國產(chǎn)HBM流片成功，光刻機卡脖子下另辟蹊徑，一條新路悄悄鋪開

2026年2月3日，深圳一家叫遠見智存的公司宣布，他們的HBM3和HBM3e芯片已經(jīng)進入流片階段，這聽起來可能有點專業(yè)，其實就是芯片設計完成，開始試生產(chǎn)了，其實早在2024年1月，這家公司就通過母公司中天精裝對外透露，他們可以批量生產(chǎn)HBM2e，這是國內(nèi)第一次有廠商公開承認做到這一點，以前長鑫、長江存儲這些大廠雖然也在做，但一直沒吭聲，這次算是捅破了窗戶紙。

國際上主流的HBM技術，是采用TSV加臺積電的CoWoS封裝方案，這套方法很成熟，但缺點也很突出：它特別依賴EUV光刻機。而EUV我們無法獲取，受到嚴格限制。遠見智存沒有強行走這條路，而是換個思路，從設計層面入手，重新構建了一套非標準的封裝結構。他們沒有使用高精度刻蝕技術，也沒有采用混合鍵合方式，直接繞過了幾個關鍵專利。雖然現(xiàn)在還不清楚具體帶寬有多少、堆疊了多少層，但至少證明了這一點：不用EUV光刻機，也能做出可用的HBM產(chǎn)品。

這條路能夠走通，背后靠的是一整套國產(chǎn)配套體系在支持，材料方面，深南電路和興森科技的高端載板已經(jīng)穩(wěn)定供貨，設備上，中微半導體的刻蝕機可以做出很深的孔，拓荊科技的薄膜沉積設備能滿足3D堆疊的需求，中科飛測的檢測設備也進入了客戶的產(chǎn)線，這些環(huán)節(jié)以前基本依靠進口，現(xiàn)在國產(chǎn)設備湊成一個小隊，勉強能應付過去，這三家公司平時不太引人注意，但在這種非主流路線里，反而扮演了關鍵角色。

制造端沒有正式宣布，但業(yè)內(nèi)都清楚長鑫存儲最近在大力擴產(chǎn)，同時還在推進3D DRAM技術，這種技術不依賴EUV設備，重點放在刻蝕和鍵合環(huán)節(jié)，與遠見智存的封裝思路正好對應，看起來不是偶然，更像是事先商量好的配合，在封測環(huán)節(jié)，長電科技和通富微電的2.5D/3D能力基本夠用，只是混合鍵合的精度和良率還比臺積電差一些，現(xiàn)在遠見智存真的開始量產(chǎn)了，封測廠終于有實際樣品可以調試和練習，進步速度應該會快很多。

現(xiàn)在全球HBM供應很緊張，英偉達和AMD的訂單已經(jīng)排到2027年，可能都交不完貨，國內(nèi)AI公司等不了這么久，只要能用上就先拿來用，遠見智存的做法不是技術多先進，而是把所有能用的零件湊到一起，在限制條件下硬是走出了一條路，接下來要看他們HBM3流片能不能穩(wěn)定下來，國產(chǎn)設備能不能承受更復雜的3D堆疊工藝，設計方面還有沒有簡化空間，比如再減少結構復雜度，繞開更多專利，這事還沒完，但確實給人帶來一點希望。