三星存儲生產重心，從NAND轉向DRAM

本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

三星計劃將其位于平澤和華城的部分NAND閃存生產線轉為DRAM制造。

三星正準備對其存儲芯片生產戰略進行重大調整。由于全球 AI 基礎設施的迅速發展，DRAM 的需求持續激增。韓國業界消息人士透露，三星計劃將其位于平澤和華城的部分 NAND 閃存生產線轉為 DRAM 制造；即將投產的平澤 Fab 4 工廠也將作為專用 DRAM 生產線，采用三星最新的 1c 制程工藝。

1c DRAM是三星電子計劃在今年下半年量產的產品，且計劃將搭載在HBM4上，在下一代存儲器業務中具有非常重要的意義。

消息稱，三星對 NAND 市場已經變得更加謹慎，而標準 DRAM 芯片的市場需求則出現了大幅躍升。當前，DRAM 價格正在迅速上漲，一些服務器客戶愿意為 96GB 和 128GB DDR5 內存模塊支付高達 70% 的溢價，但依然難以保證供應。大型科技公司預計內存短缺將持續數年，并已開始為 2027 年的 DRAM 配額展開協商。

目前，三星在平澤 Fab 1、Fab 3 及華城園區均生產 DRAM 和 NAND。未來，Fab 1 和華城的混合生產線將進一步向 DRAM 轉型，相關 NAND 生產設備將被拆除。Fab 4 工廠正在收尾建設，明年將作為專用 1c DRAM 線投產，并有可能將 Fab 4 內另一原計劃用于代工生產的區域，也轉為 DRAM 產品線。一旦調整完成，明年上半年，三星來自華城 Fab 1 和平澤 Fab 4 的 DRAM 產量將顯著提升。與此同時，韓國地區 NAND 產能的減少預計將通過三星位于中國西安的工廠來補足。

最初，三星為了提高芯片的產量和成本效率，縮小了芯片尺寸，但這一做法導致了生產穩定性下降，良率未能達到預期。為此，三星在2024年底決定對1c DRAM的設計進行部分修改，主要是在保持核心電路最小線寬的同時，放寬周邊電路的線寬標準，以期快速提升良率。此外，三星還調整了芯片尺寸，從更小的尺寸轉向更大的尺寸，以提高良率并確保HBM4內存的穩定量產。

此外，三星電子在與英偉達的合作上也取得了重大進展，敲定了HBM4供應協議，計劃從今年第四季度開始交付首批產品。隨著HBM4需求的激增，三星正在全力投入1c DRAM的產能建設，以滿足市場的需求。尤其是在服務器、PC及移動設備等領域，DRAM的需求正在快速上升，其中服務器DRAM因AI數據中心投資的擴張而需求暴增。數據中心運營商正在競相投入基礎設施，以支持AI服務，這直接推動了服務器DRAM價格的急劇攀升。

盡管PC和移動市場的增長速度有所放緩，但隨著端側AI的興起，這些領域也開始悄然復蘇。要在終端設備上有效運行AI計算，必須依賴大容量內存，這意味著DRAM的需求將大幅增加。因此，PC和移動設備市場有望成為支撐DRAM需求的重要支柱，預計將引發供應短缺。高性能內存的強勁需求，正是三星擴大1c DRAM生產占比的根本動因。

1c DRAM作為三星獨有的差異化武器，進一步加速了這一進程。在競爭對手依然使用1b DRAM時，三星已決定采用1c DRAM制造HBM，以期通過領先一代的產品實現市場逆轉。三星正在通過大規模擴充產能，力圖以1c DRAM重塑市場格局。行業人士指出，三星電子憑借其遠超競爭對手的生產能力，極有可能在1c DRAM領域重現市場主導地位。

據悉，三星已加速押注DRAM 領域，從 ASML購入 5 臺全新 High-NA EUV 光刻機，其中 2 臺將部署在三星半導體代工事業部，其余設備則專供存儲事業部。一位半導體業界人士表示：“過去三星的代工和存儲業務在韓國平澤園區共用 EUV 工藝，但隨著最新變化，新增的五臺光刻機將專供存儲業務”。值得注意的是，今年3月，三星在其韓國華城園區引入了首臺ASML制造的High-NA EUV光刻機，型號為“TWINSCAN EXE:5000”，成為繼英特爾和臺積電（TSMC）之后，第三家購入High-NA EUV光刻機的半導體制造商。三星已決定在未來的DRAM生產中采用High-NA EUV技術，競爭對手SK海力士也有同樣的想法。

不過，據The Bell報道，三星和SK海力士已經決定推遲在DRAM生產中引入High-NA EUV技術的時間。原因是工具設備的成本過高，另外DRAM架構即將發生變化，從而讓存儲器制造商在High-NA EUV技術上采取更為謹慎的態度。

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