北京
全球氮化鎵（GaN）半導體器件市場報告核心總結
該報告聚焦 2022-2030 年全球 GaN 半導體器件市場，核心結論為：市場將以 20.5% 的復合年增長率擴張，2021 年市場規模 102.489 億美元，2030 年預計達 419.561 億美元，亞太地區為核心增長引擎。
一、核心市場數據
關鍵驅動：軍事領域 GaN 射頻器件 adoption 提升、消費電子與汽車行業對功率半導體的需求激增
核心機會：電動車 / 混動汽車應用普及、5G 網絡部署推進
主要限制：碳化硅（SiC）等替代品的競爭壓力
按設備：晶體管占比最高（2021 年 28.1%），2030 年市場規模將達 113.533 億美元
按垂直領域：消費電子為最大應用場景（2021 年 25.9%），汽車領域增速最快（CAGR 22.8%）
按地區：亞太占比 46.2% 居首，中國、印度、日本為主要貢獻國；北美、歐洲分別占 27.6%、22.1%
按晶圓尺寸：4 英寸目前占比最大，6 英寸及以上尺寸增速領先（CAGR 超 21%）
頭部企業包括富士通、松下、德州儀器、臺積電、英特爾等，競爭策略集中于技術研發、并購合作與產能擴張。2021 年富士通以 19.5% 的市場份額領跑，行業呈現 “少數巨頭主導、中小企業細分突圍” 的格局。
四、關鍵趨勢
技術端：更大尺寸晶圓（6 英寸 +）、更高性能器件成為研發重點
應用端：電動車充電器、5G 基站、軍工雷達為核心增長場景
區域端：亞太地區憑借制造業優勢與政策支持，持續擴大市場主導權
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