1300億中微公司，打贏專利戰！

“到現在為止，跟美國打官司，我們占據主動權，從來沒有輸過。”

敢說出這句話的，是國產半導體設備龍頭中微公司董事長尹志堯。

事實也確如他所說。中微公司經歷的多起國際專利侵權事件，均達成和解或勝訴。

利用專利侵權問題發難，在全球芯片市場競爭中并不少見。專利侵權索賠金額大、耗時長，對企業的名譽和經營都會產生較大影響，甚至掐滅發展的萌芽。

比如，中芯國際曾和臺積電打了6年專利官司，最后以中芯國際賠償2億美元、創始人張汝京辭職收場。

那么，為什么中微公司會屢遭針對？它又是如何成功應對國際知識產權挑戰的呢？

不遭人嫉是庸才

俗話說得好，最了解你的人，是你的敵人。

向中微公司發起專利訴訟的大多是尹志堯前東家——刻蝕機排名全球第一和第三的泛林半導體、應用材料公司，它們所針對的是中微掌握的刻蝕技術。

芯片制造就像剪窗花，需要薄膜沉積設備鋪好紙，光刻機畫上花紋，刻蝕機把不要的部分剪掉。其中，刻蝕機在晶圓制造設備中價值量占比最高，達22%。

尹志堯在前司任職期間，曾主導幾代刻蝕技術升級，手握86項美國專利和200多項各國專利。回國創業之后，他將中微公司塑造成自帶技術基因的企業。

在過去的20年里，中微共計開發了3代、18款刻蝕機，覆蓋95%以上的刻蝕應用需求，技術能力達到5nm及更先進工藝水平。公司刻蝕機已經打入臺積電、中芯國際等一流客戶5nm產線。

具體來看，中微公司真正令人忌憚的是技術創新和產品差異化。

“我們必須把目標定在趕超世界最先進水平，而不是補自己的短板再按人家的路往前走，這樣會永遠落在后面。”尹志堯超前的技術理念貫穿了中微公司的發展。

在技術創新層面，中微CCP刻蝕機支持60:1超高深寬比刻蝕（目前國際最難量產水平）。ICP刻蝕機Primo Twin-Star刻蝕精度達到0.2A，比應用材料的0.35A精度更高。

在產品差異化層面，中微開創性地結合干法刻蝕的兩種技術路線，CCP電容性和ICP電感性等離子刻蝕，推出了雙反應臺刻蝕機。而海外廠商大多只有單臺機，中微直接打出了差異化。

CCP縱深刻蝕強，但在底部會有比較明顯的角度傾斜，ICP底部刻蝕更精準，但深度一般。中微雙反應臺刻蝕機正是由CCP把握刻蝕深度、ICP保證底部刻蝕精度。

截至2025年6月底，中微雙反應臺刻蝕機累計裝機突破3300個，遠超單反應臺的1200個。

一邊打官司，一邊搶市場。中微公司就這么憑借技術創新和產品差異化，躋身全球刻蝕機行業前列。

扎實的自主知識產權基礎

中微公司開發設備一貫堅持“技術的創新、產品的差異和知識產權保護”。

技術創新與產品差異我們已經領略，知識產權保護又體現在哪里呢？

一方面，中微不允許員工帶原公司的技術資料，不能透露原公司的任何具體技術細節。2022-2024年，公司多位美籍技術人員離開核心技術崗位，董事長尹志堯放棄美國國籍，恢復中國國籍。

另一方面，在設計產品時，公司必須先申請專利，并研究好競爭對手擁有哪些專利，以避免法律糾紛。

在嚴謹的知識產權保護制度下，中微公司不僅構建了龐大的專利群，也將風險隔絕在外。截至2025年6月底，中微共申請專利3038項，其中發明專利2507項，占比高達82.52%。

與龐大專利相對應的是，中微不吝惜研發投入，并保持了較快的產品研發速度。

2025年上半年，公司研發投入達到14.92億，同比增長53.7%，研發投入率進一步提升至30.07%，遠高于行業平均的10%-13%。

截至2025年6月底，中微公司研發團隊已擴展至1321人。過去一款新設備開發周期通常為3-5年，如今大幅縮短至2年，甚至更短時間就能推出具有市場競爭力的產品并順利落地。

