與光刻機齊名！難怪我國強硬反制荷蘭，原來已研制出首臺核心設備

怪不得我們在反制荷蘭的時候會如此有底氣，如此強硬，原來我國已經悄悄研制出了與光刻機并列的核心設備，在此之前，該款設備我們完全依賴從美國日本等方面進口。

去年荷蘭方面采用非法強制的手段搶奪我們的企業，在與之對峙的過程中，我國表現出了強大的戰略底氣，明確向荷蘭方面提出了原則性的條件，并且在此基礎上沒有絲毫的退讓。這也使得荷蘭方面想要通過威脅我國芯片制造的想法徹底破滅。因為在此之前，荷蘭人曾經認為離開了西方技術之后，中國在芯片制造方面肯定要有求于自己，但萬萬沒有想到我們并沒有按照他們的套路出牌。

面對荷蘭方面的搶劫，我國絲毫沒有退讓，最終讓荷蘭方面得到的只是一棟空蕩蕩的大樓而已。

不過在芯片制造相關領域，我國在一些核心技術和裝備方面確實長期依賴包括荷蘭在內的美西方技術和設備。這也是荷蘭敢于直接強搶的原因之一，那么這次我國如此強硬反制荷蘭的底氣到底來自于哪里呢？對于這個問題，從近期我國相關媒體發布的一則消息中，似乎就能夠找到答案之一。

根據中國日報近期發布的消息可以得到，18號當天，中核集團中國原子能科學研究院自主研制的我國首臺串列型高能氫離子注入機成功出束，核心指標達到了國際先進水平。而這次研制成功，也標志著我國全面掌握了串列型高能氫離子注入劑的全鏈路研發技術，攻克了功率半導體制造鏈的關鍵環節。為推動高端制造裝備自主可控，保障產業鏈安全奠定了堅實的基礎。

要知道，離子注入機和光刻機，刻蝕機，薄膜沉積設備并稱為芯片制造行業的四大核心裝備，這是半導體制造不可或缺的剛需設備。而在此之前，我國并沒有相應的自主技術和設備，所以長期以來主要依靠從美國和日本等企業的進口。這次我國的研制成功，可以說在芯片制造關鍵領域中直接結束了卡脖子的歷史。

這種設備的核心作用，是把氫離子加速到兆電子伏特級，并精準地注入半導體材料的深層，從而達到改變其電學特性，為芯片制造做精密摻雜。

這種設備主要是被應用于功率半導體制造，比如新能源汽車的IGBT，SIC，GaN第3代半導體器件，智能電網高壓開關等等。可以做到有效擊穿電壓，降低能耗與漏電流，對于我們的雙碳目標大有好處。還可以用于SOI晶體制備，能夠實現智能剝離技術，制造高性能的CPU，射頻芯片所需的soi襯底，降低寄生電容，有效提升運行速度和降低功耗。另外還對于先進儲存與特色工藝大有幫助。

而這套技術和設備被攻克和研發出來之后，具有四大意義。

第一，直接打破了技術壟斷

美國和日本等企業對于該技術和設備的壟斷長達30余年，我國這次研制成功直接成為全球第3個掌握該技術和設備制造的國家，實現了從核心零件到整機集成的正向設計，使我國相關領域不再受限于進口設備的供應窗口。

第二，對于產業鏈的安全起到了有效的保障作用

該項技術和設備的突破補齊了我國芯片制造四大核心裝備的最后一片高能拼圖，形成了低中高能全譜系覆蓋，可以直接適配12英寸產線，未來可以有效的降低地緣局勢的波動對于供應鏈的沖擊。

第三，助力戰略產業

這里所指的戰略產業主要是我國的光伏儲能，智能電網和新能源汽車等領域，不僅可以幫助我國的這些領域在內部發展，而且對于這些領域拓展國外市場擁有自主和先進的技術性也大有幫助。

第四，提升了競爭力

這項設備和技術被突破之后，相關行業，比如牽引高壓電源，真空系統，磁分析器等上游零部件將會更大程度的國產化。完善我國半導體裝備的自主生態。一方面降低成本，另外一方面大大提高在國際市場上的競爭力。

所以從以上幾方面的分析中，我們就能夠明顯感覺到這次我國在高能氫離子注入機方面的重大突破所產生的深遠意義。從技術實力層面來說，這也是我國在面對荷蘭這樣的強盜行徑的時候，能夠守住原則，強硬反擊的底氣。

消息參考來源:

“我國首臺，研制成功！”—中國日報，2026年1月18號