宏碁掠奪者GM9000神輿PCIe5.0固態(tài)硬盤評測，14GB/s性能完全釋放

目前Intel與AMD平臺均已適配兼容PCIe5.0固態(tài)硬盤，PCIe5.0理論測試帶寬相較于PCIe4.0直接翻倍，對生產(chǎn)力與游戲的提升可謂是立竿見影的，市面上的PCIe5.0固態(tài)硬盤主要分為DRAM-Based（配備獨立DRAM緩存芯片）和DRAM-Less（無獨立DRAM緩存芯片）兩種方案，在讀寫性能表現(xiàn)與價格方面均有所差異，前者通常以高端旗艦的形象出現(xiàn)，不過在價格上往往不占優(yōu)勢，若你是追求極致的讀寫性能，那么配備獨立DRAM緩存芯片的固態(tài)硬盤必然是優(yōu)先選擇，宏碁掠奪者GM9000 PCIe5.0固態(tài)硬盤就是其中之一，標稱順序讀取寫入速度均可達14000MB/s與13000MB/s，接下來對其深度測試性能表現(xiàn)。

外包裝盒子以黑色為主色調(diào)，在正面中部印有固態(tài)硬盤的設(shè)計圖案，下方印了型號與容量版本，背面則是參數(shù)規(guī)格，目前提供1TB/2TB/4TB/8TB四種不同容量規(guī)格可選，本次選擇的是2TB容量版本，包裝盒子內(nèi)含有宏碁掠奪者GM9000固態(tài)硬盤，并附帶一顆安裝螺絲與說明書。

宏碁掠奪者GM9000 2TB固態(tài)硬盤采用M.2 2280尺寸規(guī)格，以及單面顆粒布局設(shè)計（8TB容量版本為雙面顆粒布局），主控芯片與閃存顆粒等元器件均布置于PCB板的正面，出廠自帶一塊復合材質(zhì)散熱貼，在散熱貼上僅印有宏碁掠奪者的徽標，其大小可完全覆蓋固態(tài)硬盤表面，讓主控與顆粒都得到散熱效果。

位于固態(tài)硬盤背面僅設(shè)有一張標簽紙，上面印有品牌型號與認證標識，還有產(chǎn)品SN序列號條形碼，廠商為宏碁掠奪者GM9000 2TB固態(tài)硬盤提供五年或1600TBW質(zhì)保售后服務，哪怕每天寫入800GB數(shù)據(jù)持續(xù)五年仍未超出標稱TBW值，4TB容量版本的總寫入數(shù)據(jù)量甚至達到3200TBW，高于市面上大部分PCIe5.0固態(tài)硬盤。

宏碁掠奪者GM9000固態(tài)硬盤支持PCIe5.0傳輸規(guī)格，不同容量版本在讀寫性能方面會有些許區(qū)別，2TB/4TB容量版本的標稱順序讀取寫入速度均可達14000MB/s與13000MB/s，4K隨機讀取寫入分別為2000K IOPS與1600K IOPS，1TB容量版本的標稱順序?qū)懭霝?0500MB/s。

固態(tài)硬盤所標配的散熱貼采用石墨烯材料結(jié)合銅箔的設(shè)計，并覆蓋核心發(fā)熱區(qū)域以實現(xiàn)快速散熱效果，當拆卸下復合材質(zhì)散熱貼后可見內(nèi)部布局，宏碁掠奪者GM9000固態(tài)硬盤采用DRAM-Based（帶獨立DRAM緩存）結(jié)構(gòu)設(shè)計，從左往右分別為主控芯片，DRAM緩存芯片與兩顆TLC閃存顆粒，還有若干貼片電容電阻等元器件。

