電子背散射衍射（EBSD）

EBSD是一種基于掃描電子顯微鏡的顯微分析技術，通過分析入射電子束與樣品相互作用后產生的背散射電子的衍射花樣（菊池花樣），獲取樣品的晶體學信息。

其核心原理是布拉格衍射定律（2dsinθ=nλ），其中電子束波長λ、晶面間距d和布拉格角θ共同決定衍射條件。衍射花樣由晶體的晶面系決定，不同晶體結構產生獨特的菊池花樣，通過與晶體學數據庫比對，可實現物相類型和分布、晶粒大小、晶界類型、晶體取向分析等功能。

電子背散射衍射（EBSD）

| 項目概述

EBSD是一種基于掃描電子顯微鏡的顯微分析技術，通過分析入射電子束與樣品相互作用后產生的背散射電子的衍射花樣（菊池花樣），獲取樣品的晶體學信息。其核心原理是布拉格衍射定律（2dsinθ=nλ），其中電子束波長λ、晶面間距d和布拉格角θ共同決定衍射條件。衍射花樣由晶體的晶面系決定，不同晶體結構產生獨特的菊池花樣，通過與晶體學數據庫比對，可實現物相類型和分布、晶粒大小、晶界類型、晶體取向分析等功能。

| 測試目的

晶體取向分析

通過菊池花樣與標準晶體學數據匹配，計算晶體的取向角（如歐拉角或米勒指數），生成取向成像圖（OIM），直觀顯示晶粒的取向分布。

晶界類型

低角度晶界（LAGB）：取向差<15°，通常代表亞晶界。

高角度晶界（HAGB）：取向差>15°，通常代表真實晶界。

特殊晶界：如孿晶界（Σ3邊界）可通過計算重合位點格（CSL）識別。

相分析

通過圖案匹配確定每個像素點的相歸屬，生成相分布圖，直觀顯示相分布。

晶粒尺寸測量

通過晶界檢測結果，使用面積法或截線法計算晶粒尺寸，生成晶粒分布直方圖，并輸出平均晶粒大小和標準差。

織構分析

通過極圖（Pole Figure）或取向分布函數（ODF）表征晶粒取向的統計分布，揭示材料加工對微觀結構的影響。

應變分析

利用晶體取向和圖案質量變化評估樣品中的應變或殘余應力分布。應變可通過晶界彎曲、取向梯度等特征定量分析，結合FWHM（全寬半高）或變形模式研究應力累積。

| 試驗標準

GB/T 36165金屬平均晶粒度的測定電子背散射衍射（EBSD）法

ISO 23703微束分析.用電子背散射衍射（EBSD）評估奧氏體不銹鋼機械損傷的取向分析指南

YB/T 4677鋼中織構的測定電子背散射衍射（EBSD）法

ASTM E2627-13 用電子背散射衍射技術（EBSD）測定充分再結晶多晶材料平均粒度的規程。

| 服務產品/領域

電子產品、金屬材料、陶瓷材料、半導體材料、礦物材料等。

| 美信優勢

1、專業團隊：擁有多名經驗豐富的檢測工程師和技術專家。

2、先進設備：配備國際領先的檢測設備，確保檢測結果的準確性和可靠性。
3、高效服務：快速響應客戶需求，提供PCB有害物質全套檢測服務。

4、權威認證：實驗室通過ISO/IEC 17025認證，檢測報告具有國際公信力。

常見問題

常規樣品要求？

樣品最大尺寸20mmx20mmx5mm（高），上下面平行，測試需拋光并去應力處理（振動拋光或CP制樣）。

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