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D-SIMS可以提供表面，薄膜，界面以至于三維樣品的元素結(jié)構(gòu)信息，其特點(diǎn)在二次離子來自表面單個(gè)原子層（1nm以內(nèi)），僅帶出表面的化學(xué)信息，具有分析區(qū)域小、分析深度淺和檢出限高的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于物理，化學(xué)，微電子，生物，制藥，空間分析等工業(yè)和研究方面。
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| 項(xiàng)目概述
二次離子質(zhì)譜技術(shù)（Dynamic Secondary Ion Mass Spectrometry，D-SIMS）是一種非常靈敏的表面分析技術(shù)，通過用一次離子激發(fā)樣品表面，打出極其微量的二次離子，根據(jù)二次離子的質(zhì)量來測(cè)定元素種類，具有極高分辨率和檢出限的表面分析技術(shù)。D-SIMS可以提供表面，薄膜，界面以至于三維樣品的元素結(jié)構(gòu)信息，其特點(diǎn)在二次離子來自表面單個(gè)原子層（1nm以內(nèi)），僅帶出表面的化學(xué)信息，具有分析區(qū)域小、分析深度淺和檢出限高的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于物理，化學(xué)，微電子，生物，制藥，空間分析等工業(yè)和研究方面。
| 測(cè)試目的
（1）當(dāng)產(chǎn)品表面存在微小的異物，而常規(guī)的成分測(cè)試方法無法準(zhǔn)確對(duì)異物進(jìn)行定性定量分析，可選擇D-SIMS進(jìn)行分析，D-SIMS能分析≥10μm直徑的異物成分。
（2）當(dāng)產(chǎn)品表面膜層太薄，無法使用常規(guī)測(cè)試進(jìn)行膜厚測(cè)量，可選擇D-SIMS進(jìn)行分析，利用D-SIMS測(cè)量≥1nm的超薄膜厚。
（3）當(dāng)產(chǎn)品表面有多層薄膜，需測(cè)量各層膜厚及成分，利用D-SIMS能準(zhǔn)確測(cè)定各層薄膜厚度及組成成分。
（4）當(dāng)膜層與基材截面出現(xiàn)分層等問題，但是未能觀察到明顯的異物痕跡，可使用D-SIMS分析表面超痕量物質(zhì)成分，以確定截面是否存在外來污染，檢出限高達(dá)ppb級(jí)別。
（5）摻雜工藝中，摻雜元素的含量一般是在ppm-ppb之間，且深度可達(dá)幾十微米，使用常規(guī)手段無法準(zhǔn)確測(cè)試摻雜元素從表面到心部的濃度分布，利用D-SIMS可以完成這方面參數(shù)測(cè)試。
| 美信優(yōu)勢(shì)
1、專業(yè)團(tuán)隊(duì)：擁有多名經(jīng)驗(yàn)豐富的檢測(cè)工程師和技術(shù)專家。
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美信檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室
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