不過，想要完全實現半導體設備的自主可控，僅靠設備商是不夠的。

2017年，美國Veeco對中微碳化硅石墨基座供應商發起專利訴訟，而國內并沒有可替代的合格供應商，這使中微存在不小的零部件斷供風險。

與其等待成長，不如主動培育。2019年，中微協助志橙股份，研發出了碳化硅石墨零部件并將其發展為供應商。

目前，中微的關鍵零部件均有與本土供應商聯合開發的項目。公司還設立了專門的測試和驗證平臺，定期對供應商產品進行評估反饋，確保本土零部件性能達到國際標準。

所以，中微公司對知識產權的重視與保護，使其面對責難時，能夠大獲全勝。而建立穩定、高效的本土零部件生態，則有望減輕公司零部件“卡脖子”風險。

三維發展戰略

居安思危，處進思退。中微公司具備技術實力與研發能力，但對手也不是吃素的。

在國內，中微直面規模更大的平臺型企業北方華創；在海外，泛林、應用材料、東京電子掌握全球刻蝕機約90%的市場份額。因此，中微正在構建支撐長期穩健發展的三維戰略體系。

第一維，聚焦半導體設備，通過刻蝕、薄膜技術延伸到量檢測領域。

2024年，中微公司刻蝕機、薄膜沉積設備營收占比分別為80%、1.7%。雖然薄膜設備營收占比較小，但是增速迅猛。2025年上半年，新產品LPCVD和ALD設備營收約為1.99億，同比大增608.2%。

現階段，尹志堯拿出一部分精力投身超微公司，攻克電子束量檢測設備。

隨著晶圓制程節點持續縮小，對量檢測設備的精度要求更高，推動該設備成為半導體前道設備第四大門類，價值量占比達12%。

量檢測設備是我國半導體行業除光刻機以外的最大短板，國產率還不足5%。超微公司引入擁有10年以上電子束設備研發與產品商業化經驗的人才，目前首臺針對關鍵尺寸量測設備的研發進展順利。

第二維，擴展在泛半導體設備領域的應用。

在泛半導體產業中，LED照明、氮化鎵、碳化硅功率器件發展較快。制造這些器件所需的MOCVD設備，也是中微公司的布局重點。

2024年，中微公司的LED照明MOCVD設備全球市占率超過80%，氮化鎵功率器件MOCVD設備也已取得重復訂單。

第三維，探索其他新興的非半導體領域。

近年來，中微公司設立聚焦環境凈化設備的“中微惠創”、開發高科技企業營運軟件系統的“中微匯鏈”、布局大健康領域的“芯匯康”等多個子公司。

此外，中微還投資了40多家半導體產業鏈上下游企業，比如主營半導體頻射電源的英杰電氣等，不僅加強業務協同，還能取得投資收益。

這樣一來，公司產品也有望覆蓋集成電路、MEMS、LED等不同的下游應用場景，一定程度上熨平半導體行業周期波動對公司業績的影響。

雖然中微公司的三維發展宏圖還在構建中，但從業績表現上看已有所成效。

2020-2024年，中微公司營收年復合增長率超40%，剔除2023年出售拓荊科技帶來4.1億非經常性損益后，同期公司的扣非凈利潤也均保持增長。

2025年上半年，公司實現營收49.61億，同比增長43.88%；實現凈利潤7.06億，同比增長36.62%。

目前，中微公司產品已覆蓋半導體高端設備的25%-30%。在今后的5-10年，公司計劃通過研發和外延并購，將這一比例提升至50%-60%。

結語

中微公司的刻蝕設備，不僅雕刻著芯片的微觀世界，更刻畫著我國科技企業的成長軌跡。時至今日，81歲的尹志堯依然自信：“我并沒有看到技術上有越不過去的坎。”

他的目標是2030年，中微公司將在規模、產品競爭力和客戶滿意度上，成為全球第一梯隊的半導體設備公司。

以上分析不構成具體買賣建議，股市有風險，投資需謹。