打破美國封鎖，繞開EUV！SK海力士無錫廠DRAM工藝重大升級！

SK 海力士完成中國無錫工廠 DRAM 產線升級 美對華半導體管制下實現工藝迭代 夯實生產根基

據行業消息 14 日透露，SK 海力士已將其無錫工廠的 DRAM 制程工藝，由原有的 1z 工藝升級至 1a 工藝。該工廠的 12 英寸晶圓月投片量達 18 萬至 19 萬片，目前約 90% 的產能已切換為 1a 工藝。SK 海力士曾在 2024 年 1 月的業績說明會上公布無錫工廠的工藝升級計劃，此次完成切換，歷時整整兩年。

DRAM 芯片依據制程微細化程度劃分技術代際。其中，1z 工藝屬于 10 納米級 DRAM 的第三代技術，1a 工藝則為第四代。代際越高，芯片性能越優異。至此，SK 海力士無錫工廠具備了量產性能更優 DRAM 芯片的能力。

無錫工廠的工藝升級之所以備受關注，源于其作為 SK 海力士核心生產基地的重要地位。該工廠承擔了 SK 海力士全球 DRAM 總產量 30% 至 40% 的產能。

此前，外界擔憂，若因美國對華半導體設備管制而無法完成工藝升級，不僅會影響產能，更可能導致公司整體業務陷入停滯。此次工藝切換的順利落地，有效打消了這一顧慮。

SK 海力士移動設備用 DRAM 產品 LPDDR5X

值得一提的是，1a 工藝的生產需采用極紫外光（EUV）光刻技術。然而，受美國出口管制政策影響，EUV 光刻機被禁止運往中國境內。

為突破這一限制，SK 海力士采用了一種特殊的生產模式：將需要依賴 EUV 光刻機完成的精細電路加工環節放在韓國本土工廠進行，剩余的生產工序則轉移至無錫工廠完成。

盡管這種模式增加了工藝復雜度與物流成本，但SK 海力士仍堅持推進無錫工廠的 1a 工藝升級，其背后正是源于該工廠的戰略重要性 —— 它是企業能夠靈活響應中國乃至全球市場需求、維持核心競爭力的關鍵生產支點。

SK 海力士社長宋鉉宗曾在去年第二季度的業績說明會上強調：“中國工廠不僅對 SK 海力士意義重大，在全球存儲半導體的供需格局中，也是不可或缺的關鍵生產設施。我們將密切關注美國相關管制政策的動向，并與各國政府保持緊密溝通，確保工廠的持續穩定運營?！?/p>

自 2006 年正式投產以來，SK 海力士在無錫工廠的累計投資額已高達數千億韓元。

與此同時，SK 海力士正加速推進韓國本土 DRAM 工廠的工藝升級，計劃向第六代技術（1c 工藝）切換。公司將重點針對利川 M14 和 M16 工廠，集中投入資源開展 1c 工藝的升級改造。未來，SK 海力士將形成 “中國工廠主攻通用型 DRAM 產品、韓國本土工廠專注尖端 DRAM 產品” 的差異化生產格局。

Dram 10nm級工藝介紹

DRAM 行業自 20nm 級工藝后，采用字母后綴命名體系替代傳統納米數標注，1x、1y、1z、1a 均屬于10nm 級 (10nm-class) DRAM 工藝，按技術成熟度和性能排序為：1x<1y < 1z < 1a < 1b < 1c，分別對應 10nm 級技術的5個代次產品。

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