美國從2018年起就對中國芯片行業下手,先把華為拉進實體清單,斷了先進芯片供應。
轉年2019年,他們又拉荷蘭一起,堵住ASML賣EUV光刻機給中國。這玩意兒是做頂級芯片的必需品,沒它,7納米以下的工藝就別想了。
中國企業只能退而求買DUV深紫外設備。這些機器精度差點,但也能支撐中端生產。采購量一下子上去了,2020年翻了好幾倍。
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克里斯·米勒在2022年出版的《芯片戰爭》一書中提到,中國采購DUV不僅是為了提升芯片產能,更有著長遠的產業發展考量。
米勒認為,這種長遠布局比單純提升短期產量更具戰略意義,因為中國企業可通過使用和維護這些設備積累經驗,逐步突破核心零部件自主化瓶頸,甚至優化生產工藝。
有美國商務部官員曾預判,中國企業無法自主維修進口半導體設備,設備故障后生產線將陷入停滯。但中國企業恰恰以設備維修為切入點,逐步掌握了設備核心技術和全套運維能力。
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這讓人聯想到中國盾構機產業的發展歷程,早期中國從德國租賃盾構機,德方對核心技術嚴格保密,連維修過程都不允許中方人員觀摩。
中國技術人員憑借自主鉆研,在維修實踐中逐步掌握核心技術,如今中國盾構機已實現全球市場的廣泛布局,競爭力位居世界前列。
在光刻機領域,中國企業同樣以自主鉆研的態度推進技術突破,通過對進口設備的深入研究積累技術經驗。2023年數據顯示,中國半導體相關專利數量三年內實現大幅增長,占全球專利總量的半數以上。中國的相關布局核心在于積累技術儲備,而非單純追求短期產量提升。
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國內科研機構的自主研發工作從未停歇。
哈爾濱工業大學聚焦等離子體光源技術研發,清華大學推進穩態微聚束相關研究,上海光學精密機械研究所早在2017年就公布了32納米相關技術的實驗進展。
2024年,工信部積極推廣國產氟化氬光刻機,該設備分辨率可達65納米,通過技術優化精度可提升至8納米,具備商用價值。
這一進展表明,中國半導體產業并未局限于跟隨國際主流技術路線,而是積極探索自主創新的發展路徑。
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產業應用層面,中芯國際、華虹等國內主流芯片制造企業已開始采用國產設備開展生產線調試和運行,上海微電子的600系列光刻機實現90納米工藝量產,同時向28納米工藝發起沖擊。
在產業鏈上游,光刻膠、核心鏡片等關鍵材料和零部件領域,國內企業也在持續攻關,逐步突破對外依賴。
從全球市場結構來看,七成以上的芯片應用場景并不需要頂級EUV光刻機支撐的先進工藝,中國在中低端芯片市場已具備充足的產能保障能力。
進口設備在保障短期產能的同時,也為本土技術創新贏得了寶貴的時間窗口,助力國內產業實現“產能保障與技術替代”的并行推進。
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實踐證明,外部封鎖壓力反而激發了中國半導體產業的創新活力。
米勒在其研究中也指出,核心技術的突破并非僅靠拆解設備就能實現,必須依托大規模生產線實踐積累經驗,而中國正通過持續的大規模技術實驗和產業實踐,逐步完成這一關鍵積累過程。
ASML CEO富凱曾表示,中國半導體技術與西方存在10到15年的差距,但中國半導體相關專利的增長速度位居全球前列。外部封鎖客觀上倒逼中國企業打破技術“黑箱”,實現核心技術的自主掌控。
2025年,美國更新對華半導體管制措施,禁止向中國提供相關設備的維護服務。在此背景下,中國半導體產業自主化率快速提升,從13%躍升至35%。
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荷蘭半導體設備出口額出現20%的下滑。同年,清華大學相關科研項目完成28納米工藝技術驗證,標志著國內自主技術又獲重要突破。
專家心態復雜,一方面認可核心技術突破的艱巨性,另一方面也肯定中國通過實踐積累實現技術跨越的潛力。
如今,外部封鎖已成為中國半導體產業自主創新的“催化劑”,按照當前發展態勢,十五年后中國有望實現半導體核心環節的自主制造,屆時將成為全球半導體產業格局中具有重要影響力的力量,為全球產業發展注入新動能。
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中國采購DUV光刻機的背后,是“多路突圍、多點布局”的產業發展邏輯,并未局限于單一技術路線。中國半導體產業正從技術學習階段穩步邁向自主創新階段,全球半導體產業格局的重塑已箭在弦上。
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