宏碁掠奪者GM9000固態(tài)硬盤搭載來自慧榮SMI的SM2508主控芯片，其基于臺積電6nm制程工藝打造，采用8通道32CE設(shè)計，集成四顆ARM Cortex-R8核心，支持PCIe 5.0×4傳輸接口與NVMe2.0標準協(xié)議，支持3600MT/s閃存接口速率，理論持續(xù)讀寫速度分別可達14.5GB/s與14GB/s，主控右側(cè)為獨立DRAM緩存芯片，其絲印編號為BWCC2X32N2A，容量為2GB的LPDDR4內(nèi)存顆粒。

DRAM緩存芯片與TLC閃存顆粒均由佰維封裝，佰維是國內(nèi)極少數(shù)具備先進封裝技術(shù)的國產(chǎn)存儲廠商，對品質(zhì)和穩(wěn)定性更有保障，TLC閃存顆粒的絲印編號為BWT2BN888-001T，經(jīng)過查詢是美光B58R 232層堆疊TLC閃存顆粒，單顆閃存顆粒容量為1TB，兩顆組成2TB的總?cè)萘俊?/p>

接下來對宏碁掠奪者GM9000 PCIe5.0 2TB固態(tài)硬盤進行性能測試，在硬件配置方面，處理器為Intel Ultra7 265K，技嘉Z890M DDR5冰雕主板，影馳RTX4070Ti Super 16GB金屬大師顯卡，8000MT/s CL38 48GB DDR5內(nèi)存條，主系統(tǒng)盤為宏碁掠奪者GM9 PCIe5.0 2TB固態(tài)硬盤，操作系統(tǒng)為Windows 11 24H2版本。

主板共配備三個M.2固態(tài)硬盤插槽，首個M.2插槽是支持PCIe5.0×4傳輸規(guī)格，由于該M.2接口是從處理器的IOE模塊引出，再經(jīng)過SoC模塊到計算模塊，不同模塊之間使用D2D通訊，因此會出現(xiàn)在PCIe5.0固態(tài)硬盤傳輸速度低于預期，由于英特爾酷睿Ultra 200S處理器的特殊性，本次會搭配PCIe5.0轉(zhuǎn)接卡去安裝并測試，該轉(zhuǎn)接卡自帶厚實的鋁合金材質(zhì)散熱模塊，并將其插在主板的PCIe顯卡插槽上。

接下來的性能測試默認在英特爾酷睿Ultra7 265K硬件平臺上進行，除非另有說明，先利用CrystalDiskInfo軟件查看宏碁掠奪者GM9000固態(tài)硬盤狀態(tài)信息，顯示固態(tài)硬盤支持NVMe 2.0協(xié)議標準，當前運行在PCIe5.0×4傳輸模式中，待機溫度為37℃，固態(tài)硬盤的總?cè)萘繛?048.4GB（10進制），用戶實際可用存儲空間為1.86TB（8進制）。

基準性能測試，先在AMD銳龍9 9950X3D處理器+B850M主板上進行性能測試，實測宏碁掠奪者GM9000固態(tài)硬盤的順序讀取速度為14272MB/s，順序?qū)懭胨俣葹?3525MB/s，4K單線程讀寫速度分別為91.8MB/s與302.67MB/s，4K隨機讀寫IOPS分別為2073K與2209K。

回到英特爾酷睿Ultra7 265K+Z890M主板平臺，實測宏碁掠奪者GM9000固態(tài)硬盤的順序讀取寫入速度分別為14163MB/s與13409MB/s，4K單線程的讀寫速度分別為100.3MB/s與366.44MB/s，4K隨機讀寫IOPS分別為2064K與1907K，在AMD/Intel兩個硬件平臺上均能達到標稱的順序讀寫速度, 4K隨機讀寫均高于標稱值2000K與1600K。

利用PCIe全尺寸插槽去測試性能只是臨時做法，該插槽終究是用于連接高性能顯卡，那么將宏碁掠奪者GM9000固態(tài)硬盤安裝在主板的首個M.2插槽上，實測順序讀取寫入速度分別為12434MB/s與13306MB/s，4K單線程讀寫速度分別為99.54MB/s與359.63MB/s，從兩次速度測試對比可知，主要影響在于順序讀取速度，被限制在12400MB/s左右，順序?qū)懭胨俣扰c4K單線程多線程讀寫速度基本沒區(qū)別。

