臺(tái)，較2023年、2024年顯著回落。

中國(guó)市場(chǎng)仍是ASML的重要支撐，2025年占其凈系統(tǒng)銷(xiāo)售額的33%，位居全球首位，但這一比例較2024年的41%有所下降。為滿(mǎn)足中國(guó)內(nèi)存廠(chǎng)商的需求，ASML計(jì)劃2026年第四季度推出新款浸潤(rùn)式DUV NXT：1965i。該機(jī)型由1980i系列降規(guī)而來(lái)，既符合美國(guó)出口規(guī)范，又能適配中國(guó)內(nèi)存企業(yè)的需求，有望為2026年四季度及2027年業(yè)績(jī)提供助力。

展望未來(lái)，依據(jù)蔡司半導(dǎo)體的擴(kuò)產(chǎn)規(guī)劃，ASML預(yù)計(jì)2027年EUV出貨量將達(dá)80-85臺(tái)，DUV出貨量將達(dá)380-400臺(tái)，重回增長(zhǎng)軌道。

尼康+佳能：合計(jì)出貨約318臺(tái)

尼康與佳能暫未公布2025年光刻機(jī)準(zhǔn)確出貨數(shù)據(jù)，但從兩家財(cái)報(bào)預(yù)測(cè)中可大致推算。其中，尼康2025年4-9月半導(dǎo)體光刻機(jī)銷(xiāo)量為9臺(tái)，低于去年同期的10臺(tái)；同時(shí)，尼康將本年度銷(xiāo)量目標(biāo)從上調(diào)前的34臺(tái)下修至29臺(tái)，略高于2024年的28臺(tái)。

佳能的表現(xiàn)相對(duì)穩(wěn)健，2025年一季度半導(dǎo)體光刻設(shè)備銷(xiāo)量56臺(tái)，同比增加7臺(tái)；盡管將本年度銷(xiāo)量目標(biāo)從308臺(tái)下調(diào)至289臺(tái)，但相較于2024年的233臺(tái)，仍能實(shí)現(xiàn)24%的同比增長(zhǎng)。

綜合兩家目標(biāo)推算，2025年尼康與佳能合計(jì)出貨量約為318臺(tái)。

據(jù)此計(jì)算，2025年全球三大光刻龍頭的光刻機(jī)總出貨量約為645臺(tái)。

中國(guó)光刻機(jī)進(jìn)口數(shù)，下滑！

伯恩斯坦根據(jù)中國(guó)海關(guān)公開(kāi)數(shù)據(jù)，對(duì)2025年中國(guó)半導(dǎo)體晶圓制造設(shè)備（WFE）進(jìn)口情況進(jìn)行了回溯分析。結(jié)果顯示，2025年中國(guó)晶圓制造設(shè)備進(jìn)口總額達(dá)391.66億美元，同比增長(zhǎng)3%，創(chuàng)下歷史新高；其中12月單月進(jìn)口額45.08億美元，環(huán)比增長(zhǎng)84%，成為全年進(jìn)口峰值。

光刻機(jī)進(jìn)口方面，2025年全年進(jìn)口額與2024年基本持平，僅同比下滑1%，但12月光刻機(jī)進(jìn)口額達(dá)23億美元，創(chuàng)下月度歷史紀(jì)錄。（相關(guān)進(jìn)口指標(biāo)包括：沉積、干法刻蝕、光刻機(jī)、過(guò)程控制系統(tǒng)、材料去除與清潔、其他，以及對(duì)應(yīng)總額和不含光刻的總額）

受美國(guó)出口限制影響，ASML預(yù)計(jì)，2026年中國(guó)占銷(xiāo)售額的比例將降至20%。

DUV 是國(guó)內(nèi)光刻機(jī)的主要進(jìn)口品類(lèi)。一方面，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于成熟制程擴(kuò)產(chǎn)、特色工藝突破的關(guān)鍵階段，DUV 的技術(shù)特性可覆蓋 7nm 及以上絕大多數(shù)制程需求，與產(chǎn)業(yè)現(xiàn)階段發(fā)展節(jié)奏高度匹配；另一方面，EUV 受美國(guó)技術(shù)管控?zé)o法正常進(jìn)口，國(guó)內(nèi)企業(yè)只能通過(guò)加大 DUV 進(jìn)口，彌補(bǔ)先進(jìn)制程發(fā)展受限的缺口，同時(shí)保障成熟制程的產(chǎn)能釋放。

