全球首秀！Intel首次展示ZAM原型：兩大優勢秒殺現有內存

快科技2月1日消息，這是Intel ZAM內存首次公開展示！

上周我們報道過，Intel將與軟銀旗下子公司Saimemory達成深度合作，聯合開發名為ZAM（Z-angle memory，Z角內存）的下一代內存新技術，其單芯片最高容量可達512GB，功耗較當前主流的HBM內存降低40%至50%，意在打破HBM的壟斷地位。

原本以為還很遙遠，沒想到Intel如此之快就向全球展示了其原型產品。據日本媒體PCWatch報道，在Intel Connection Japan 2026活動上，Intel首次公開展示 ZAM（Z角內存）內存技術原型。

Intel院士兼政府技術首席技術官Joshua Fryman和Intel日本首席執行官Makoto Onho出席了此次活動。

此次活動主要關注ZAM如何幫助現有解決方案緩解性能和散熱方面的瓶頸。這也是該技術首次走出研究論文與新聞稿，以原型形式面向市場。

ZAM技術的核心突破在于架構設計，其摒棄了傳統內存的垂直布線模式，采用交錯互連拓撲結構實現芯片堆疊內部的對角線 "Z 字形" 布線，搭配銅 - 銅混合鍵合技術讓芯片層間高效融合。

同時結合無電容設計與Intel成熟的EMIB互連技術，既實現了與AI芯片的高速連接，又大幅降低芯片熱阻，散熱性能成為其核心優勢。

相較于目前AI領域主流的 HBM 內存，ZAM的產品優勢十分突出：單芯片最高容量可達 512GB，功耗較HBM降低40%-50%，能精準解決AI數據中心能耗高企的行業痛點，而Z形互連設計還進一步簡化了制造工藝流程，為后續規模化量產奠定基礎。

據活動公布的信息，Intel 在ZAM項目中將負責初始投資與戰略決策，雙方清晰的分工讓這項技術的落地路徑更為明確。

事實上，Intel 早年間曾是DRAM市場的重要參與者，1985年受日本廠商競爭沖擊退出該賽道。

如今全球 AI 大模型訓練、超大規模數據中心運算推動算力需求指數級攀升，DRAM 供應鏈瓶頸凸顯，HBM內存的壟斷格局也帶來了成本與產能問題，這為Intel的回歸提供了重要機遇。依托在先進封裝、芯片堆疊領域的深厚技術積累，Intel試圖以ZAM技術搶占AI內存市場先機。

不過，ZAM技術要實現市場突圍仍面臨關鍵考驗，其最終能否打破現有市場格局，核心在于能否獲得 NVIDIA 等 AI 行業領軍企業的采納，以及后續能否順利完成量產落地與生態建設。