AS SSD Benchmark基準性能測試軟件，實測宏碁掠奪者GM9000固態(tài)硬盤的順序讀取寫入速度分別達到9994.44MB/s與10281.71MB/s，而4K單線程讀寫速度分別為96.96MB/s與299.93MB/s，讀寫延遲均為0.014ms，總成績?yōu)?4320分。

ATTO Disk Benchmark基準測試軟件，在隊列深度設(shè)定值為4時，實測宏碁掠奪者GM9000固態(tài)硬盤讀取寫入速度分別可達13.28GB/s與12.5GB/s，4K大小數(shù)據(jù)包時讀取寫入速度分別為656.6MB/s與773.86MB/s當文件大小為128KB或以上達到滿速寫入，讀取速度需要在文件大小為2MB之后達到峰值。

TxBENCH基準性能測試軟件，先運行基準測試項目，全盤寫入的進階測試稍后再測試，實測宏碁掠奪者GM9000固態(tài)硬盤的順序讀寫速度分別為13290MB/s和14048MB/s，4K單線程隨機讀寫速度分別為100.235MB/s與365.397MB/s。

HD Ture Pro基準性能測試軟件中的文件基準測試項目，本次將文件長度設(shè)為150GB，Mixed混合數(shù)據(jù)模式，相當于往固態(tài)硬盤分別讀寫一個大小為150GB數(shù)據(jù)文件，實測讀取速度為10915MB/s，寫入速度為9937MB/s，整個讀寫曲線非常平穩(wěn)。

全盤連續(xù)寫入測試，從寫入曲線可見，宏碁掠奪者GM9000 2TB固態(tài)硬盤呈現(xiàn)出三段式寫入速度，在空盤狀態(tài)下SLC緩存空間約為380GB，此時的寫入速度為13500MB/s，當SLC緩存空間耗盡后，寫入速度會下降至3700MB/s，最后為GC回收階段直至測試結(jié)束，此時寫入速度為1800MB/s，全盤寫入耗時不到十一分鐘。

在PCMark10基準性能測試軟件中的完整系統(tǒng)盤基準測試，完整測試所有應用程序啟動與數(shù)據(jù)加載等項目，可以反映固態(tài)硬盤作為主系統(tǒng)盤的表現(xiàn)，宏碁掠奪者GM9000固態(tài)硬盤在該項目中獲得成績?yōu)?941分，帶寬為888.57MB/s，平均存取時間為29μs。

3DMark基準性能測試軟件中的存儲基準測試項目，宏碁掠奪者GM9000固態(tài)硬盤的綜合得分為5734，平均帶寬為985.53MB/s，平均存取時間為31μs，子項加載《戰(zhàn)地風云5》游戲時帶寬為1718MB/s，移動游戲帶寬為6267MB/s，前不久測試過一款PCIe4.0規(guī)格的固態(tài)硬盤，它在該測試項目成績也就4000分。

固態(tài)硬盤在讀寫方面的優(yōu)勢可體現(xiàn)在實際游戲場景，《魔咒之地Forspoken》游戲內(nèi)置基準測試功能，可測試每個場景載入時間，將游戲同時安裝于宏碁掠奪者GM9000固態(tài)硬盤與PCIe4.0固態(tài)硬盤中，游戲畫面設(shè)為4K分辨率與最高等級畫質(zhì)，選四個不同游戲場景進行統(tǒng)計，游戲數(shù)據(jù)存放于宏碁掠奪者GM9000固態(tài)硬盤中的載入時間平均能減少25%，比如第一個場景載入時間能縮短超過32%。