近年來(lái)國(guó)內(nèi)持續(xù)增加光刻機(jī)進(jìn)口，核心原因有三：

其一，內(nèi)存芯片制造是進(jìn)口DUV的第一大應(yīng)用場(chǎng)景。國(guó)內(nèi)主流內(nèi)存企業(yè)2025年持續(xù)推進(jìn)3D NAND與DDR4/DDR5內(nèi)存的擴(kuò)產(chǎn)，而3D NAND的堆疊層數(shù)提升、DDR內(nèi)存的制程優(yōu)化，均高度依賴(lài)DUV光刻機(jī)——尤其是ASML的ArF浸沒(méi)式DUV，可通過(guò)多重曝光技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高的圖形精度，支撐國(guó)內(nèi)3D NAND堆疊層數(shù)向500層以上突破，同時(shí)降低存儲(chǔ)芯片的單位成本。

其二，成熟制程邏輯芯片生產(chǎn)，也是DUV進(jìn)口的核心剛需。2025年，國(guó)內(nèi)主流晶圓代工企業(yè)持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)28nm、40nm等成熟制程，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)電子等領(lǐng)域，而DUV正是這類(lèi)制程的核心光刻設(shè)備。其中，ArF浸沒(méi)式DUV主要用于28nm（HKC+工藝）的生產(chǎn)，可實(shí)現(xiàn)高精度圖形曝光，保障芯片性能；KrF干法DUV則用于40nm及以上制程，兼顧生產(chǎn)效率與成本控制。

其三，特色工藝與功率半導(dǎo)體制造，進(jìn)一步拓寬了DUV的應(yīng)用邊界。在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域（如IGBT、MOSFET），國(guó)內(nèi)相關(guān)企業(yè)2025年加速擴(kuò)產(chǎn)，這類(lèi)芯片對(duì)光刻精度的要求相對(duì)較低，尼康、佳能的KrF干法DUV基本可以滿(mǎn)足需求，用于功率芯片的基片光刻、柵極圖形制作等環(huán)節(jié)，支撐新能源汽車(chē)、光伏、儲(chǔ)能等領(lǐng)域的功率芯片供應(yīng)。此外，在射頻芯片、傳感器等特色工藝領(lǐng)域，DUV可通過(guò)靈活的曝光方案，適配不同芯片的結(jié)構(gòu)需求，彌補(bǔ)高端光刻設(shè)備缺失的短板。

誰(shuí)，擁有最多的光刻機(jī)？

在先進(jìn)制程芯片的制造版圖上，EUV（極紫外）光刻機(jī)早已不是 “可選項(xiàng)”，而是決定產(chǎn)業(yè)話(huà)語(yǔ)權(quán)的 “入場(chǎng)券”。那么，誰(shuí)擁有最多的光刻機(jī)呢？

自 ASML 在 2016 年正式量產(chǎn) EUV 光刻機(jī)以來(lái)，這十年間全球累計(jì)交付的 EUV 設(shè)備約為 309 臺(tái)。其中，臺(tái)積電獨(dú)占 157 臺(tái)，占比高達(dá)50.8%—— 全球一半的 EUV 產(chǎn)能都被這家中國(guó)臺(tái)灣代工廠(chǎng)收入囊中。緊隨其后的是三星，其工廠(chǎng)內(nèi)部署了 76 臺(tái) EUV；Intel 則擁有 35 臺(tái)，SK 海力士 29 臺(tái)，美光 5 臺(tái)，而 2022 年才成立的日本 Rapidus 公司，也拿到了 1 臺(tái) EUV 作為先進(jìn)制程布局的起點(diǎn)。

臺(tái)積電 157 臺(tái) EUV 的保有量，絕非簡(jiǎn)單的 “設(shè)備采購(gòu)”，而是其在先進(jìn)制程代工領(lǐng)域構(gòu)建霸權(quán)的核心支點(diǎn)。從 2019 年首次在 N7 + 工藝中引入 EUV 開(kāi)始，臺(tái)積電就將 EUV 與客戶(hù)需求深度綁定：蘋(píng)果 A 系列、高通驍龍、英偉達(dá) GPU 等高端芯片的代工訂單，幾乎全部依賴(lài)臺(tái)積電的 EUV 產(chǎn)能。

三星 76 臺(tái) EUV 的布局，折射出其在半導(dǎo)體領(lǐng)域 “雙線(xiàn)作戰(zhàn)” 的戰(zhàn)略困境：一方面，在邏輯芯片代工領(lǐng)域追趕臺(tái)積電；另一方面，在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域維持技術(shù)領(lǐng)先。不過(guò)，這種雙重目標(biāo)導(dǎo)致其 EUV 資源被嚴(yán)重分流。

Intel 的 35 臺(tái) EUV，是其 IDM 轉(zhuǎn)型的“底氣”；SK 海力士（29 臺(tái)）和美光（5 臺(tái)）的 EUV 布局，則聚焦于存儲(chǔ)芯片的 “工藝優(yōu)化”。日本 Rapidus 的 1 臺(tái) EUV，更像是日本政府推動(dòng)本土先進(jìn)制程復(fù)興的 “破冰之舉”。這家成立于 2022 年的公司，得到了日本政府 5000 億日元的補(bǔ)貼和 ASML 的技術(shù)支持，目標(biāo)是在 2027 年量產(chǎn) 2nm 芯片。

