Q3 DRAM產業營收季增30.9%，達414億美元

本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

預估第四季最終conventional DRAM合約價將季增45-50%。

根據TrendForce集邦咨詢最新調查，2025年第三季由于一般型DRAM(conventional DRAM)合約價上漲、出貨量季增，且HBM出貨規模擴張，推升DRAM產業營收較前一季成長30.9%，達414億美元。

展望第四季，隨著原廠庫存普遍見底，出貨位元季增幅將明顯收斂。價格部分，由于云端服務供應商(CSP)對采購價格態度較開放，其他應用需跟進價格漲幅，以確保原廠的供應量，預期將導致先進及成熟制程、各主要應用的合約價快速攀升，預估第四季最終conventional DRAM合約價將季增45-50%，conventional DRAM及HBM合并的整體合約價亦將上漲50-55%。

分析第三季主要DRAM供應商營收表現，SK hynix（SK海力士）維持排名第一。受惠于產品售價季增、位元出貨大幅成長，營收季增12.4%，達137.5億美元，但市占在激烈競爭下降至33.2%。在HBM（高帶寬內存）和通用 DRAM（動態隨機存取存儲）強勁表現的推動下，公司本季度的 DRAM 營收也創下了歷史新高。在法說會上，SK 海力士指出，全球存儲器市場已進入“超級周期”，AI應用的全面滲透正推動存儲需求全面上升。公司預測，到2026年整體服務器出貨量將增長15%~20%，而HBM、DRAM、NAND產能幾乎全部售罄。

Samsung（三星）第三季位元出貨量季增幅度優于指引，營收增加至135億美元，季增達30.4%，營收市占為32.6%，維持第二名。三星指出，目前HBM3E正在量產中，并銷售給所有相關客戶，而HBM4樣品正在同時向主要客戶發貨。有利的價格環境和庫存價值調整等一次性成本的顯著降低有助于提高利潤。三星預計，2025 年第四季度，DS部門的存儲業務將積極響應人工智能和傳統服務器的需求，推出 HBM3E、高密度 eSSD 和其他領先的內存產品。此外，它還將繼續擴大行業領先的高附加值服務器內存產品的銷售，例如 128GB 和更高的 DDR5，以及 24Gb GDDR7。

排名第三的Micron（美光），第三季售價、位元出貨皆明顯成長，推升營收至106.5億美元，季增高達53.2%，市占大幅上升至25.7%。美光在財報中表示2026年HBM3E大部分供給已鎖定，但HBM4仍未完成談判，將在未來幾個月鎖定；HBM4（邏輯Die自研）已向客戶送樣，帶寬>2.8TB/s、速率>11Gbps，首批將于2026Q2出貨，2026H2爬坡。2027年量產的HBM4E邏輯Die宣布與臺積電合作，可做定制化，定制版毛利率高于標準品；預計下季度公司HBM市場份額將會與公司DRAM市場份額相匹配（20%+），2026年HBM市場份額更高。

南亞科、華邦電子與力積電延續第二季動能，第三季營收全數季增20%以上，其成熟制程產品逐步銜接上前三大業者轉換制程后無法滿足的市場。其中，Nanya（南亞科）受惠于出貨量、售價顯著季增，營收季成長高達84%，達6.3億美元。

Winbond（華邦電子）第三季出貨量、售價同樣增加，營收為2.2億美元，季增21.4%。華邦電子表示結構性供給缺口將導致DDR3和DDR4的價格在2026年繼續上漲，隨著主要玩家退出DDR4市場，現有產能不足以滿足長期需求，公司16納米定制化內存解決方案（CMS）制程已經完成條件性量產，預計8Gb DDR4/LPDDR4將于2026年進入量產階段。

PSMC（力積電）營收計算以自家生產之consumer DRAM為主，隨著客戶積極補貨，庫存去化帶動出貨量，PSMC的DRAM營收季增62.8%，為3,300萬美元；若加計其代工營收，則季增36%，反映代工客戶啟動庫存回補。

CounterPoint，發出示警

日前，市場調查機構 CounterPoint Research 發布博文，示警全球內存市場正面臨嚴峻的價格上漲壓力。當前的供應緊張主要源于舊款內存芯片的短缺。為滿足人工智能（AI）領域的龐大需求，三星、SK 海力士等主要制造商正將產能優先分配給更先進的芯片，這直接導致了舊款 LPDDR4 內存的供應緊張。

這種產能轉移已引發市場價格倒掛的異常現象：用于服務器和個人電腦的較新DDR5 內存現貨價約為每吉比特（Gb）1.50 美元，而廣泛用于低端消費電子產品的舊款 LPDDR4 價格卻高達 2.10 美元，甚至超過了先進的 HBM3e 內存。

報告強調，一個更廣泛且長期的風險正在浮現，其核心驅動力是芯片巨頭英偉達（NVIDIA）的戰略轉型。傳統上，服務器為保證數據可靠性，普遍采用具備錯誤糾正碼（ECC）功能的 DDR 內存。

然而，英偉達為降低功耗，正轉向在服務器產品中大規模采用LPDDR 內存，并計劃通過 CPU 層面處理錯誤糾正。研究總監 MS Hwang 指出，這一轉變使英偉達的需求規模堪比一家大型智能手機制造商，對現有供應鏈而言，這是一場難以迅速消化的“地震級”變革。

這一系列連鎖反應的最終影響將廣泛波及整個消費電子生態系統。高級分析師Ivan Lam 表示，最初的沖擊主要影響采用 LPDDR4 的低端智能手機制造商，但“陣痛”很快會蔓延。

報告預測，中高端智能手機的物料清單（BoM）成本可能因此增加超過 25%，這將嚴重侵蝕制造商的利潤空間，或迫使企業上調產品售價，從而影響市場增長。在產能受限與價格飆升的雙重壓力下，整個行業將面臨艱難的權衡與抉擇。

*聲明：本文系原作者創作。文章內容系其個人觀點，我方轉載僅為分享與討論，不代表我方贊成或認同，如有異議，請聯系后臺。