經(jīng)過多個大型游戲?qū)嶋H測試體驗，比如《怪物獵人：荒野》與《光與影：33號遠征隊》，《黑神話》的復戰(zhàn)和連戰(zhàn)模式，每次狩獵或戰(zhàn)斗都需載入場景數(shù)據(jù)，均能明顯感受到宏碁掠奪者GM9000固態(tài)硬盤的加載速度比PCIe4.0固態(tài)硬盤更快，《極限競速：地平線5》與《艾爾登法環(huán)》這類開放世界游戲也顯著縮短首次加載時間，地圖場景越龐大的游戲提升約明顯，無論挑戰(zhàn)BOSS成功與否，都能在更短時間內(nèi)回到戰(zhàn)場再戰(zhàn)，減少不必要的等待時間。

接下來將宏碁掠奪者GM9000固態(tài)硬盤的存儲空間填充到90%，繼續(xù)測試其在90%空間占用率下的讀寫性能表現(xiàn)，實測此時讀寫速度分別為14191MB/s與13427MB/s，4K單線程讀寫速度分別為98.74MB/s與341.8MB/s，與空盤狀態(tài)相比并沒有出現(xiàn)讀寫性能下降。

HD Ture Pro軟件的文件基準測試，本次將文件長度設(shè)為100GB，Mixed混合數(shù)據(jù)模式，這相當于一次性往固態(tài)硬盤中分別讀寫剩余存儲空間一半的文件數(shù)據(jù)，實測讀取寫入速度分別為9784MB/s與10363MB/s，無論是順序讀寫還是隨機讀寫的測試結(jié)果，均與空盤狀態(tài)基本一致。

最后是運行溫度測試，宏碁掠奪者GM9000固態(tài)硬盤提供了三個溫度傳感器數(shù)據(jù)，第二個應該是主控芯片，其它兩個應該是閃存顆粒，測試期間環(huán)境溫度為28℃，并搭配鋁合金散熱模塊輔助散熱，通過軟件記錄全盤寫入期間的溫度，顯示峰值溫度為80℃，假如將金屬散熱模塊給拆了下來僅使用自帶的散熱片，在游戲場景下測出來的最高溫度為70℃。

結(jié)語：

宏碁掠奪者GM9000 PCIe5.0 2TB固態(tài)硬盤采用DRAM-Based帶獨立緩存芯片方案，所帶來的效益是相當之明顯，在各項性能測試中表現(xiàn)非常優(yōu)秀，實測在Intel與AMD兩個硬件平臺上均能達到14000MB/s與13000MB/s標稱讀取寫入速度值，已觸及PCIe5.0×4理論傳輸帶寬上限，4K隨機讀寫性能更是高于標稱值，其讀寫能力基本不受存儲空間占用率影響，即便在90%高占有率狀態(tài)下仍能保持空盤時的性能表現(xiàn)，從全盤寫入測試結(jié)果來看，無論處于哪個寫入階段都十分平穩(wěn)，隨機讀寫性能與持續(xù)寫入性能尤為突出，均優(yōu)于采用DRAM-Less方案的固態(tài)硬盤。

固態(tài)硬盤讀寫性能在日常辦公場景下不一定能感覺到明顯差別，但在面對存儲性能有著苛刻要求的任務時優(yōu)勢盡顯，完全滿足游戲玩家和內(nèi)容創(chuàng)作者的需求，避免了頻繁等待數(shù)據(jù)交互帶來的莫名煩躁感與割裂感，在工作和游戲時更舒心高效，固態(tài)硬盤在能效方面的表現(xiàn)也很不錯，僅依靠自帶石墨烯銅箔散熱貼，可從容應對游戲娛樂和視頻后期等中等負載場景，若是用于AI模型訓練或渲染等持續(xù)高頻率數(shù)據(jù)讀寫的高負載場景，仍需依靠金屬散熱模塊輔助散熱，假如固態(tài)硬盤經(jīng)常用于大量數(shù)據(jù)讀寫操作的場景，那么1600TBW寫入耐久度也都是加分項之一。