然而，僅僅是EUV的競(jìng)爭(zhēng)，還不足夠。當(dāng)現(xiàn)有 EUV的工藝極限逼近 2nm 時(shí)，ASML 推出的High-NA EUV成為了先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)的下一個(gè)核心戰(zhàn)場(chǎng)。

ASML 首席執(zhí)行官 Christophe Fouquet預(yù)計(jì)High NA EUV光刻機(jī)將于2027~2028年正式投入先進(jìn)制程的大規(guī)模量產(chǎn)作業(yè)中。目前在導(dǎo)入新一代圖案化技術(shù)上最積極的是英特爾代工，其支持 High NA EUV 的 Intel 14A 節(jié)點(diǎn)將在 2027 年正式推出。Fouquet 表示，High NA EUV 光刻機(jī)目前正由英特爾等客戶(hù)測(cè)試，結(jié)果顯示新設(shè)備的成像和分辨率表現(xiàn)良好，該企業(yè)2026 年的任務(wù)之一是與客戶(hù)合作將設(shè)備的停機(jī)時(shí)間最小化。Fouquet還提到，ASML 對(duì)未來(lái) 10~15 年的大致技術(shù)路線(xiàn)已有一定的概念，該企業(yè)已啟動(dòng)下一代 Hyper NA EUV 的研究。

早在2023年末，ASML就向英特爾交付了首臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)，型號(hào)為T(mén)WINSCAN EXE:5000的系統(tǒng)。英特爾將其作為試驗(yàn)機(jī)，于2024年月在美國(guó)俄勒岡州希爾斯伯勒的Fab D1X完成安裝。英特爾宣布，已安裝了新的TWINSCAN EXE:5200B系統(tǒng)。這是目前全球最先進(jìn)的光刻機(jī)，屬于第二代High-NA EUV，將用于Intel 14A制程節(jié)點(diǎn)。在A(yíng)SML的合作下，已完成Intel 14A在英特爾晶圓廠(chǎng)的驗(yàn)收測(cè)試，以提高晶圓產(chǎn)量。

作為ASML第二代High-NA EUV系統(tǒng)，EXE:5200B基于2023年交付英特爾的首臺(tái)研發(fā)機(jī)型EXE:5000升級(jí)而來(lái)，核心突破在于其0.55數(shù)值孔徑（NA）的投影光學(xué)系統(tǒng)。 相較當(dāng)前主流的Low-NA EUV設(shè)備（分辨率約13nm），EXE:5200B可實(shí)現(xiàn)8nm單次曝光分辨率，徹底擺脫多重圖案化（Multi-Patterning）的復(fù)雜流程。

去年3月，三星在其華城園區(qū)引入了首臺(tái)ASML制造的High-NA EUV光刻機(jī)，型號(hào)為“TWINSCAN EXE:5000”。據(jù)悉，三星正計(jì)劃加大對(duì)極紫外（EUV）光刻設(shè)備的投資，購(gòu)買(mǎi)新一批EUV光刻設(shè)備。同時(shí)三星將為晶圓代工部門(mén)新增兩套最新的High NA EUV設(shè)備，三星計(jì)劃在2025年底和2026年初分別交付一套，用于其2nm制程的全面生產(chǎn)，其中一套將部署在華城廠(chǎng)區(qū)，另一套則可能部署在泰勒晶圓廠(chǎng)。

去年9月，SK海力士在韓國(guó)利川M16工廠(chǎng)成功引進(jìn)High-NA EUV光刻機(jī)，型號(hào)為T(mén)WINSCAN EXE:5200B，是全球首款量產(chǎn)型High-NA EUV設(shè)備。

美國(guó)銀行預(yù)測(cè)，ASML 2026年High-NA EUV出貨量或僅4臺(tái)，較此前預(yù)期減少50%。

值得注意的是，晶圓代工龍頭臺(tái)積電對(duì)High-NA EUV光刻機(jī)態(tài)度謹(jǐn)慎。臺(tái)積電業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)及全球銷(xiāo)售高級(jí)副總裁張曉強(qiáng)2025年表示，盡管認(rèn)可High NA EUV的性能，但該設(shè)備價(jià)格超過(guò)3.5億歐元（約3.78億美元）。目前標(biāo)準(zhǔn)型EUV光刻機(jī)仍可支撐臺(tái)積電尖端制程生產(chǎn)至2026年，公司A16（1.6nm級(jí)）和A14（1.4nm級(jí)）工藝均不會(huì)采用High NA EUV光刻機(jī)。